公开(公告)号：CN104350380A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201280073844.8

申请日：2012-09-10

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 佐井旭阳 ,  日向阳平 ,  大泷芳幸 ,  姜友松

IPC: G01N21/84 ,  C23C14/24 ,  C23C16/52 ,  G01B11/06 ,  G01N21/27

CPC classification number: G01B11/0633 ,  C23C14/30 ,  C23C14/54 ,  G01N21/8422

Abstract: 本发明提供一种能够实现更高速的测量并能够获得更高精度的测量结果的装置，来作为对薄膜的光学特性值和光学膜厚值中的至少一个值进行测量的测量装置。对形成于监视基板(Sm)的薄膜的包括光学特性值和光学膜厚值中的至少一方的值进行测量的测量装置(101)具备：光信号产生机构(10)，其将多个LED单元(11a～11f)利用光学滤光镜所生成的单色光调制成对于每个光源单元互不相同的设定频率，并发出多个光信号；照射机构(20)，其对该多个光信号进行复用而生成复用信号，并通过光纤将复用信号向监视基板(Sm)照射；检测机构(30)，其通过光纤检测由监视基板(Sm)反射的复用信号并输出电信号；信号分离机构(50)，其对检测机构(30)所输出的电信号实施带通滤波器的滤波处理，从该电信号中将每个设定频率的成分信号分离出来；以及计算机构(80)，其基于分离出来的每个设定频率的成分信号，按照每个设定频率计算出成分信号所表示的光学特性值，该测量装置同时测量多个所述光学特性值。

公开(公告)号：CN102439195B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201080002384.0

申请日：2010-04-27

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 松本繁治 ,  橘孝彦

IPC: C23C14/24 ,  G02B1/10 ,  H01L33/60

CPC classification number: G02B5/0858 ,  C23C14/32 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  C23C14/541 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供一种缩短制造时间并且制造高性能的半导体发光元件基板的制造方法。该半导体发光元件基板的制造方法的特征在于，具有以下工序：加热基板的基板加热工序(S3)；清洗基板(S)的基板清洗工序(S6)；在基板(S)上蒸镀电介质层(H、L)的电介质层形成工序(S7)；停止对基板的加热的基板加热停止工序(S8)；利用冷却单元(11、12、13)吸收辐射热来冷却基板(S)以及基板保持单元(3)的冷却工序(S9)；和在电介质层(H、L)上蒸镀反射层(R)的反射层形成工序(S11)。

公开(公告)号：CN103946417A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280019492.8

申请日：2012-10-23

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 宫内充祐 ,  村田尊则 ,  菅原卓哉 ,  盐野一郎 ,  姜友松 ,  林达也 ,  长江亦周

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/10

CPC classification number: C23C14/56 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/0047 ,  C23C14/0089 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/10 ,  C23C14/352 ,  C23C14/562 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3476

Abstract: 本发明提供薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法，所述薄膜形成装置、溅射阴极及薄膜形成方法能够在大型基板上以高成膜速率形成光学多层膜。一种薄膜形成装置1，其中，在真空槽21内，利用溅射在基板43上形成金属化合物的薄膜。真空槽21内具备由金属或具有导电性的金属化合物构成的靶材63a、b和活性种源，所述活性种源按照在电磁性及压力方面与靶材63a、b相互影响的方式而设置、并且可生成反应性气体的活性种。活性种源具备供给反应性气体的气体源76、77和将能量供给至真空槽内从而将反应性气体激发为等离子体状态的能量源80。能量源80在与真空槽21之间具备用于将能量供给至真空槽21内的电介质窗，该电介质窗按照与基板43平行、或以相对于基板43呈小于90°的角度向靶材63a、b侧倾斜的方式配置。

公开(公告)号：CN103154299A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201280003216.2

申请日：2012-09-26

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 盐野一郎 ,  林达也 ,  姜友松 ,  长江亦周 ,  宫内充祐 ,  佐守真悟

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/22

CPC classification number: C23C14/58 ,  C23C14/0031 ,  C23C14/022 ,  C23C14/24 ,  C23C14/541 ,  C23C14/546

Abstract: 本发明提供一种能够高效地进行防污膜的成膜的成膜装置，该防污膜不但可耐实用而且耐磨耗性能也进一步得到提高。其是基板支架12可旋转地配设在真空容器10内的成膜装置1，所述基板支架12具有用于保持2个以上基板的基体保持面，成膜装置1的构成为具有蒸镀源34和离子源38，其中，所述蒸镀源34按照如下构成配置在真空容器10内：使其向旋转停止时的基板支架12工作的情况下，能够对所述基体保持面的部分区域即第1区域(A3)供给比该第1区域以外的其他区域(残余区域)更多量的成膜材料；所述离子源38按照如下构成、配置和/或朝向设置在所述真空容器10内：使其向旋转停止时的基板支架12工作的情况下，能够仅向着该基体保持面的部分区域即第2区域(A2)照射能量粒子。

公开(公告)号：CN102892918A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180024261.1

申请日：2011-06-13

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 日向阳平 ,  佐井旭阳 ,  大泷芳幸 ,  盐野一郎 ,  姜友松

IPC: C23C14/34 ,  G02B1/11 ,  G02B5/28

CPC classification number: C23C14/545 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/505 ,  C23C14/547 ,  G02B5/28

Abstract: 本发明的课题在于提供一种薄膜形成方法，其能够省去测试成膜所导致的成膜浪费，能够提高成膜效率。所述薄膜形成方法为：溅射靶材(29a、29b)，在保持于旋转筒(13)且旋转的基板(S)和监视基板(S0)上以目标膜厚T1形成作为第1薄膜的A膜后，再溅射用于A膜的形成的靶材(29a、29b)，用于以目标膜厚T3形成作为与A膜相同组成的其它薄膜的第2薄膜即C膜，所述薄膜形成方法具有膜厚监视工序S4、S5、停止工序S7、实际时间取得工序S8、实际速度计算工序S9和必要时间计算工序S24。

公开(公告)号：CN102076880B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980124622.2

申请日：2009-06-16

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 塩野一郎 ,  姜友松 ,  长江亦周 ,  本多博光 ,  村田尊则

IPC: C23C14/48 ,  G02B5/28

CPC classification number: C23C14/30 ,  C23C14/0031 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/22 ,  G02B5/285

Abstract: 本发明提供一种能够抑制成膜条件的经时变化的蒸镀装置(1)。所述蒸镀装置(1)具备：被支承在接地的真空容器(10)内的基板支架(12)、保持在基板支架(12)上的基板(14)、离开基板(14)并与基板(14)相向的蒸发源(34，36)、对基板(14)照射离子的离子枪(38)、以及对基板(14)照射电子的中和器(40)，其中，真空容器(10)具备与真空容器(10)电气悬浮的内壁(30)，中和器(40)配设在真空容器(10)的内侧侧面侧并离开离子枪(38)。

公开(公告)号：CN102472611A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029355.3

申请日：2010-06-29

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 佐井旭阳 ,  日向阳平 ,  大泷芳幸 ,  姜友松

IPC: G01B11/06 ,  C23C14/54

CPC classification number: G01B11/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/547 ,  G01B11/0625

Abstract: 本发明提供能够高精度地计测光学膜厚和分光特性的光学式膜厚计以及具有光学式膜厚计的薄膜形成装置。光学式膜厚计由投光器(11)、反射镜(17)、受光器(19)和分光器(20)构成，具有反射镜(17)，该反射镜(17)相对于测定光的入射方向位于实际基板(S)的相反侧，且反射面被配置成与测定光的光轴大致垂直。另外，实际基板(S)被配置成相对于测定光的光轴具有规定的倾斜角度(α)。测定光(出射光和反射光)2次透过实际基板(S)，能够增大透过率(光量)的变化量，能够提高膜厚测定的控制精度。另外，能够防止因透过位置的不同而产生测定误差，另外，在受光器(19)侧不会检测到未通过规定路径而2次透过测定基板的测定光，所以能够高精度地计测光学膜厚和分光特性。

公开(公告)号：CN102066602A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980122366.3

申请日：2009-06-16

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 菅原聡 ,  枝并泰宏 ,  高桥一树 ,  熊川进 ,  姜友松 ,  塩野一郎 ,  高坂佳弘

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/505 ,  C23C14/345 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明提供一种能减少附着在成膜面上的异物的发生率、具有自转公转机构的偏压溅射装置。在具备具有自转公转机构的基板支架(12)的偏压溅射装置(1)中，基板支架(12)由公转部件(21)和自转部件(23)构成，在安装于自转部件(23)上的各个基板(14)的背面侧，与基板(14)隔开0.5～10mm的位置处，设置有与基板(14)同等尺寸的圆板状基板电极(30)。

公开(公告)号：CN100543174C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200580026467.2

申请日：2005-08-05

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 宋亦周 ,  荒井彻治 ,  千叶幸喜 ,  樱井武 ,  姜友松

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  C23C14/564

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置，具有：等离子发生单元，其设在真空槽的与开口对应的位置，并在真空槽内产生等离子；在真空槽内保持基体并以旋转轴线为中心旋转驱动的基体保持单元；和离子消灭单元，其设在等离子发生单元和基体保持单元之间，并使由等离子发生单元产生的离子消灭，离子消灭单元由以排列多个与基体保持单元的旋转轴线平行的方向的筋的方式配置的纵栅和以排列多个与基体保持单元的旋转方向平行的方向的筋的方式配置的横栅构成，离子消灭单元在从等离子发生单元面向基体保持单元的方向上相对于等离子发生单元遮蔽基体保持单元的面积，小于等离子发生单元在从等离子发生单元面向基体保持单元的方向上的剩余面积。

公开(公告)号：CN1320156C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200310113060.6

申请日：2003-12-25

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 宋亦周 ,  樱井武

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/00

Abstract: 本发明提供简单易行的制造膜厚倾斜程度大的薄膜的薄膜制造方法及溅射装置。该方法通过使真空室11内的成膜工序区20、40和反应工序区60在空间上相互分离并通过溅射形成薄膜。在中间薄膜形成工序形成由不完全反应物形成的中间薄膜。该中间薄膜形成工序中，在基板S和靶29a、29b、49a、49b之间设有使形成的薄膜膜厚均匀的修正板35和使形成的薄膜具备对应基板S形成薄膜的面的所需膜厚分布的屏蔽板36，在基板S相对修正板35和屏蔽板36移动的同时形成中间薄膜。在形成最终薄膜的膜组成转化工序中，在反应工序区60使中间薄膜和反应性气体的活性基反应，使最终薄膜的膜厚与中间薄膜的膜厚相比有所增加。