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公开(公告)号:CN102468104B
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201110354511.X
申请日:2011-11-10
Applicant: FEI公司
Inventor: A.亨斯特拉
IPC: H01J37/05 , H01J37/153 , H01J37/09
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/06 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01J2237/0453 , H01J2237/053 , H01J2237/057 , H01J2237/31713
Abstract: 本发明公开了带有集成静电能量过滤器的带电粒子源。本发明涉及带有集成能量过滤器的带电粒子过滤器。其中所用的大部分过滤器具有高度弯曲的光轴,且因此使用具有难以制造的形式的部件,根据本发明的该源使用在直光轴周围的电极。令人吃惊的是,本发明者发现,倘若电极(114,116,120,122)中的一些形成为120°/60°/120°/60°,很可能使带电粒子束106a偏转离轴线104相当远,示出在能量选择狭缝108处显著的能量扩散,而不引入不能矫正的彗差或像散。这些电极能通过胶合或钎焊陶瓷而附连到彼此,且然后可例如通过火花腐蚀而形成高度同心的孔。
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公开(公告)号:CN104871286A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201380067226.7
申请日:2013-12-20
Applicant: 普莱克斯技术有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C14/34 , F17C13/04 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , C01B3/00 , C01B23/00 , C23C14/34 , F17C1/005 , F17C2201/0109 , F17C2201/0114 , F17C2201/035 , F17C2201/058 , F17C2203/0617 , F17C2205/0329 , F17C2205/0332 , F17C2205/0335 , F17C2205/0338 , F17C2205/035 , F17C2205/0385 , F17C2205/0391 , F17C2221/03 , F17C2223/0123 , F17C2225/038 , F17C2260/044 , F17C2270/0518 , F17C2270/0745 , H01J37/3002 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/31701 , Y02E60/321 , Y02E60/324 , Y10T137/2012 , F17C13/04 , H01J37/08 , H01J37/32
Abstract: 提供用于输送含CO的掺杂物气体组合物的供应源。所述组合物包括控制量的稀释剂气体混合物例如氙气和氢气,其各自以控制的体积比率提供以确保最佳的碳离子注入性能。所述组合物可包装为由含CO的供应源和稀释剂混合物供应源组成的掺杂物气体套件。备选地,所述组合物可预先混合并从单一来源引入,所述单一来源可响应沿排流路径所达到的负压条件而启动以允许掺杂物混合物从所述装置的内部体积受控流入离子源设备中。
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公开(公告)号:CN104835709A
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201410541752.9
申请日:2014-10-14
Applicant: 汉辰科技股份有限公司
Inventor: 罗伯特·凯姆 , 查尔斯·M·弗里 , 大卫·豪格伦德 , 威廉·P·普拉托夫 , 库罗什·萨阿达特曼德
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/0473 , H01J2237/30472
Abstract: 本发明提供一种为离子植入建立中电流带状离子束的方法,其系提供一包含有工作气体及运载气体的离子源,并藉由调整工作气体及运载气体的比例,以控制离子源中一工作离子束的强度,之后并利用质量分析仪将运载气体自工作离子束分离。亦可藉由于离子源下游设置一或多个机械式电流限制装置来控制工作离子束的强度。此方法可控制到达晶圆的带状离子束总强度约在3μA到3mA之间。
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公开(公告)号:CN104380425A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201380033434.5
申请日:2013-05-24
Applicant: FEI公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/22 , H01J37/08
CPC classification number: H01J37/21 , H01J27/205 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/082 , H01J2237/0827 , H01J2237/31749
Abstract: 具有气体腔室的高亮度离子源包括多个通道,其中,多个通道各自具有不同的气体。使电子射束穿过通道之一以提供某些种类的离子用于处理样本。能够通过将电子引导到具有不同的气体种类的另一个通道中并且利用第二种类的离子处理样本来快速地改变离子种类。偏转板用于将电子射束对准到气体腔室中,借此允许快速地切换聚焦离子射束中的气体种类。
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公开(公告)号:CN104282515A
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201410323934.9
申请日:2014-07-08
Applicant: 卡尔蔡司显微镜有限责任公司
CPC classification number: H01J37/26 , H01J37/08 , H01J37/28 , H01J2237/0807
Abstract: 本公开涉及带电粒子束系统和操作带电粒子束系统的方法。该带电粒子束系统包括惰性气体场离子束源、带电粒子束柱和壳体,壳体限定第一真空区域和第二真空区域。惰性气体场离子束源布置在第一真空区域内。第一机械真空泵功能上附接至第一真空区域,离子吸气泵附接至带电粒子束柱,气体供应器附接至第一真空区域,构造成给惰性气体场离子束源供应惰性气体。
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公开(公告)号:CN103329252A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201180065637.3
申请日:2011-11-26
Applicant: 先进技术材料股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/30
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , Y10T137/8593
Abstract: 本发明描述了掺杂剂源气体供应布置和方法,其中一个或多个掺杂剂源气体供应容器被包含在离子注入系统的外封罩之内,例如在上述封罩内的一个气体箱之内。在一个实施方式中,掺杂剂源气体供应容器相对于离子注入系统的气体箱以远程关系定位,以及一个掺杂剂源气体本地容器被定位在所述气体箱之内,以及供应线以供应关系将掺杂剂源气体供应容器互连到掺杂剂源气体本地容器,其中所述供应线被适配为仅当离子注入系统处于非运行状态时才使掺杂剂源气体从供应容器流动到本地容器,且所述供应线被适配为当离子注入系统处于运行状态时被抽空或是填充以惰性加压气体。
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公开(公告)号:CN103299183A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201180052971.5
申请日:2011-08-31
Applicant: ATONARP株式会社
Inventor: 佐藤友美 , 柏拉卡斯·斯里达尔·穆尔蒂
IPC: G01N27/62
CPC classification number: H01J37/08 , G01N1/38 , G01N27/624 , G01N2001/2893 , H01J49/022 , H01J49/04
Abstract: 提供一种分析装置(10),具有制备向离子迁移率传感器(1)供给的样气(20)的单元(300)和包括控制进行制备的单元(300)的功能的控制单元(60)。进行制备的单元(300)包括改变样气(20)中包含的目标化学成分的浓度的浓度调整机构(310),控制单元(60)包括获取离子迁移率传感器(1)的测量结果的驱动器(61)和向改善测量结果的方向控制浓度调整机构(310)的流量控制单元(70)。
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公开(公告)号:CN103247505A
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN201310089797.2
申请日:2013-03-20
Applicant: 宁波瑞曼特新材料有限公司
Inventor: 黄永章
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及半导体制造设备,其公开了一种用于离子束系统的间热式宽带束离子源,包括弧室、双间接加热式阴极、多通道气体入口装置、窗框型源磁铁、限制源磁铁下游的的磁场分布范围的磁屏蔽装置、放置在所述弧室内部的内部电极以及给所述弧室、双间接加热式阴极、窗框源磁铁和放置在所述弧室内部的内部电极供电的电源。本发明的有益效果是:通过采用双间热式阴极,具有可调节局部磁场的源磁铁,具有可调节的多个电极,从而进一步达到调接弧室内的等离子体密度分布的目的。
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公开(公告)号:CN103222029A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201180055553.1
申请日:2011-11-17
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/022
Abstract: 公开的是用于提高离子源的性能和延长离子源的寿命的离子注入系统。将含氟掺杂气源与一种或多种助气一起引入至离子室中。一种或多种助气可以包括氢或氪。助气缓和了由离子源室中的自由氟离子所引起的导致离子源故障的效果。
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公开(公告)号:CN103154309A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201180048804.3
申请日:2011-10-04
Applicant: 威科仪器有限公司
Inventor: 龟山育也
CPC classification number: C23C14/46 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J2237/0656 , H01J2237/083 , H01J2237/3142 , H01J2237/3151 , H01J2237/31701
Abstract: 一种离子束系统(100),包括具有基本上椭圆形的孔图案的栅格组件(300),用于使包括多个子束的离子束(108)转向以便产生离子束(108),其中所述离子束(108)的横截面的离子流密度剖面(700、900、1100、1200)是非椭圆的。所述离子流密度剖面(700、900、1100、1200)可以具有关于所述离子束(108)的横截面的两个正交轴中的一个对称的单峰。可替换地,所述单峰可以关于所述离子束(108)的横截面的两个正交轴中的另一个非对称。在另一种实施例中,所述离子流密度剖面可以具有位于所述离子束(108)的横截面的两个正交轴中的一个的相对侧的两个峰。将离子束(108)引导于转动的目标工件(104)上在与所述目标工件(104)的中心等距的每个点上产生基本上均匀的旋转综合平均离子流密度。
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