公开(公告)号：WO2009067983A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：PCT/DE2008/001882

申请日：2008-11-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  PETER, Matthias

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  PETER, Matthias

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine LED, die eine strahlungsemittierende aktive Schicht (7), einen n-Kontakt (10), einen p-Kontakt (9) und eine Stromaufweitungsschicht (4) aufweist, angegeben. Die Stromaufweitungsschicht (4) ist zwischen der aktiven Schicht (7) und dem n-Kontakt (10) angeordnet. Ferner weist die Stromaufweitungsschicht (4) eine sich mehrfach wiederholende Schichtfolge auf, die mindestens eine n-dotierte Schicht (44), eine undotierte Schicht (42) und eine Schicht aus Al x Ga 1-x N (43), mit 0 x Ga 1-x N (43) weist einen Konzentrationsgradienten des Al-Gehalts auf.

Abstract translation: 它包括一个发射辐射的有源层（7），n接触（10），p接触（9）和一个电流扩散层（4）表示的LED。 活性层之间的电流扩散层（4）（7）和设置成n接触（10）。 此外，电流扩散层（4）具有层的多次重复的序列，包括至少一个n型掺杂层（44），未掺杂层（42）和的AlxGa1-Xn中的一个层（43）中，用0 X嘎1-X N（43） 具有Al含量的浓度梯度。

公开(公告)号：WO2009006870A2

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：PCT/DE2008/001039

申请日：2008-06-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias ,  PETER, Matthias ,  STRAUSS, Uwe

Inventor： STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias ,  PETER, Matthias ,  STRAUSS, Uwe

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/32 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34333

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit einer Kontaktschicht (3) und einer aktiven Zone (7) angegeben, wobei der Halbleiterkörper einen zwischen der Kontaktschicht und der aktiven Zone angeordneten Tunnelübergang (4) aufweist und die aktive Zone eine Mehrfachquantentopfstruktur aufweist, die mindestens zwei aktive Schichten (71) enthält, die bei Einprägen eines Betriebsstroms in den Halbleiterkörper elektromagnetische Strahlung emittieren.

Abstract translation:

这是一个辐射Halbleiterk＆OUML;指定体与接触层（3）和有源区（7），其中，所述Halbleiterk＆OUML;主体上的设置在接触层和所述有源区的隧道导航用途过渡（4）之间 并且所述有源区包括多量子阱结构，所述多量子阱结构包括至少两个有源层（71），所述至少两个有源层在暴露于所述半导体本体

公开(公告)号：WO2008131735A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：PCT/DE2008/000702

申请日：2008-04-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ENGL, Karl ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias

Inventor： ENGL, Karl ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (23) aufweist, und einer ersten und einer zweiten elektrischen Anschlussschicht (4, 6) angegeben, wobei der Halbleiterkörper zur Emission elektromagnetischer Strahlung von einer Vorderseite vorgesehen ist, die erste und die zweite elektrische Anschlussschicht an einer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite angeordnet und mittels einer Trennschicht (5) elektrisch gegeneinander isoliert sind, die erste elektrische Anschlussschicht (4), die zweite elektrische Anschlussschicht (6) und die Trennschicht (5) lateral überlappen, und sich ein Teilbereich der zweiten elektrischen Anschlussschicht (6) von der Rückseite durch einen Durchbruch (3) der aktiven Schicht (23) hindurch in Richtung zu der Vorderseite hin erstreckt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Halbleiterkörpers angegeben.

Abstract translation: 它具有的半导体层序列（2）适合于产生电磁辐射活性层（23），以及第一和第二电连接层的器件的光电子半导体本体（4,6），其中，所述半导体主体，用于从发射电磁辐射 前侧设置，所述第一和第二电连接层上背面设置在前相反的一侧，并通过分离层的装置（5）彼此电绝缘，所述第一电连接层（4），所述第二电连接层（6）和所述分离层（5 ）横向重叠，并通过成朝向前的方向上的有源层（23）的开口（3）延伸的从后第二电连接层（6）的至少一部分。 此外，被指示用于制造这样的光电子半导体本体的方法。

公开(公告)号：WO2017045996A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/EP2016/071206

申请日：2016-09-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066

Abstract: Es werden ein Träger (10) und ein optoelektronisches Bauelement (100) mit dem Träger (10) angegeben, wobei der Träger (10) einen Formkörper (5), zumindest einen Durchkontakt (41, 42) und eine Mehrzahl von Verstärkungsfasern (52) aufweist, wobei der Formkörper (5) aus einem elektrisch isolierenden Formkörpermaterial (53) gebildet ist, der Durchkontakt (41, 42) aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet ist, und die Verstärkungsfasern (52) eine mechanische Verbindung zwischen dem Formkörper (5) und dem Durchkontakt (41, 42) vermitteln, indem die Verstärkungsfasern (52) jeweils bereichsweise in dem Formkörper (5) und bereichsweise in dem Durchkontakt (41, 42) angeordnet sind. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers oder eines Bauelements mit einem solchen Träger angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种载体（10）和与所述支撑件（10）的光电元件（100），所述载体（10）的成型体（5），通孔（41，42）和多个加强纤维中的至少一个（52） ，其特征在于，电绝缘模制体材料（53）的模制体（5）被形成时，通过（41，42）是由导电材料形成，和增强纤维（52）的成型体之间的机械连接（5）和 通孔（41，42）传送，由增强纤维（52）的每个部分中的模制体（5）和部分地位于经由被布置（41,42）。 此外，产生载体的方法或部件由这样的载体表示。

公开(公告)号：WO2017009281A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/EP2016/066418

申请日：2016-07-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUR, Johannes ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  HÖPPEL, Lutz ,  MAUTE, Markus ,  SCHWARZ, Thomas ,  SABATHIL, Matthias ,  WIRTH, Ralph ,  LINKOV, Alexander

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil(10) angegeben umfassend einen Licht emittierenden Halbleiterkörper (1) mit einer Abstrahlseite (1a), eine Stromaufweitungsschicht (2), welche an der Abstrahlseite (1a) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist und diese zumindest teilweise abdeckt, wobei die Stromaufweitungsschicht (2) ein für das vom Halbleiterkörper (1) abgestrahlte Licht transparentes elektrisch leitfähiges Material (2a) und Partikel(2b) eines weiteren Materials umfasst, und einen elektrischen Kontakt (3), welcher auf einer dem Halbleiterkörper (1) abgewandten Seite (2c) der Stromaufweitungsschicht (2) angeordnet ist.

Abstract translation: 它是一种光电子半导体器件（10），提供一种包括发射光的半导体主体（1）与放射侧（1a）中，电流扩散层（2），其在所述半导体主体（1）的出射侧（1a）和覆盖其至少部分地， 其中，所述电流扩展层（2）包括一个由半导体本体照射的（1）光透明的导电材料（2a）和粒子（2b）的另一种材料，和一个电触点（3），其从半导体本体背向的（1） 的侧面（2c）的所述电流扩散层（2）。

公开(公告)号：WO2016050605A2

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：PCT/EP2015/071996

申请日：2015-09-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRES, Alexander ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  BLEICHER, Thomas ,  LAUX, Harald ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C14/505 ,  C23C14/541 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  C23C16/483 ,  C23C16/52 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12

Abstract: Es wird ein Verfahren für das Aufwachsen von Halbleiterschichten angegeben. Dabei wird in einem Schritt A ein Träger (1) bereitgestellt. In einem Schritt B wird zumindest ein Substrat (2) auf den Träger (1) aufgebracht. Ferner wird in einem Schritt C ein Aufwachsprozess ausgeführt, bei dem eine Halbleiterschichtenfolge (20) auf eine dem Träger (1) abgewandte Hauptseite des Substrats (2) aufgewachsen wird. Die fertig gewachsene Halbleiterschichtenfolge (20) emittiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetischer Strahlung. In einem weiteren Schritt D wird ein Temperaturmessprozess durchgeführt, bei dem ein Temperaturprofil (3) des Substrats (2), welches während des Aufwachsprozesses in dem Substrat (2) auftritt, bestimmt wird. Zusätzlich wird ein Schritt E ausgeführt, bei dem der Träger (1) und/oder das Substrat (2) vor oder während des Aufwachsprozesses gezielt bearbeitet werden. Dadurch wird die Temperatur in ausgesuchten Bereichen des Substrats (2) verändert und ein Emissionssprofil der fertig gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (20) geglättet.

Abstract translation: 公开了一种用于半导体层的生长的方法。 在这种情况下，在步骤A中，载体（1）设置。 在步骤B中，至少施加在所述支承件（1）的基板（2）。 此外，在步骤C中，生长过程中进行，其中从该衬底（2）的所述支承件（1）主侧背离的半导体层序列（20）生长。 在电磁辐射的正常操作所发出的准备生长半导体层序列（20）。 在进一步的步骤D中，进行的温度测量方法，其中所述基板（2）的温度分布（3），其在所述基板（2）的生长过程中发生被确定。 此外，执行步骤E中，其中所述载体（1）和/或所述衬底（2）被选择性地之前或在生长过程中进行处理。 其特征在于所述温度在所述基板（2）的选择区域改变并且平滑Emissionssprofil完全生长的半导体层序列（20）。

公开(公告)号：WO2014128003A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/EP2014/052336

申请日：2014-02-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK, Stefan ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  SABATHIL, Matthias ,  SCHWARZ, Thomas ,  VARGHESE, Tansen

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer Trägeroberfläche, wobei ein erster lateraler Abschnitt der Trägeroberfläche gegenüber einem zweiten lateralen Abschnitt der Trägeroberfläche erhaben ist, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche auf der Trägeroberfläche, wobei die erste Oberfläche der Trägeroberfläche zugewandt wird, und zum Ausbilden eines Formkörpers mit einer der Trägeroberfläche zugewandten Oberseite und einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite, wobei der Halbleiterchip zumindest teilweise in den Formkörper eingebettet wird.

Abstract translation: 一种制造光电器件的方法包括，相对于支撑表面的第二侧部的支撑表面的第一侧部上升时，提供具有支撑表面的支撑的步骤的配置具有所述支撑表面上的第一表面和第二表面的光电子半导体芯片 其中，所述支撑表面的第一表面朝向，以及用于形成具有面向上侧的支承面的模制体和上侧相对的下侧，其中，所述半导体芯片是至少部分地嵌入到模制体。

公开(公告)号：WO2014072256A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/EP2013/072946

申请日：2013-11-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/483 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H05K1/021 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/2054 ,  H01L2924/00014

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform beinhaltet das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Chipträger (2) mit elektrischen Kontakteinrichtungen (3) sowie mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (4), der zu einer Strahlungserzeugung eingerichtet ist und der auf dem Chipträger (2) mechanisch und elektrisch angebracht ist. Ein Bauteilträger (5) ist an dem Chipträger (2) befestigt. Der Halbleiterchip (4) befindet sich in einer Ausnehmung (54) des Bauteilträgers (5). Der Bauteilträger (5) ist elektrisch von dem Chipträger (2) und dem Halbleiterchip (4) isoliert. Es ist der Bauteilträger (5) aus einem Metall oder einer Metalllegierung geformt. An einer dem Chipträger (2) abgewandten Oberseite (50) ist der Bauteilträger (5) mit einer reflektierenden Beschichtung (55) versehen.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，光电子半导体器件（1）包括至少一个芯片载体（2），其具有电接触器件（3）和至少一个光电子半导体芯片（4），其适合于放射线生成和芯片载体上的（2）机械和电连接的 是。 分量载波（5）被安装在芯片载体（2）上。 半导体芯片（4）位于所述分量载波（5）的凹部（54）。 的分量载波（5）电气上与芯片载体（2）和半导体芯片（4）是分离的绝缘。 它由金属或金属合金的分量载波（5）形成。 提供了一种从所述芯片载体（2）（50）背向顶侧，分量载波（5）的反射涂层（55）。

公开(公告)号：WO2014033166A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/EP2013/067812

申请日：2013-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK, Stefan ,  SABATHIL, Matthias ,  SCHWARZ, Thomas ,  WEGLEITER, Walter

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauteil umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip, der in einen elektrisch isolierenden Formkörper mit einer Oberseite und einer Unterseite eingebettet ist. In den Formkörper ist außerdem ein Durchkontakt eingebettet, der eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der Oberseite und der Unterseite des Formkörpers bildet. Auf der Oberseite des Formkörpers ist eine reflektierende Schicht angeordnet, die eine elektrisch leitende Verbindung zwischen einem elektrischen Kontakt des Halbleiterchips und dem Durchkontakt bildet. Dabei bedeckt die reflektierende Schicht die Oberseite des Formkörpers zu mindestens 50 %.

Abstract translation: 的光电子半导体器件，包括被嵌入在具有顶部和底部的电绝缘模制体的光电子半导体芯片。 在模制体还包括经由被嵌入形成在顶部和成型的底部之间的导电连接。 对成型的上表面上，反射层被布置，其形成通过半导体芯片的电接触之间的导电连接。 在这种情况下，反射层覆盖所述成型至少50％的顶部。

公开(公告)号：WO2014029773A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/EP2013/067316

申请日：2013-08-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BUTENDEICH, Rainer ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50

CPC classification number: F21V9/30 ,  F21K9/64 ,  F21Y2113/13 ,  F21Y2115/10 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/504 ,  H01L2924/0002 ,  H05B33/14 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung (1) zur Erzeugung von weißem Licht (5) mit wenigstens zwei Licht emittierenden Dioden wobei die erste Diode (2) ausgebildet ist, um blaues Licht zu erzeugen, wobei der ersten Diode ein Konversionselement (4) zugeordnet ist, wobei das Konversionselement ausgebildet ist, um einen Teil des blauen Lichts der ersten Diode in grünes Licht zu wandeln, wobei das Konversionselement ausgebildet ist, um einen Teil des blauen Lichts der ersten Diode in rotes Licht zu wandeln, wobei die zweite Diode (3) vorgesehen ist, um rotes Licht zu emittieren.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置（1），用于与至少两个发光二极管，其中第一二极管（2）被配置为产生蓝色光，其中所述第一二极管与转换元件（4）相关联的产生白光（5）， 其中，所述转换元件适于将所述蓝色光的第一二极管成绿光的，其中所述转换元件适于将所述第一二极管成红色光的蓝色光的一部分转换的一部分转换，所述第二二极管（3）提供 是发射红光。