公开(公告)号：DE69723700D1

公开(公告)日：2003-08-28

申请号：DE69723700

申请日：1997-11-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： PASOTTI MARCO ,  ROLANDI PIER LUIGI ,  CANEGALLO ROBERTO ,  GERNA DANILO ,  CHIOFFI ERNESTINA

IPC: G11C11/56 ,  G11C27/00

Abstract: The programming method comprises the steps of: a) determining (140) a current value (Veff) of the threshold voltage (Vth); b) acquiring (100) a target value (Vp) of the threshold voltage; c) calculating (150) a first number of gate voltage pulses necessary to take the threshold voltage from the current value to the target value; d) applying (160) a second number (N2) of consecutive voltage pulses to the gate terminal of the cell, said second number being correlated to the first number and having a uniformly increasing amplitude; e) then measuring (170) a current value (Veff) of the threshold voltage; and repeating steps c) to e) until a final threshold value is obtained.

公开(公告)号：DE69629029D1

公开(公告)日：2003-08-14

申请号：DE69629029

申请日：1996-12-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： KRAMER ALAN ,  CANEGALLO ROBERTO ,  CHINOSI MAURO ,  GOZZINI GIOVANNI ,  ROLANDI PIER LUIGI ,  SABATINI MARCO

IPC: G11C29/00

公开(公告)号：DE69723227D1

公开(公告)日：2003-08-07

申请号：DE69723227

申请日：1997-04-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： GERNA DANILO ,  CANEGALLO ROBERTO ,  CHIOFFI ERNESTINA ,  PASOTTI MARCO ,  ROLANDI PIER LUIGI

IPC: G11C16/28 ,  G11C27/00 ,  G11C16/06

公开(公告)号：DE69613983T2

公开(公告)日：2002-04-04

申请号：DE69613983

申请日：1996-10-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： KRAMER ALAN ,  CANEGALLO ROBERTO ,  CHINOSI MAURO ,  GOZZINI GIOVANNI ,  LEONG PHILIP ,  ONORATO MARCO ,  ROLANDI PIER LUIGI ,  SABATINI MARCO

IPC: H03K5/08 ,  H03K19/00 ,  H03M1/36 ,  H03M1/46 ,  H03M1/00 ,  H03M1/50

公开(公告)号：IT1305181B1

公开(公告)日：2001-04-10

申请号：ITTO980961

申请日：1998-11-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： CANEGALLO ROBERTO ,  PASOTTI MARCO ,  ROLANDI PIER LUIGI ,  GUAITINI GIOVANNI

IPC: G11C16/12

Abstract: The device comprises a current mirror circuit having a first and a second node connected, respectively, to a constant current source and to a drain terminal of a memory cell to be programmed. A voltage generating circuit is connected to the first node to bias it at a constant reference voltage (VR); an operational amplifier has an inverting input connected to the first node, a non-inverting input connected to the second node, and an output connected to the control terminal of the memory cell. Thereby, the drain terminal of the memory cell is biased at the constant reference voltage, having a value sufficient for programming, and the operational amplifier and the memory cell form a negative feedback loop that supplies, on the control terminal of the memory cell, a ramp voltage (VPCX) that causes writing of the memory cell. The ramp voltage increases with the same speed as the threshold voltage and can thus be used to know when the desired threshold value is reached, and thus when programming must be stopped. The presence of a bias transistor between the second node and the memory cell enables use of the same circuit also during reading.

公开(公告)号：IT1305138B1

公开(公告)日：2001-04-10

申请号：ITTO980906

申请日：1998-10-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： CANEGALLO ROBERTO ,  PASOTTI MARCO ,  ROLANDI PIER LUIGI ,  GUAITINI GIOVANNI

IPC: G11C20060101

Abstract: Sense amplifier (6) has input and output coupled to data memory cell (2) and one of two inputs of comparators (20a-20k). Voltage sources (10a,10b) has two outputs to supply two different reference voltage levels to comparator. Resistive divider (18) with intermediate nodes (26a,26k) is coupled between two outputs of voltage sources (10a,10b) so that each node is coupled with input of comparators. Independent claims are also included for the following: (a) Analog to digital converter; (b) Method of converting input analog signal into digital output signal.

公开(公告)号：IT1303204B1

公开(公告)日：2000-10-30

申请号：ITTO981003

申请日：1998-11-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： CANEGALLO ROBERTO ,  PASOTTI MARCO ,  GUAITINI GIOVANNI ,  LHERMET FRANK ,  ROLANDI PIER LUIGI

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/12 ,  G11C27/00

公开(公告)号：ITTO980990A1

公开(公告)日：2000-05-25

申请号：ITTO980990

申请日：1998-11-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： CANEGALLO ROBERTO ,  GUAITINI GIOVANNI ,  PASOTTI MARCO ,  ROLANDI PIER LUIGI

IPC: G06K20060101 ,  G11C16/12

公开(公告)号：DE102016109878B4

公开(公告)日：2024-12-12

申请号：DE102016109878

申请日：2016-05-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： CRESCENTINI MARCO ,  TARTAGNI MARCO ,  ROMANI ALDO ,  CANEGALLO ROBERTO ,  MARCHESI MARCO ,  CRISTAUDO DOMENICO

IPC: G01R33/07 ,  H10N52/80

Abstract: Hall-Sensor, aufweisend:- ein planares Hall-Messelement (10), das einem Magnetfeld (B) ausgesetzt werden kann und eine das Magnetfeld anzeigende Hall-Spannung erzeugt, wenn es von einem elektrischen Strom durchflossen wird,- ein erstes Paar von Vorspannungselektroden (B1, B2), die einander über das Messelement (10) hinweg in einer ersten Richtung (D1) gegenüberliegen,- ein zweites Paar von Vorspannungselektroden (B3, B4), die einander über das Messelement (10) hinweg in einer zweiten Richtung (D2) gegenüberliegen, wobei die zweite Richtung (D2) zu der ersten Richtung (D1) orthogonal ist,- ein erstes Paar von Messelektroden (S1, S3), die einander über das Messelement (10) hinweg in einer dritten Richtung (D3) gegenüberliegen,- ein zweites Paar von Messelektroden (S2, S4), die einander über das Messelement (10) hinweg in einer vierter Richtung (D4) gegenüberliegen, wobei die vierte Richtung (D4) zu der dritten Richtung (D3) orthogonal ist, wobei die dritte (D3) und die vierte (D4) Richtung in Bezug auf die erste (D1) und die zweite (D2) Richtung rotationsmäßig um 45° versetzt sind, so dass eine jeweilige Messeelektrode (S1, S2, S3, S4) zwischen einer Vorspannungselektrode des ersten Paares (B1, B2) und einer Vorspannungselektrode des zweiten Paares (B3, B4) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102016109878A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE102016109878

申请日：2016-05-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： CRESCENTINI MARCO ,  TARTAGNI MARCO ,  ROMANI ALDO ,  CANEGALLO ROBERTO ,  MARCHESI MARCO ,  CRISTAUDO DOMENICO

IPC: G01R33/07 ,  H01L43/04

Abstract: Ein Hall-Sensor weist Folgendes auf: – ein planares Hall-Messelement (10), das einem Magnetfeld (B) ausgesetzt werden kann und eine das Magnetfeld anzeigende Hall-Spannung erzeugt, wenn es von einem elektrischen Strom durchflossen wird, – ein erstes Paar von Vorspannungselektroden (B1, B2), die einander über das Messelement (10) hinweg in einer ersten Richtung (D1) gegenüberliegen, – ein zweites Paar von Vorspannungselektroden (B3, B4), die einander über das Messelement (10) hinweg in einer zweiten Richtung (D2) gegenüberliegen, wobei die zweite Richtung (D2) zu der ersten Richtung (D1) orthogonal ist, – ein erstes Paar von Messelektroden (S1, S3), die einander über das Messelement (10) hinweg in einer dritten Richtung (D3) gegenüberliegen, – ein zweites Paar von Messelektroden (S2, S4), die einander über das Messelement (10) hinweg in einer vierter Richtung (D4) gegenüberliegen, wobei die vierte Richtung (D4) zu der dritten Richtung (D3) orthogonal ist. Die die dritte (D3) und die vierte (D4) Richtung sind in Bezug auf die erste (D1) und die zweite (D2) Richtung rotationsmäßig um 45° versetzt, so dass eine jeweilige Messeelektrode (S1, S2, S3, S4) zwischen einer Vorspannungselektrode des ersten Paares (B1, B2) und einer Vorspannungselektrode des zweiten Paares (B3, B4) angeordnet ist.