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公开(公告)号：KR1020100028727A
公开(公告)日：2010-03-15
申请号：KR1020080087586
申请日：2008-09-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66984
Abstract: PURPOSE: A spin transistor with enhanced spin injection efficiency is provided improve the spin injection efficiency into a semiconductor channel from a ferromagnetic material by using a MgO tunneling film/ semiconductor lamination structure. CONSTITUTION: A spin transistor(10) comprises a semiconductor substrate(12), a ferromagnetic material source(11), a ferromagnetic material drain(13), a gate electrode(14), and a MgO tunneling film or the organic tunneling film(23). The semiconductor substrate comprises a channel layer(7). The spin-polarized electronic is passed through the channel layer. The ferromagnetic material source implants the electronics spin-polarized to the channel layer. The ferromagnetic material drain detects the spin of the electronics passing through the channel layer. The gate electrode is formed between the source and the drain. A gate voltage is applied to the gate electrode.
Abstract translation: 目的：提供自旋注入效率提高的自旋晶体管通过使用MgO隧道膜/半导体层压结构，提高了从铁磁材料的半导体通道中的自旋注入效率。 构造：自旋晶体管（10）包括半导体衬底（12），铁磁材料源（11），铁磁材料漏极（13），栅电极（14）和MgO隧穿膜或有机隧穿膜 23）。 半导体衬底包括沟道层（7）。 自旋极化电子通过沟道层。 铁磁材料源将电子自旋极化注入沟道层。 铁磁材料漏极检测穿过沟道层的电子器件的旋转。 栅电极形成在源极和漏极之间。 栅极电压施加到栅电极。
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公开(公告)号：KR1020080064291A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：KR1020070001026
申请日：2007-01-04
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01S5/3407 , H01S3/1026 , H01S5/2013
Abstract: A semiconductor laser having narrow beam spreading is provided to reduce width of an output beam of the semiconductor laser, to improve optical coupling efficiency between the semiconductor laser and an optical fiber, and to perform a photo-excitation of a bio body without a microscope or a microlens. A semiconductor laser includes a board, a lower cladding layer, a lower quantum well active layer, a core layer, an upper quantum well active layer, and an upper cladding layer. A lower cladding layer(31a) is formed on the board. A lower quantum well active layer(32a) is formed on the lower cladding layer. A core layer(33) is formed on the lower quantum well active layer. An upper quantum well active layer(32b) is formed on the core layer. An upper cladding layer(31b) is formed on the upper quantum well active layer.
Abstract translation: 提供具有窄光束扩展的半导体激光器以减小半导体激光器的输出光束的宽度，以提高半导体激光器和光纤之间的光耦合效率，并且在没有显微镜的情况下执行生物体的光激发 微透镜 半导体激光器包括板，下包层，下量子阱有源层，芯层，上量子阱活性层和上包层。 在该板上形成下包层（31a）。 在下包层上形成下量子阱有源层（32a）。 在下量子阱活性层上形成芯层（33）。 在芯层上形成上量子阱活性层（32b）。 在上量子阱活性层上形成上覆层（31b）。
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公开(公告)号：KR1020060082553A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：KR1020050003089
申请日：2005-01-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/183 , H01L33/105 , H01S2304/00 , H01S2304/02
Abstract: 본 발명은 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있는 디지털 합금 다원 화합물 반도체의 분산 브랙 반사경을 제공한다. 본 발명의 분산 브랙 반사경은 기판 및 상기 기판 상에 다층으로 적층된 단위 분산 브랙 반사경(DBR) 층을 포함하며, 상기 단위 DBR층이 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/다원 반도체층 또는 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층의 다층 적층체로 이루어지고, 상기 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층이 다원 반도체의 제1 층과 상기 제1 층 상의 상이한 다원 반도체의 다층 적층체로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 디지털 합금 분산 브랙 반사경은 기존의 일반 분산 브랙 반사경에 비해 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있다.
디지털 합금, 다원 화합물 반도체, 분산 브랙 반사경, 파장, 반사율, 굴절률-
公开(公告)号：KR100545625B1
公开(公告)日：2006-01-24
申请号：KR1020030018348
申请日：2003-03-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/0941
Abstract: 본 발명은 비대칭 SCH(Separate-Confinement Heterostructure) 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는 InP를 기반으로 하여 InP-InGaAs-InGaAsP로 구성되어 있다. 반도체 레이저 다이오드는 p-클래딩층, p 형 제 1 및 제 2 SCH층들, 이러한 p 형 제 1 및 제 2 SCH층들 사이에 삽입되는 p-InP 삽입층, 레이저 빔을 방출하며 다수의 장벽층 및 다수의 우물층을 구비하는 활성층, n 형 제 1 및 제 2 SCH층들, n 형 제 1 SCH층 내에서 n 형 제 2 SCH층과의 경계면에 삽입되는 InGaAsP 삽입층, n-클래딩층을 포함하고 있다. 반도체 레이저 다이오드 제조 방법은 기판 상에 n-클래딩층을 형성하는 단계, n-클래딩층 상에 n 형 제 2 SCH층을 형성하는 단계, n 형 제 2 SCH층 상에 n 형 제 1 SCH층을 형성하는 단계, n 형 제 1 SCH층 상에 활성층을 형성하는 단계, 활성층 상에 p 형 제 1 SCH층을 형성하는 단계, p 형 제 1 SCH층 상에 p-InP 삽입층을 형성하는 단계, p-InP 삽입층 상에 p 형 제 2 SCH층을 형성하는 단계, p 형 제 2 SCH층 상에 p-클래딩층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, n 형 제 1 SCH층의 형성시, InGaAsP 삽입층이 n 형 제 1 SCH층 내에 삽입된다.
레이저 다이오드, 대칭 SCH 구조, 비대칭 SCH 구조, 누설전류, 내부손실-
公开(公告)号：KR102131619B1
公开(公告)日：2020-07-08
申请号：KR1020180067504
申请日：2018-06-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/324
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101953217B1
公开(公告)日：2019-02-28
申请号：KR1020160109471
申请日：2016-08-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/8238 , H01L29/205 , H01L29/778 , H01L27/092 , H01L21/8252 , H01L21/324 , H01L29/78
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公开(公告)号：KR101795728B1
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：KR1020160062948
申请日：2016-05-23
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01J5/48 , G01N29/46 , H04N1/3217 , H04N5/33
Abstract: 본발명은적외선영상측정및 처리시스템에관한것으로서본 발명의일 실시예에따른적외선영상측정및 처리시스템은, 근적외선대역파장, 중적외선대역파장및 원적외선대역파장의적외선영상을측정하는영상측정부, 측정된근적외선영상, 중적외선영상및 원적외선영상을웨이블릿융합방식으로융합하는웨이블릿융합부, 및상기융합된영상에근적외선파장, 중적외선파장및 원적외선파장에따라서로다른색상을매핑하는색상융합부를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的一个热图像测量和处理系统的本发明的图像测量单元，测量红外波段波长的近红外波段的波长的红外图像，以及远红外波段波长涉及热图像测量和处理系统， 并因此包括稠合的颜色不同的颜色映射到近红外波长，红外波长和近红外光成像的远红外线波长，在红外图像中和小波融合单元融合为远红外图像的小波融合的方法，和会聚测量图像 。
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公开(公告)号：KR1020160039172A
公开(公告)日：2016-04-08
申请号：KR1020160035986
申请日：2016-03-25
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은발광소자및 발광소자패키지에관한것이다. 본발명에따른발광소자는, 지지기판; 상기지지기판상에형성된제1 도전성반도체층; 상기제1 도전성반도체층상에형성된활성층; 상기활성층상에형성된제2 도전성반도체층; 및상기제2 도전성반도체층상에형성된격자구조의광확산층;을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及发光器件和发光器件封装。 根据本发明的发光器件包括：支撑衬底; 形成在所述支撑基板上的第一导电半导体层; 形成在所述第一导电半导体层上的有源层; 形成在所述有源层上的第二导电半导体层; 以及在第二导电半导体层上形成有栅格图案的光扩散层。 在本发明中，在发光元件的最上层形成具有较高折射率差的材料作为栅格结构，从而改善了光束扩展的角度。
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公开(公告)号：KR101579161B1
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140100212
申请日：2014-08-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01F10/32
CPC classification number: H01F1/10 , H01F10/32 , H01F41/0253
Abstract: 본발명은쌍을이루지않은전자스핀이존재하는도핑원소가쌍을이루지않은전자스핀이존재하는투명산화물내에도핑된것을특징으로하는투명자석소재에대한것으로, 전혀자성을띠지않는도핑원소가자성이없는산화물속에들어가면상기전자스핀때문에자기모멘트가발생하여자석이되는특징이있다. 본발명에포함된도핑원소는 cohesive energy 가높지않아서산화물내에고루잘 퍼져있게되고, 결함에의한자성의세기및 농도보다훨씬크며진공이나고압과같은극한의실험조건을사용해야하는한계점을극복하고상온에서안정적으로자성을갖는다. 따라서본 발명은광학적, 전자, 메모리소재로광범위하게응용될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种透明磁体材料，其中在存在不成对电子自旋的透明氧化物中掺杂有现有不成对电子自旋的掺杂元素。 当完全非磁性掺杂元素进入非磁性氧化物时，掺杂元素由电子自旋产生的磁矩变成磁体。 根据本发明，掺杂元素不具有高的内聚能，因此可以均匀地分布在氧化物中。 掺杂元素的强度和磁化浓度远远大于缺陷的磁性强度和浓度; 克服了必须使用极端实验条件如真空和高压的限制; 并在室温下具有稳定的磁性。 因此，本发明可以广泛地用作光学，电子和记忆材料。
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