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公开(公告)号：KR1019970030352A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950042596
申请日：1995-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 T형 게이트 전극의 형성방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상의 소정 부분에 미세 게이트 금속을 형성하고, 반도체 기판 및 미세 게이트 금속상에 절연막과 평탄화막을 형성한 후 절연막이 노출되도록 평탄화막을 에치백하고, 절연막의 노출된 부분을 등방성으로 식각하여 평탄화막의 역경사를 이루는 측면을 노출시키고 저저항금속을 방향성을 갖도록 증착한다. 따라서, 광학적 기소그라피 공정으로 쉽게 T-형상의 게이트를 형성할 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있으며, 미세 게이트 패턴 상에 중첩되는 저저항금속을 자기 정렬되게 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970022534A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950034133
申请日：1995-10-05
IPC: G03F7/00
Abstract: 본 발명은 포토레지스트 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 반도체 기판에 도포된 포토레지스트층에 가속 전압이 임계치 보다 작은 전자 빔으로 짧은 기간 동안 소정 두께까지 예비 노광하고 딥 UV를 전면에 조사하여 상기 예비 노광된 부분을 완전히 노광시킨다.
따라서, 가속전압이 임계치 보다 작은 전자 빔에 의한 짧은 시간 동안의 예비 노광과 딥 UV에 의한 전면노광에 노광 시간을 감소하며 현상시 수직하는 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019960019599A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940032093
申请日：1994-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 본 발명은 갈륨비소 HEMT소자의 티(T)형 게이트 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 저잡음 특성이 우수하고 동작속도가 빨라 통신용 소자 및 고속 컴퓨터에 많이 이용되는 갈륨비소 HEMT소자의 게이트금속에 있어서 광 노광과 전자빔 노광을 병행하여 사용하고 저온 중간막을 이용함으로써 매우 안정하고 낮은 저항을 갖는 T형 게이트 금속을 형성할 수 있는 티(T)형 게이트 형성방법에 관한 것이다.
특징적인 구성으로는 반절연성의 갈륨비소기판위에 2차원 전자가스층을 형성하고 그 위에 다시 식각정지를 위한 알미늄 갈륨비소층을 형성한 후 갈륨비소도핑층을 형성하여 성장시킨 기판을 이용하여 티(T)형 게이트를 형성하는 갈륨비소 HEMT소자의 티(T)형 게이트 제조방법에 있어서, 상기 기판의 갈륨비소도핑층위에 전자빔에 의해 노광을 실시하기 위해 1차로 전자빔 노광용 감광막을 도포하여 열처리하는 제1공정과, 상기 제1공정에서 열처리된 감광막위에 중간막을 도포하여 저온에서 저온 중간막을 형성하는 제2공정과, 상기 제2공정에서 형성된 저온 중간막위에 다시 광에 의한 노광을 실시하기 위해 광 노광용 감광막을 도포하여 열처리하는 제3공정과, 상기 제3공정에서 열처리된 광 노광용 감광막을 스테퍼로 노광하여 원하는 패턴을 형성하고 그 형상을 이용하여 상기 저온 중간막을 습식식각방법에 의해 수평방향으로 과식각하여 광 노광용 감광막의 아래에 언더컷팅부를 만드는 제4공정과, 상기 제4공정의 식각이후 전자빔을 사용하여 전자빔 노광용 감광막위에 원하는 미세한 패턴을 형성하고 그 패턴을 이용하여 갈륨비소도핑층을 선택적으로 리세스식각하여 T형상을 형성하는 제5공정과, 상기 제5공정에서 형성된 T형상을 이용하여 게이트 금속을 증착하는 제6공정과, 상기 제6공정에서 증착된 게이트 금속을 리프트-오프방법으로 T형 게이트를 형성하는 제7공정으로 이루어짐에 있다.-
公开(公告)号：KR1019950021158A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029349
申请日：1993-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 금속 반도체 전계효과 트랜지스터소자의 제조방법에 관한 것으로특히 패턴전사과정에서 광학적스탭퍼를 이용하여 포토레지스트막을 2중 노광하여 미세한 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반절연GaAs기판(1)상에 포지티브 포토레지스트막(2)을 도포하고 열처리를 한 후, 마스크(3)상의 패턴크기로부터 일정배율 축소하여 광학적 스텝퍼로 1차 노광시키는 공정과, 상기 광학적 스텝퍼의 스테이지를 횡방향으로 일정거리 이동시켜 상기 포토레지스트막(2)에 2차 노광시켜 미세한 패턴의 크기를 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트막(2)을 현상시키는 공정을 거쳐 완성된다. 따라서 본 발명은 금속 반도체 전계효과 트랜지스터의 게이트를 형성하는데 적용되며, 또한 미세한 선폭의 배선과 HEMT의 제작과 다른 미세한 패턴을 필요로 하는 소자의 제작에 이용된다.
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公开(公告)号：KR1019950008264B1
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019920024462
申请日：1992-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/80
Abstract: The method overcomes the limit of the formation of gate which is mainly dependent on the lithography by having the length of gate set by etching and directional thin film depostion. The method comprises the steps of: forming a p-type well (2) and an activation layer (3) on the semi-insulating substrate (1) and depositing a lower thin film (4) and an upper thin film (5) sequentially; forming the pattern of a photoresist layer (6) on the upper thin film and etching the upper thin film layer sequentially; depositing directional thin film (7), lifting off the photoresist layer, and forming micro-patterns on the upper thin film sequentially; etching lower thin film, depositing gate metal (8) on the semi-insulating substrate, and depositing a low resistive metal (9) to reduce the resistance of gate sequentially; and lifting off to form the pattern of gate and etching the gate metal sequentially.
Abstract translation: 该方法通过蚀刻和定向薄膜沉积具有栅极长度来克服主要依赖于光刻的栅极形成的极限。 该方法包括以下步骤：在半绝缘基板（1）上形成p型阱（2）和活化层（3），并依次沉积下薄膜（4）和上薄膜（5） ; 在上部薄膜上形成光致抗蚀剂层（6）的图案并依次蚀刻上部薄膜层; 沉积定向薄膜（7），提起光致抗蚀剂层，并依次在上薄膜上形成微图形; 蚀刻下薄膜，在半绝缘衬底上沉积栅极金属（8），并沉积低电阻金属（9）以顺序降低栅极电阻; 并提起以形成栅极图案并依次蚀刻栅极金属。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019940011738B1
公开(公告)日：1994-12-23
申请号：KR1019910024262
申请日：1991-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: The method includes the steps of depositing and etching lower and upper insulating layers (2)(3) on a semi-insulating cpd. semiconductor substrate (1) to form an ohmic and left-off type opening part, forming a sulfur layer (4) to deposit lower and upper layers (5)(6) thereon, implanting Si ions to mix the semiconducting layer with the ohmic metal layer, and heat-treating to generate the activation of the impurities by the reaction between the metal and semiconductor, after depositing a surface passivation film (8).
Abstract translation: 该方法包括在半绝缘cpd上沉积和蚀刻下绝缘层（2）（3）的步骤。 半导体衬底（1）以形成欧姆和离开型开口部分，形成硫层（4）以沉积其上和下层（5）（6），注入Si离子以将半导体层与欧姆金属 层，并且在沉积表面钝化膜（8）之后通过金属和半导体之间的反应来热处理以产生杂质的活化。
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公开(公告)号：KR1019930000608B1
公开(公告)日：1993-01-25
申请号：KR1019890011895
申请日：1989-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/18
Abstract: The semiconductor manufacuring method for forming the connecting hole of metallic layers in multilayers comprises (a) coating the first metallic layer formed on a semiconductor substrate with the first polyimide layer, (b) heating to form a metallic layered connecting hole, (c) vapor depositing a metallic layer on a polyimide layer, (d) removing only the first polyimide and metallic layer, (e) forming an oxide film and the second polyimide layer on the first metallic layer, and (f) inlaying a connecting hole in metallic layers by etching back, and forming the second metallic layer.
Abstract translation: 用于在多层中形成金属层的连接孔的半导体制造方法包括：（a）用第一聚酰亚胺层涂覆形成在半导体衬底上的第一金属层，（b）加热形成金属层状连接孔，（c）蒸气 在聚酰亚胺层上沉积金属层，（d）仅去除第一聚酰亚胺和金属层，（e）在第一金属层上形成氧化膜和第二聚酰亚胺层，以及（f）在金属层中嵌入连接孔 通过回蚀，形成第二金属层。
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公开(公告)号：KR1019920004961B1
公开(公告)日：1992-06-22
申请号：KR1019880017987
申请日：1988-12-30
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H05G2/003 , G03F7/70033
Abstract: The X-ray generation system for an ultra fine lithography includes a center electrode having an adjusting member, a peripheral electrode having gas flow holes and a metal disc having gas flow holes for generating the X-ray from a plasma. A large capacitor, a transparent cylinder, a discharge member, discharge and observing windows, a cylindrical insulator, exhaust holes, a metal container, large electric power spatial gap switches, a current returning wire are also provided. An exhaust pump, and gas feeding members continuously operate increasing stability, controlling, and discharging the quentity.
Abstract translation: 用于超细光刻的X射线产生系统包括具有调节构件的中心电极，具有气体流通孔的外围电极和具有用于从等离子体产生X射线的气体流通孔的金属盘。 还提供了大电容器，透明圆筒，放电构件，放电观察窗，圆柱形绝缘体，排气孔，金属容器，大电力空间间隙开关，回流电线。 排气泵和气体供给构件连续运行增加的稳定性，控制和排出量。
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