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公开(公告)号：KR1019940014928A
公开(公告)日：1994-07-19
申请号：KR1019920023352
申请日：1992-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B29/38
Abstract: 본 발명은 III-V 화합물 반도체 중에서 청록색의 빛을 나타낼 수 있는 GaN(갈륨나이트라이드) 단결정 반도체 박막의 제조 방법에 관한 것으로, GaAs를 400℃이상의 온도로 가열할때 GaAs의 표면으로 부터 As원자가 빠져 나오는 현상을 이용하는 것으로, 이 상황에서 NH
3 (암모니아 가스)의 플라즈마 상태의 분압을 이용하여 N원자를 첨가시킴으로써, As가 빠져나온 자리를 N원자로 치완하여 GaN단결정 반도체 박막을 성장시키는 제조방법이다.-
公开(公告)号：KR1019930022622A
公开(公告)日：1993-11-24
申请号：KR1019920006001
申请日：1992-04-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/00
Abstract: 본 발명은 높은 모빌리티(mobility)와 조절 가능한 면전하 미도(controllable sheet carrier density)를 가지는 2차원 전자기체(2dimensional electron gas)를 조셉슨 접합(Josephson junction)으로 이용함으로써, 용이한 소자 제작 및 소자 자체의 신뢰성및 조절성(reliability, controllability)이 높아지며, 게이트(gate)장착 또는 접합 부분(junction)구조의 변형을 통하여 새로운 소자 (device)의 개념도입이 가능하고, 확립된 최첨단의 기술의 보유하고 있는 반도체 2차원 전자기체를 이용함으로써, 초전도체와 반도체간의 접합이 가능하여 집접회로(integrated cureuit)의 구현이 용이하므로 마이크로 파 또는 밀리미터파의 소스 및 디렉터, 트랜지스터와 같은 소자로서의 응용성이 매우 높다.
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公开(公告)号：KR1019930006036B1
公开(公告)日：1993-07-01
申请号：KR1019900018583
申请日：1990-11-16
Abstract: The system provides a common channel signal processing function between the exchanges, corresponding to CCITT No.7. The system comprises: message transfer signal processing unit (1); B- bus (6) for information exchanging between processors, interworking processing unit (2) to control ISDN subscriber and trunk line, and call process informations; CEPT trunk control unit (3) for selecting a specificinter exchanging channel; CEPT digital trunk unit (4) for interfacing between exchanges; line multiplexing unit (5) for multiplexing switching channels to provide level 3 module communication between signaling points.
Abstract translation: 系统在交换机之间提供公共信道信号处理功能，对应于CCITT No.7。 该系统包括：消息传送信号处理单元（1）; 用于处理器之间的信息交换的B-总线（6），用于控制ISDN用户和中继线的互通处理单元（2）和呼叫处理信息; CEPT中继控制单元（3），用于选择特定指配交换通道; CEPT数字中继单元（4），用于交换机之间的接口; 线路复用单元（5），用于多路复用交换信道以在信令点之间提供3级模块通信。
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公开(公告)号：KR1019930006031B1
公开(公告)日：1993-07-01
申请号：KR1019900014326
申请日：1990-09-12
Abstract: The message transfer part (MTP) system transplants common channel signalling (CCS) number 7 protocol to TDX-1 family. The MTP system includes a level 3 function controller (20) for executing signal network function, a memoy (30) connected to a VME bus, a message input/output unit (40) for analyzing message transmitted from the level 3 function controller through a VME bus and for sending message transmitted from external equipments to the level 3 function controller (30), a B-bus (70) for connecting the message input/output unit (40) to a DTLP, a STG bus (50) for connecting signal network function unit and a signal link function unit, and terminal (10) connected to the message input/output unit (40) and a data link concentrator.
Abstract translation: 消息传送部分（MTP）系统向TDX-1系列移植了公共信道信令（CCS）7协议。 MTP系统包括用于执行信号网络功能的级别3功能控制器（20），连接到VME总线的记忆板（30），用于分析从层3功能控制器发送的消息的消息输入/输出单元（40） VME总线，用于将从外部设备发送的消息发送到级别3功能控制器（30），用于将消息输入/输出单元（40）连接到DTLP的B总线（70），用于连接的STG总线 信号网络功能单元和信号链路功能单元，以及连接到消息输入/输出单元（40）的终端（10）和数据链路集中器。
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公开(公告)号：KR100912111B1
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：KR1020070100558
申请日：2007-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/098 , H01L27/095 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/0673
Abstract: 본 발명은 소스 및 드레인 전극이 금속실리사이드로 구성되고, 나노선을 채널로 이용하는 쇼트키 장벽 나노선 전계 효과 트랜지스터(Schottky Barrier Nano Wire Field Effect Transistor) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판에서 부양되어(suspended) 나노선으로 형성된 채널; 상기 채널의 양끝단과 전기적으로 연결되어 상기 기판 상부에 금속실리사이드로 형성된 소스 및 드레인 전극; 상기 채널을 둘러싸는 형태로 마련된 게이트전극 및 상기 채널과 게이트전극 사이에 형성된 게이트절연막을 포함하는 쇼트키 장벽 나노선 전계 효과 트랜지스터를 제공한다.
나노선, 탄소나노튜브, 금속실리사이드, 트랜지스터, 쇼트키 장벽-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100883350B1
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：KR1020070096342
申请日：2007-09-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/47 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 소스 및 드레인 전극을 촉매로 하여 채널영역을 결정화시킬 수 있는 쇼트키 장벽 박막 트랜지스터(Schottky Barrier Thin Film Transistor) 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 쇼트키 장벽 박막 트랜지스터의 제조방법은 기판 상부에 비정질실리콘 활성층을 형성하는 단계; 상기 비정질실리콘 활성층의 채널영역과 쇼트키접합(schottky junction)을 형성하도록 소스 및 드레인 전극을 금속실리사이드로 형성하는 단계 및 상기 소스 및 드레인 전극을 촉매로 하여 상기 채널영역의 비정질실리콘을 폴리실리콘으로 결정화시키는 단계를 포함하고 있으며, 이를 통하여 공정과정을 단순화시킬 수 있으며, 공정비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
비정질실리콘, 폴리실리콘, 쇼트키장벽, 박막트랜지스터, 결정화-
公开(公告)号：KR1020080052315A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070093044
申请日：2007-09-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/338
Abstract: A schottky barrier tunnel transistor is provided to lower the driving voltage of a semiconductor device and improve an operation speed by preventing a depletion phenomenon from occurring between a gate electrode and a gate insulation layer. A gate insulation layer(230) made of a metal oxide is formed on a channel region(260) of a silicon substrate. A gate electrode(240) made of a metal material is formed on the gate insulation layer. A source/drain electrode(220) made of metal silicide is formed on the silicon substrate, self-aligned with both sides of the gate electrode. The upper area of the channel region can be the same as the lower area of the gate electrode.
Abstract translation: 提供肖特基势垒隧道晶体管以降低半导体器件的驱动电压，并且通过防止在栅电极和栅极绝缘层之间发生耗尽现象来提高操作速度。 在硅衬底的沟道区（260）上形成由金属氧化物构成的栅极绝缘层（230）。 在栅极绝缘层上形成由金属材料制成的栅电极（240）。 在硅衬底上形成由金属硅化物制成的源极/漏极（220），与栅电极的两侧自对准。 沟道区域的上部区域可以与栅电极的下部区域相同。
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38.发明公开
公开(公告)号：KR1020080052294A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070082205
申请日：2007-08-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N33/5308 , C12Q1/6825 , G01N33/54313 , G01N33/54393 , Y10T436/143333 , B82Y15/00
Abstract: Substrates for analyzing the coverage of self-assembled molecules are provided to measure efficiently the presence and reaction degree of functional groups on the surface of self-assembled molecules by using nanoparticles without use of complicated methods such as FT-IR(Fourier Transform InfraRed), XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) and fluorescence method. A substrate for analyzing the coverage of self-assembled molecules comprises: a substrate(100) for immobilizing biomaterials; a self-assembled molecule layer(102) formed on the substrate and having a functional group capable of reacting with an amine group; a capture DNA molecule(200) having the amine group to be combined with the self-assembled molecule layer; and a probe DNA molecule combining with the capture DNA molecule and having nanoparticles on the surface, wherein the functional group capable of reacting with an amine group is -SH, -NH2, -Si(OCH3)3, -Si(OC2H5)3 and -Si(Cl)3. Further, the substrate(100) for immobilizing biomaterial is one selected from a group consisting of glass, polycarbonate, polyester, polyethylene, polypropylene and wafer.
Abstract translation: 提供用于分析自组装分子覆盖的底物，通过使用纳米粒子，有效地测量自组装分子表面官能团的存在和反应程度，而不使用复杂的方法，如FT-IR（傅立叶变换红外） XPS（X射线光电子能谱）和荧光法。 用于分析自组装分子的覆盖的基板包括：用于固定生物材料的基底（100）; 形成在所述基板上并具有能够与胺基反应的官能团的自组装分子层（102）; 具有与自组装分子层结合的胺基的捕获DNA分子（200）; 和与捕获DNA分子结合并在表面上具有纳米颗粒的探针DNA分子，其中能与胺基反应的官能团为-SH，-NH2，-Si（OCH3）3，-Si（OC2H5）3和 -Si（CL）3。 此外，用于固定生物材料的基板（100）选自由玻璃，聚碳酸酯，聚酯，聚乙烯，聚丙烯和晶片组成的组中的一种。
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公开(公告)号：KR1020080051030A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020070100558
申请日：2007-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/098 , H01L27/095 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/0673
Abstract: A schottky barrier nano-wire field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to secure thermal stability by forming a source/drain electrode using metal silicide when the source/drain electrode is jointed to a nano-wire. A channel(140) made of nano-wire is formed on a substrate(100). A source/drain electrode(150) made of metal silicide is formed on the upper surface of a substrate, and is electrically connected to both ends of the channel. A gate electrode(170) is formed to enclose the channel, and a gate insulating layer(160) is formed between the channel and the gate electrode. The nano-wire is made of any one selected from a group consisting of ZnO, V2O5, GaN and AlN.
Abstract translation: 提供肖特基势垒纳米线场效应晶体管及其制造方法，用于通过在源/漏电极连接到纳米线时通过使用金属硅化物形成源极/漏极来确保热稳定性。 在衬底（100）上形成由纳米线制成的通道（140）。 由金属硅化物制成的源极/漏极（150）形成在衬底的上表面上，并且电连接到沟道的两端。 形成栅电极（170）以包围沟道，并且在沟道和栅电极之间形成栅极绝缘层（160）。 纳米线由选自ZnO，V2O5，GaN和AlN的任何一种制成。
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公开(公告)号：KR100789922B1
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020060118985
申请日：2006-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/78 , H01L29/0847 , H01L29/665
Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device manufactured using the same are provided to form a semiconductor device to which a metal silicide is adopted without a space structure by forming a gate electrode with a conductive compound. A gate dielectric is formed on a substrate(10). A conductive compound, which is not reacted with a metal layer to be formed through a subsequent process, is formed on the gate dielectric. The conductive compound and the gate dielectric are etched to form a gate electrode(12A). The metal layer is formed on a top of the substrate including the gate electrode. The metal and silicon contained in the substrate are reacted to form a source and drain region(14) comprised of a metal silicide layer on the substrate exposed at both sides of the gate electrode. After forming the metal silicide layer, the remaining metal layer which is not reacted with the silicon is removed.
Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法和使用其制造的半导体器件，以形成通过形成具有导电化合物的栅电极而不具有空间结构的金属硅化物的半导体器件。 在基板（10）上形成栅极电介质。 在栅极电介质上形成导电化合物，其不与通过后续工艺形成的金属层反应。 蚀刻导电化合物和栅极电介质以形成栅电极（12A）。 金属层形成在包括栅电极的基板的顶部上。 包含在基板中的金属和硅被反应以形成由栅极电极的两侧露出的基板上的金属硅化物层构成的源区和漏区（14）。 在形成金属硅化物层之后，除去未与硅反应的剩余金属层。
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