公开(公告)号：CN105453225A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480025344.6

申请日：2014-03-03

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： O·比尔 ,  J·D·斯威尼 ,  唐瀛 ,  R·S·雷

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01L21/2225

Abstract: 描述了用于掺杂物的注入的离子注入组合物、系统和方法。描述了具体的硒掺杂源组合物，以及并流气体用以实现在注入系统特征方面的优势的用途，所述注入系统特征为例如方法转变、束稳定性、源寿命、束均匀性、束流和购置成本。

公开(公告)号：CN103493171B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201280019911.8

申请日：2012-04-20

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 矢口纪惠 ,  渡部明 ,  大南佑介

IPC: H01J37/20

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J37/26 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/2003 ,  H01J2237/2065

Abstract: 本发明的电子显微镜用试样保持装置（80），具有：通过对上部隔膜保持部（20）、试样保持板（30）以及下部隔膜保持部（40）的3个部件进行组装而形成的试样保持组件（10）；可更换地保持该试样保持组件的保持部（80A）。试样保持组件具有在上部隔膜保持部的隔膜（25）与下部隔膜保持部的隔膜（45）之间形成的小室（15）和与该小室连接的流路（49a），将在试样保持板的突起部（31）上安装的试样（61）配置于小室内地构成。上部隔膜保持部的隔膜、试样以及下部隔膜保持部的隔膜，沿着电子束的光轴（11）配置。由此，能够提供在气体、液体等特殊环境中的显微镜观察中，易于进行特定部位的观察，且不需要每次观察时都进行隔膜更换等作业的电子束显微镜用试样保持装置。

公开(公告)号：CN103153858B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180049806.4

申请日：2011-08-16

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： R·凯姆 ,  J·D·斯威尼 ,  O·比尔 ,  S·N·耶德卫 ,  E·E·琼斯 ,  邹鹏 ,  唐瀛 ,  B·L·钱伯斯 ,  R·S·雷

IPC: C01B35/06 ,  C01B9/08

CPC classification number: C01B35/061 ,  C01P2006/88 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701 ,  Y02P20/134

Abstract: 本文涉及同位素富集的含硼化合物，含有两个或以上的硼原子和至少一个氟原子，其中至少一个硼原子含有所需的硼同位素，所述同位素的浓度或比例高于其天然丰度的浓度或比例。所述化合物可以具有化学式B2F4。本文描述了合成这些化合物的方法和使用这些化合物的离子注入方法，以及描述了贮存和分配容器，其中有利地含有所述同位素富集的含硼化合物用于随后的分配应用。

公开(公告)号：CN103170447B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201310020125.6

申请日：2006-08-30

Applicant: 先进科技材料公司

Inventor： 卡尔·M·奥兰德 ,  乔斯·I·阿尔诺 ,  罗伯特·凯姆

IPC: B05D3/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/46 ,  C23C14/48 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/082 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658

Abstract: 本发明涉及使用比三氟化硼更容易解离的含氟硼掺杂物质注入含硼离子的方法。本发明涉及制造半导体器件的方法，其包括使用比三氟化硼更容易解离的含氟硼掺杂物质注入含硼离子。本发明也揭示供应氢化硼前驱体的系统，形成氢化硼前驱体的方法和供应氢化硼前驱体的方法。在本发明的一个实施例中，产生所述氢化硼前驱体来用于团簇硼注入，以制造半导体产品，例如集成电路。

公开(公告)号：CN104347335A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410389960.1

申请日：2014-08-08

Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学

Inventor： 小堺智一 ,  松田修 ,  杉山安彦 ,  相田和男 ,  荒卷文朗 ,  八坂行人 ,  大庭弘

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/073

CPC classification number: H01J1/3044 ,  G01Q60/10 ,  G01Q60/16 ,  G01Q60/24 ,  G01Q70/08 ,  G01Q70/16 ,  H01J1/3048 ,  H01J37/073 ,  H01J37/08 ,  H01J37/21 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3002 ,  H01J2201/30415 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/006

Abstract: 本发明提供铱针尖、及使用铱针尖的离子源、电子源、显微镜和装置。本发明能够位置再现性良好地制作形成于铱针尖的前端部的前端为1个原子的角锥结构，既能够使得杂质不易附着，又能够长时间保持前端的1个原子。铱针尖在锐化的＜210＞方位的单晶的前端部具有角锥结构，该角锥结构的前端仅通过{210}方位的1个铱原子形成，该铱原子由1个{100}结晶面和2个{111}结晶面包围。将形成角锥结构的前端的1个铱原子作为第1层，第1层的正下方的第2层具有位于三角形的顶点的3个铱原子，第2层的正下方的第3层具有位于三角形的顶点和边的6个铱原子。

公开(公告)号：CN104285273A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380023331.0

申请日：2013-03-21

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具本雄 ,  理查尔·M·怀特 ,  史费特那·B·瑞都凡诺 ,  凯文·M·丹尼尔斯 ,  艾利克·R·科步 ,  大卫·W·皮特曼

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01L21/265 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/0825

Abstract: 处理基板的技术可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。

公开(公告)号：CN104103480A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410132480.7

申请日：2014-04-03

Applicant: FEI公司

Inventor： J.J.L.穆德斯 ,  R.T.J.P.格尔特斯 ,  P.H.F.特罗姆佩纳亚斯 ,  E.G.T.博世

IPC: H01J37/08

CPC classification number: C23C14/48 ,  G01N1/286 ,  G01N1/32 ,  H01J37/02 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/31732 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31742 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明涉及低能量离子铣削或沉积。样本必须在从晶片挖出所述样本之后被薄化，以形成具有例如20nm的厚度的薄片。这一般地通过在带电粒子设备中用离子进行溅射来完成。当将薄片铣削成这样的厚度时，问题是：薄片的一大部分由于离子的轰击而变成无定形的并且离子变得被注入样本中。本发明通过在GIS的毛细管（201）与样本（200）之间施加电压差并将离子或电子束（206）引导到气体喷射（207）来提供所述问题的解决方案。束从而使被加速至样本的气体电离，其中（当在样本与GIS之间使用低电压时）发生低能量铣削，并且因此几乎没有样本厚度变成无定形的。

公开(公告)号：CN104048103A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410061946.9

申请日：2014-02-24

Applicant: 艾姆斯特工程有限公司

Inventor： 赵汉重 ,  金相镐

IPC: F16K51/00 ,  F16L55/00

CPC classification number: F16K51/02 ,  F16K3/18 ,  H01J37/18 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/67017 ,  Y10T137/4245 ,  B08B5/00

Abstract: 根据本发明的真空截止阀包括：外罩部，设置于腔和腔洗涤气体供给部之间，形成用于连接腔和腔洗涤气体供给部使其相连通的管道；管道阻隔部，形成于管道的预定位置，用于选择性地阻隔管道；第一阻隔部，设置于外罩部，沿着第一方向移动并选择性地阻隔管道阻隔部的开放的第一面，确保腔和腔洗涤气体供给部保持相连通的状态；第二阻隔部，在第一阻隔部沿着第一方向移动的情况下，沿着第二方向移动并施压于第一阻隔部，确保腔和腔洗涤气体供给部保持相连通的状态，而在第一阻隔部沿着与第一方向相反的方向移动的情况下，沿着第二方向移动并通过第一面来插入到管道阻隔部，紧贴于第一面的对置面并阻隔管道，从而阻隔腔和腔洗涤气体供给部的连通。

公开(公告)号：CN103994987A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410055087.2

申请日：2014-02-18

Applicant: FEI公司

Inventor： A.P.J.M.波特曼 ,  C.J.扎奇列森

IPC: G01N21/64 ,  G01N21/76

CPC classification number: H01J37/226 ,  G01N21/64 ,  G01N21/6458 ,  G01N2021/6439 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/006

Abstract: 在样本表面处局部地提供蒸气以允许荧光标记在真空室内发荧光。例如，纳米毛细管可以在相关区域附近分配液体，该液体蒸发来增加荧光标记附近的蒸气压力。荧光标记处的蒸气压力的增加优选地足够大以防止去活化或者使荧光标记再活化，同时真空室内的总压力优选地足够低以允许带电粒子束在极少或没有附加排空抽吸的情况下操作。

公开(公告)号：CN102232241B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200980148112.9

申请日：2009-12-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具本雄 ,  维克多·M·本夫尼斯特 ,  克里斯多福·A·罗兰德 ,  奎格·R·钱尼 ,  法兰克·辛克莱 ,  奈尔·J·巴森

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/24514

Abstract: 一种利用受激及/或原子气体注入的离子源。在离子束应用中，可直接使用来源气体，如同已知的供应。另一方面或除此之外，来源气体可在引导至离子源处理室前藉由通过远端等离子源予以变换。这可用以产生受激中性粒子、重离子、亚稳态分子或多价离子。另一实施例中，使用多样的气体，其中一或多种气体通过远端等离子产生器。在某些实施例中，气体在供应给离子源处理室前于单一等离子产生器中予以组合。在等离子浸没应用中，等离子经由一或多个额外气体注入位置注入处理室。这些注入位置容许流入处理室外部的远端等离子源所产生的额外等离子。