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公开(公告)号：KR100194619B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950052676
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저의 외부 광궤환 방법을 이용한 웨이퍼 자동촛점장치 및 자동촛점방법에 관한 것이다.
본 발명의 웨이퍼 자동촛점장치는, 반도체 레이저(21)와, 시준렌즈(22)와, 광분할기(23)와, 촛점렌즈(24)로 이루어진 자동촛점장치 모듈; 및, 슬릿(32)과, 시준렌즈(32)와, 회절격자(33)와, 집속렌즈(34)와, PSD(35)로 구성되어, 상기한 웨이퍼(25)에 의해 반사되어 반도체 레이저(21)의 외부 광궤환에 의해서 발진하는 반도체 레이저(21)의 궤환광의 광 강도변화를 전압변화로 변환하기 위한 분광부(40)와 PSD신호처리부(50)를 포함한다.
아울러, 본 발명의 웨이퍼 자동촛점방법은, 반도체 레이저에서 나오는 레이저광을 평행광으로 만들어 광분할기를 통해 웨이퍼에 입사시키는 단계; 상기한 웨이퍼의 수직방향 위치변화에 따른 상기한 반도체 레이저의 외부 광궤환에 의한 광강도 변화에 의해 레이저광의 출력파장을 변화시키는 단계; 및, 상기한 출력파장의 변화를 PSD 및 PSD 신호처리부를 거쳐 출력전압 변화로 변환하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR100194598B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950042065
申请日：1995-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 프로브 빔 주사방식에 의한 웨이퍼 자동촛점장치에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 프로브 빔 주사방식을 사용하여 촛점신호의 측정오차를 최소화함으로써 자동촛점장치의 정밀도와 분해능을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 자동촛점장치에 관한 것이다.
본 발명의 웨이퍼 자동촛점장치는 반도체 노광장치의 웨이퍼 자동촛점장치에 있어서, 반도체 레이저(101); 전기한 반도체 레이저(171)로부터 발생된 빛의 편광방향을 TE편광으로 바꾸기 위한 선 편광자(103) 및 슬릿(104)의 광학계; 전기한 슬릿(104)으로부터 투사된 빛을 사용하여 웨이퍼 스테이지(90) 상의 웨이퍼(80)에 프로브 빔을 주사하기 위한 갈바노미터(106')로 이루어진 주사 거울(106); 웨이퍼(80) 상에서 반사된 반사광을 실린더상 렌즈(111)에 집속하기 위한 광학계 및 프로브 빔의 길이방향을 압축하여 PSD(112) 상에 전달하기 위한 실린더상 렌즈(112); 및, 발광 및 수광회로부(140)와 신호처리 및 제어부(150)로 구성되어 전기한 광학계에 의한 광학신호를 전기신호로 변환하기 위한 자동촛점 신호처리계를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100155303B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019940035478
申请日：1994-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명에 따른 T-게이트 형성용 마스크는 불투명과 투명부위만으로 이루어진 종래의 마스크와는 달리, 선택적으로 투과율이 조절된 패턴부위가 배치하고 있으며, 투명한 패턴부위와 투과율이 조절된 패턴부위와의 빛의 위상을 조절하기 위한 위상변환층(phase shift layer)을 갖는다.
또, 본 발명의 마스크는 T-게이트의 다리부위의 패턴형성을 위한 마스크 패턴은 투명한 패턴을 형성하고 투명패턴에 인접하여 T-게이트의 머리부위를 형성하기 위한 반투명한 패턴이 배치된 구조를 갖는다.-
公开(公告)号：KR1019980050459A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069282
申请日：1996-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B27/58
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
리소그래피용 광학
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
동에 공간적으로 균일한 강도를 갖는 빛으로 조명하여 이른바 레일리 한계에 의해 제한되는 선폭의 광학상을 얻으므로, 이때 최소 선폭은 균일한 조명의 경우 조명파장과 광학계의 개구수에 의해서 제한된다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
노광장비 광학계의 동(瞳)에 여러개의 가우스 함수가 중첩된 형태의 진폭 및 위상 투과특성을 갖도록 조명광을 조작함으로써 통상적인 광학계에서 얻을 수 있는 선폭보다 미세한 선폭의 상을 얻는다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 공정-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960026076A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940033475
申请日：1994-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 반도체 노광장비인 웨이퍼 스테퍼의 웨이퍼 정렬방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 레이저 광원으로는 He-Ne 레이저 대신에 자기장에 의한 에너지 띄의 미세분리 효과를 이용한 제만(Zeeman) 레이저로서 두 광파가 수 MHz의 상이한 주파수 차를가지며 두 광파의 편광이 항상 수직을 유지하는 제만 주파수 안정화 레이저를 사용하여 정렬광의 위상과 레이저 기준신호의 위상을 비교함으로써 수십 KHz의 상이한 주파수 차를 가지는 두 광파로 분리하기 위해서 광-음향 변조기(acousto-optic modulator)를 사용해야 하는 종래의 He-Ne 레이저에 비해 비교적 간단한 광학계로 빠른 정렬과 높은 정렬 정밀도를달성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100296980B1
公开(公告)日：2001-09-22
申请号：KR1019990011966
申请日：1999-04-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F7/207
Abstract: 본발명은리소그래피장비에서사진전사하고자하는원본인마스크의상을광학계를사용하여기판위에도포된감광제층에맺히게함에있어서상이맺히는위치를광학계의광축과동일한방향으로어느정도의범위에걸쳐서형성되게함으로써광학계의초점심도를확장하고그 범위를조절할수 있는복굴절물질을이용한광학계의초점심도확장범위조절방법및 장치에관한것으로복굴절물질로평행평판과같은광학부품을제작하여광학계내에설치하면입사한빛의편광방향에따라서그 굴절률에차이가나타나게되어빛이지나가게되는경로가달라지게되고, 그결과광학계의광축방향을따라상을맺는위치가달라지게되어일정한범위에서연속적으로상을맺게됨으로써이 범위에서원하는해상도의상을얻을수 있게된다. 따라서복굴절물질로만들어진광학부품의방향조절과두께변화를통하여원하는해상도를유지하면서초점의위치를조절하므로서초점심도의확장과정확한초점위치를유지하고자하는리소그래피장비등의광학계에장착되어반도체나디스플레이소자등을사진전사적방법에의해제작할때 원하는해상도의상이맺히는범위를광축방향으로확장하고정확한초점위치의구현과유지에사용할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010048980A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1019990053887
申请日：1999-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/28593 , H01L29/42316
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a gamma gate of a high electron mobility transistor(HEMT) is provided to remarkably reduce device noise, by sufficiently increasing the head of the gamma gate in area. CONSTITUTION: The first resist is applied on a GaAs substrate. After an exposure and development process, the first resist is hardened to form the first resist pattern. The second resist is applied on the GaAs substrate and the first resist pattern. After an exposure and development process, the second resist is hardened to form the second resist pattern. A portion of the GaAs substrate not covered by the first and second resist patterns is defined as a region(103) where the footprint of the gamma gate is formed. A portion of the GaAs substrate not covered by the second resist pattern but covered by the first resist pattern is defined as a region(102) where the head of the gamma gate is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种制造高电子迁移率晶体管（HEMT）的伽马栅的方法，通过充分增加伽马门的头部区域，显着降低器件噪声。 构成：将第一抗蚀剂施加在GaAs衬底上。 在曝光和显影处理之后，第一抗蚀剂被硬化以形成第一抗蚀剂图案。 将第二抗蚀剂施加在GaAs衬底和第一抗蚀剂图案上。 在曝光和显影处理之后，第二抗蚀剂被硬化以形成第二抗蚀剂图案。 未被第一和第二抗蚀剂图案覆盖的GaAs衬底的一部分被定义为形成伽马栅的覆盖区的区域（103）。 GaAs衬底的未被第二抗蚀剂图案覆盖但被第一抗蚀剂图案覆盖的部分被定义为形成伽马栅的头部的区域（102）。
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公开(公告)号：KR100276688B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980052528
申请日：1998-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 및 디스플레이 소자를 제작하는 노광장비의 오프-액시스형 변형조명에 사용되는 조리개에 있어서, 상기 조리개의 중앙부위는 광 투과도가 0이 되도록 하고, 중앙부위를 제외한 상기 조리개의 가장자리에 형성되는 4개의 극 부분은 광 투과도가 100 % 되게 하고, 그 이외의 조리개 부위는 광 투과도가 3 ~ 40 % 되도록 형성되며, 조리개의 중앙 부위로 투과되는 광을 차단하되 그 이외의 부위를 선택적으로 차단, 조절하여 광 투과도를 증가시킬 수 있는 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다-
公开(公告)号：KR1020000066542A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019990013748
申请日：1999-04-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G03F7/70233 , G03F7/70241 , G03F7/70308 , G03F7/70316 , G03F9/7065
Abstract: PURPOSE: An optical system for an exposure equipment using a birefringent material is provided to embody a fine line width, by using a light source having a short wavelength and a broad bandwidth, and by inserting optical parts composed of the double refraction material to extend a depth of a focus. CONSTITUTION: An optical system for an exposure equipment comprises a first group of lenses(10), a second group of lenses(20), a polarized beam splitter(41), a first wave plate, a spherical mirror, a second wave plate and a third group of lenses(30). The first group of lenses are positioned in a rear part of a light source and a material surface. The second group of lenses change an optical axis by almost 90 degrees, positioned in a rear part of a reflector. The polarized beam splitter is composed of two prisms, positioned in a rear part of the second group of lenses. The first wave plate is positioned in an upper part of the polarized beam splitter. The spherical mirror is positioned in an upper part of the wave plate. The second wave plate is positioned in a lower part of the polarized beam splitter. The third group of lenses corresponds to an upper surface to which light is irradiated, positioned in a lower part of the parallel plate.
Abstract translation: 目的：提供一种使用双折射材料的曝光设备的光学系统，通过使用具有短波长和宽带宽的光源，并且通过插入由双折射材料组成的光学部件来实现细线宽度的扩展 重点深度。 构成：用于曝光设备的光学系统包括第一组透镜（10），第二组透镜（20），偏振分束器（41），第一波片，球面镜，第二波片和 第三组透镜（30）。 第一组透镜位于光源的后部和材料表面。 第二组透镜将光轴改变近90度，位于反射器的后部。 偏振分束器由两个棱镜组成，位于第二组透镜的后部。 第一波片位于偏振分束器的上部。 球面镜位于波片的上部。 第二波片位于偏振分束器的下部。 第三组透镜对应于照射光的上表面，位于平行板的下部。
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