公开(公告)号：KR1020000065445A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990011744

申请日：1999-04-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  이진호 ,  정해빈 ,  조경익

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A mask structure for forming a field emission display(FED) tip is provided to form a fine pattern having a regular arrangement, by having patterns of 90 degree phase adjustment material perpendicular to each other or intersecting each other by an arbitrary angle, so that a phase adjustment of 90, 180 or 0 degree is made. CONSTITUTION: In a mask structure for patterning a fine hole for a field emission display(FED) tip by a contact or approach exposure method, phase adjustment materials of 90 degree are perpendicular to each other without chrome on a mask field. An FED tip pattern is formed which has a single layer portion of 90 degree phase adjustment material, an intersected portion of two layers and a portion having no phase adjustment material, so that a phase adjustment of 90, 180 or 0 degree is possible in the mask field. An alignment mark portion on the mask is composed of 180 degree phase adjustment material.

Abstract translation: 目的：提供用于形成场致发射显示（FED）尖端的掩模结构，以形成具有规则布置的精细图案，通过使90度相位调整材料的图案彼此垂直或彼此相交任意角度，因此 进行90度，180度或0度的相位调整。 构成：在通过接触或接近曝光方法对场发射显示（FED）尖端图案化细孔的掩模结构中，90度的相位调整材料在掩模场上不具有铬。 形成FED尖端图案，其具有90度相位调整材料的单层部分，两层的相交部分和不具有相位调整材料的部分，使得在90度，180度或0度的相位调整可以在 掩码字段。 掩模上的对准标记部分由180度相位调整材料组成。

公开(公告)号：KR100268177B1

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：KR1019980023758

申请日：1998-06-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 손영준 ,  김도훈 ,  정해빈 ,  박흥옥 ,  김보우

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 반도체 소자용 노광장비에서 레티클 또는 웨이퍼의 정렬마크를 조사하는 정렬광에 대하여 정렬마크를 상대적으로 이동시켜 레티클 또는 웨이퍼를 원하는 위치에 정렬시키는 방법에 있어서, 정렬광이 상대적으로 이동하는 방향의 중심선을 기준으로 위쪽과 아래쪽으로 치우치면서 정렬광 이동 방향으로 일정한 거리를 두고 정렬마크를 배치하여, 정렬마크에 대하여 정렬광이 상대적으로 이동할 때 시간적으로 차이를 갖는 두 개 이상의 정렬신호를 얻고, 정렬신호들의 상대적인 강도와 정렬신호들 사이의 시간 간격을 이용하여 레티클 또는 웨이퍼의 상대적인 위치를 정렬해주는 정렬마크의 형태와 방법을 제안한다. 본 발명의 정렬마크 및 정렬방법을 이용하면 정렬광의 이동 방향의 위치 정렬 뿐만 아니라 정렬광 이동 방향에 수직인 방향의 위치 정렬 및 회전에 대한 위치 정렬도 가능하며 정렬을 위한 방향도 검출할 수 있다.

公开(公告)号：KR100248394B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970072632

申请日：1997-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  손영준 ,  권진혁 ,  정해빈 ,  김보우

IPC: G03H1/22

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제작을 위한 스텝퍼나 스캐너의 TTL 정렬 장치에 있어서 내부 전반사형 홀로그래피(total internal reflection holography) 방식에 의한 위상공액파(phase conjugate wave)를 발생시켜 색수차를 보정하는 TTL 정렬을 수행하는 장치에 관한 것이다. 홀로그래피 방법 가운데 특히 내부 전반사형 홀로그래피는 구조가 간단하여 정렬계 구성에 있어서 유리하며 참조광이 광학계에 미치는 영향이 없으므로 반도체 노광장비의 투영광학계에 대한 영향이 적다는 장점이 있다. 이러한 기술을 근거로 하여 ArF 엑시머 레이저의 광을 노광 광원으로 사용하는 웨이퍼 스텝퍼에서 레티클과 웨이퍼의 위치를 직접 정렬하도록 하는 것으로 노광광원에 의한 마스크의 패턴을 굴절되도록 하는 입사 굴절광학계(102)와 반사경(103) 및 편광 빛 분할기(104)와; 상기 패턴을 웨이퍼로 축소 투영시키는 오목 반사경(105)과 출사 광학계(106)와; 아르곤 레이저(110)의 광원으로 부터 파이버를 통해 입사되는 TTL 정렬수단과; 상기 TTL 정렬수단에 의해 반사-굴절 시스템 내로 투영되는 정렬광(111)은 웨이퍼 정렬광(112)과 레티클 정렬광(114)으로 나뉘어져서 각각 레티클(108)과 웨이퍼(107)로 투영되도록 하는 편광 빛 분할기(104)와; 상기 아르곤 레이저(110)로 부터 내부 전반사형 홀로그래픽 TTL 정렬수단까지 정렬광을 전달하도록 하는 단일모드 파이버(202)로 구성되며, 상기 TTL 정렬수단은 내부 전반사형 홀로그램 정렬계(200)를 이용하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019990052160A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970071609

申请日：1997-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  차한선 ,  김종수 ,  정해빈 ,  김보우

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 균일한 폭을 가지는 금속막의 패터닝 방법을 제공한다.
본 발명은 단차를 가지는 금속배선 형성용 금속막상에 반사방지막으로서 산화막과 금속막을 적층하고, 금속막상에 포토레지스트를 도포한 상태에서 노광공정을 수행하여, 포토 레지스트 패턴을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 금속막을 패터닝한다.
본 발명은 금속막상에 반사 방지막을 형성하고 포토리소그래피 공정을 수행하는 것에 의해 균일한 폭을 가지는 금속배선을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990051290A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970070578

申请日：1997-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이각현 ,  김종수 ,  김도훈 ,  최상수 ,  정해빈 ,  김보우

IPC: G02B1/00

Abstract: 본 발명은 광 투과율이 적고 광 반사율이 커서, 193nm 파장의 ArF 엑시머 레이저를 조명 광원으로 사용한 광학계에 적용 가능한 만진 미러를 제공하고자 하는 것으로, 이를 위한 본 발명의 만진 미러는 투명기판; 상기 투명기판 상에 형성되고, 고굴절률 박막 및 저굴절율 박막이 교대로 반복 적층되며 최하부 및 최상부 층에 고굴절률 박막을 갖는 적층 박막; 및 상기 적층 박막상에 형성되어, 상기 적층 박막을 통과한 광을 흡수하는 박막을 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR100204578B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960038191

申请日：1996-09-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이각현 ,  김도훈 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 굴절능을 반사경에 집중시켜 넓은 대역폭의 광원을 사용할 수 있도록 구성한 광학계(optical system)에 관한 것이다.
광학계를 구성하는 렌즈의 수와 전체 렌즈들의 두께를 줄일 수 있는 본 발명은 광원후단에 위치하며, 4장의 렌즈로 이루어진 제1렌즈군과, 제1렌즈군의 후단에 위치하며 4장의 렌즈로 이루어진 제2렌즈군과, 제2란제군 후단에 위치하며, 2개의 프리즘으로 이루어진 편광선속분할기와, 편광선속분할기 후단에위치하는 파장평판 및 주 반사경과, 파장평판 하단에 위치되어 광이 조사되는 물체면과 대응하는 5장의 렌즈로 이루어진 제3렌즈군으로 구성된다.

公开(公告)号：KR100174868B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019940033475

申请日：1994-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  이각현 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 반도체 노광장비인 웨이퍼 스테퍼의 웨이퍼 정렬방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 레이저 광원으로는 He-Ne 레이저 대신에 자기장에 의한 에너지 띄의 미세분리 효과를 이용한 제만(Zeeman) 레이저로서 두 광파가 수 MHz의 상이한 주파수 차를 가지며 두 광파의 편광이 항상 수직을 유지하는 제만 주파수 안정화 레이저를 사용하여 정렬광의 위상과 레이저 기준신호의 위상을 비교함으로써 수십 KHz의 상이한 주파수 차를 가지는 두 광파로 분리하기 위해서 광-음향 변조기(acousto-optic modulator)를 사용해야 하는 종래의 He-Ne 레이저에 비해 비교적 간단한 광학계로 빠른 정렬과 높은 정렬 정밀도를 달성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100160907B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950052662

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  전영진 ,  정해빈 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 X-선 마스크 제작공정중 실리콘의 습식식각시 웨이퍼의 외주연 부분이 식각액과 접촉하는 것을 방지하거나 웨이퍼의 일면에 실장된 소자가 식각액과 접촉하는 것을 방지할 수 있는 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척은 X-선 마스크 제작을 위한 실리콘 습식식각용 웨이퍼 척에 있어서, 단면에 L자 형상으로 절곡된 환 형상을 지니고 절곡된 평탄면의 중앙에는 O-링(11)이 부설되어 웨이퍼(50) 일면의 외주연 부분을 안착시키는 위한 하부 지지부(10); 및, 환 형상을 지니고 하면 중앙에 O-링(21)이 부설되며 상기한 하부 지지부(10)의 절곡면에 내설되어 웨이퍼(50) 타면의 외주연 부분을 고정하기 위한 상부 지지부(20)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100160544B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019940033474

申请日：1994-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 스텝퍼에 있어서 반도체 미세회로 패턴을 지닌 마스크와 패턴이 옮겨질 웨이퍼 사이를 정렬하는 정렬장치 및 그 방법에 관한 것으로 웨이퍼를 바로 노광위치에서 정렬을 수행하고 노광을 하며 또는 노광을 수행하는 동안에도 웨이퍼 정렬을 수행할 수 있으며 정렬광을 경사조명에 의한 웨이퍼 정렬방법으로써 off-axis 정렬방식에서 웨이퍼 스테이지의 base-line 오차가 근본적으로 발생하지 않도록 하는 웨이퍼 스텝퍼에서 정렬광의 경사조명에 의한 웨이퍼 정렬방법과 그 장치에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100129841B1

公开(公告)日：1998-04-03

申请号：KR1019940034388

申请日：1994-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이각현 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/30

Abstract: An optical system of an exposure unit which is used at a line width control process of a semiconductor element manufacturing is disclosed. The optical system comprises a first lens group(30) arranged around a beam axis; a reflection mirror(40) for reflecting the beam passed from the first lens group(30); a total reflection mirror(50) for reflecting the beam from the mirror(40) so as to enable the reflected beam to proceed the outer line of the mirror(40); and a second lens group(60) enabling the beam passed from the total reflection mirror(50) to proceed a recording medium.

Abstract translation: 公开了一种在半导体元件制造的线宽控制处理中使用的曝光单元的光学系统。 光学系统包括围绕光束轴布置的第一透镜组（30）; 用于反射从第一透镜组（30）通过的光束的反射镜（40）; 用于反射来自反射镜（40）的光束以使反射光束能够进入反射镜（40）的外线的全反射镜（50）; 以及第二透镜组（60），其使得能够从全反射镜（50）通过的光束进行记录介质。