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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020070025304A
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050081314
申请日：2005-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L45/126 , H01L45/1233
Abstract: A phase change memory and its manufacturing method are provided to reduce remarkably the consumption of power by using a penetrating electrode structure. A phase change memory includes a first phase change thin film and a heat radiating metallic electrode. The first phase change thin film(14) includes a penetrating electrode structure(21), wherein the penetrating electrode structure penetrates a predetermined region. The heat radiating metallic electrode is buried in the penetrating electrode structure. A crystal state of the penetrating electrode structure is capable of being changed due to a thermal energy applied from the heat radiating metallic electrode. The change of the crystal state of the penetrating electrode structure is restricted by the first phase change thin film.
Abstract translation: 提供了一种相变存储器及其制造方法，以通过使用穿透电极结构显着地减少功率消耗。 相变存储器包括第一相变薄膜和散热金属电极。 第一相变薄膜（14）包括穿透电极结构（21），其中穿透电极结构穿透预定区域。 散热金属电极埋在穿透电极结构中。 穿透电极结构的晶体状态能够由于从散热金属电极施加的热能而变化。 穿透电极结构的晶体状态的变化受到第一相变薄膜的限制。
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公开(公告)号：KR100149130B1
公开(公告)日：1998-10-01
申请号：KR1019950025696
申请日：1995-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/70
Abstract: 본 발명은 기둥형 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판에 형성된 트렌치로 한정되는 제1및 제2기둥에서 에미터영역, 베이스영역 및 콜렉터영역이 형서되는 활성영역이 제1기둥으로 한정되고, 베이스 접속부에 의해 베이스영역과 폴리실리콘 베이스전극의 일부분이 전기적으로 연결되므로 접촉면적을 감소하여 베이스의 회성영역이 증가되는 것을 방지하며, 또한, 트랜지스터의 역방향동작시 콜렉터영역으로 사용되는 고농도의 에미터영역과 베이스영역이 고농도 접합을 이루지 않는다.
그리고, 에미터 영역의 상부에 CMP방법으로 자기정렬된 넓은 표면적을 갖는 폴리실리콘 에미터전극을 형성한다.
따라서, 트랜지스터의 활성영역이 제1기둥으로 한정되므로 에미터 및 콜렉터와 베이스 사이의 기생접합 캐패시턴스를 감소시킬 수 있으며, 베이스영역과 폴리실리콘 베이스전극 사이의 접촉면적을 감소시키므로 베이스의 외성영역이 증가되는 것을 방지하여 트렌지스터의 동작특성을 향상시킬 수 있고, 또한, 트랜지스터의 역방향동작시 순방향동작시와 유사한 전류이득을 얻을 수 있다.
그리고, 넓은 표면적을 갖는 폴리실리콘 에미터전극이 에미터영역과 자기정렬되므로 에미터전극을 형성하기 위한 접촉 개구의 형성이 용이하다.-
公开(公告)号：KR100128036B1
公开(公告)日：1998-04-02
申请号：KR1019930027024
申请日：1993-12-09
IPC: H01L27/04
Abstract: A structure of low power devices such as pillar-type bipolar transistors having bi-directional moving characteristics and method thereof is provided to improve parasitic junction capacitance. The method comprises the steps of: forming a first oxide(2) on a P-type semiconductor substrate(1); defining three transistor region(4) and defining a silicon region(3) by etching the P-type silicon substrate using the difference of the etching selectivity between the first oxide(2) and the substrate(1); forming a base region(8) positioned between a first N-type impurity layer(5) and a second N-type impurity layer(17) by depositing a polysilicon; and forming a base electrode(12) filled in an etched silicon substrate(1), thereby forming bipolar transistor having three pillar. Thereby, it is possible to decrease the parasitic junction capacitance.
Abstract translation: 提供诸如具有双向移动特性的柱型双极晶体管等低功率器件的结构及其方法，以改善寄生结电容。 该方法包括以下步骤：在P型半导体衬底（1）上形成第一氧化物（2）; 通过使用第一氧化物（2）和衬底（1）之间的蚀刻选择性的差异蚀刻P型硅衬底来限定三晶体管区域（4）并限定硅区域（3）; 通过沉积多晶硅形成位于第一N型杂质层（5）和第二N型杂质层（17）之间的基极区（8）; 以及形成填充在蚀刻硅衬底（1）中的基极（12），从而形成具有三个柱的双极晶体管。 由此，能够减小寄生接合电容。
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公开(公告)号：KR1019970054341A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950050517
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/70
Abstract: 본 발명은 바이폴라 트랜지스터의 구조에 관한 것으로 특히, 소자의 활성 영역과 콜렉터 영역을 한정하는 소정 깊이의 트랜치와, 이 각각의 트랜치 내에 실리콘 기둥의 갖는 제1도전형의 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 트랜치 내의 하단과 콜렉터 영역의 실리콘 기둥에 상기 반도체 기판을 형성하는 제1도전형과 다른 제2도전형의 고농도의 불순물 확산이 이루어진 불순물 확산 영역과; 상기 활성 영역의 실리콘 기둥 상단에 상긱 제2도전형과 동일 도전형의 고농도의 불순물 확산이 이루어진 불순물층의 에미터 영역과; 상기 활성 영역의 실리콘 기둥 하단에 형성된 불순물 확산 영역과 실리콘 기둥 상단에 형성된 상기 에미터 영역의 중간에 상기 제1도전형과 동일 도전형의 불순물 확산이 이루어진 불순물층의 베이스 영역과; 상기 콜렉터 영역의 실리콘 기둥에 상기 제2도전형과 동일 도전형의 고농도의 불순물 확산이 이루어진 불순물층의 콜렉터 영역과; 상기 활성 영역의 트랜치 영역에 매립된 형태의 제1도전형의 다결정 실리콘 베이스 전극과; 상기 다결정 실리콘 베이스 전극과 상기 반도체 기판을 전기적으로 격리시키기 위해 상기 트랜치내에 형성된 산화막; 및 상기 베이스 영역과 다결정실리콘 베이스 전극의 일부분을 전기적으로 연결하는 베이스접속부로 구성되고 상기 각각의 전극을 금속 전극으로 구성하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 구조 및 그 제조방법을 제공하면 실리콘 에피층을 사용하지 않았으며, 소자 격리를 위한 고정이 필요없다.
또한 베이스 전극이 트랜치 영역에 의하여 자동으로 정의되며, 콜렉터 전극은 불순물 확산에 의해 자동 연결되어, 제조공정이 단순하며, 소자 크기가 매주 작은 바이폴라 트랜지스터 구조이다.
그리고, 베이스 전극을 벽면에서 일정 위치에 일부분만 접촉시키므로 베이스의 기생 캐패시턴스가 작으며, 양방향 동작 특성을 갖고 있으므로 고속, 고집적의 ECL회로에 매우 유용하게 응용될 수 있는 구조이다.
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