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公开(公告)号：KR1020150052784A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020140151167
申请日：2014-11-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02211 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32513 , H01J37/32568 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31138
Abstract: 천장판을포함하는진공용기와, 상기진공용기내에회전가능하게설치된회전테이블과, 상기회전테이블에대치된기판의표면에흡착되는제1 처리가스를공급하는제1 처리가스공급수단과, 상기제1 처리가스공급수단으로부터상기회전테이블의주위방향으로이격된위치에설치되고, 상기기판의표면에플라즈마처리용가스를공급하는플라즈마처리용가스공급수단과, 상기제1 처리가스와상기플라즈마처리용가스를분리하는분리가스를공급하는분리가스공급수단과, 상기플라즈마처리용가스를플라즈마화하는플라즈마발생수단과, 상기플라즈마발생수단및 상기회전테이블중 적어도한쪽을승강시키는승강기구를갖는기판처리장치.
Abstract translation: 本发明公开了一种基板处理装置，包括：具有屋顶板的真空容器; 可旋转地安装在真空容器内的旋转台; 第一处理气体供给装置，用于提供吸附在位于旋转台上的基板的表面上的第一处理气体; 等离子体处理气体供给装置，其安装成在旋转台的径向方向与第一处理气体供给装置分离，以将等离子体处理气体提供到基板的表面上; 分离气体供给装置，用于供应分离第一处理气体和等离子体处理气体的分离气体; 等离子体产生装置，用于从等离子体处理气体产生等离子体; 以及用于提升等离子体产生装置和旋转台中的至少一个的提升装置。
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公开(公告)号：KR1020140058351A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020130131277
申请日：2013-10-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H05H1/46
Abstract: The present invention provides a plasma treatment apparatus including: a vacuum vessel; a substrate stacking unit installed in the vacuum vessel for stacking substrates; a gas supply unit for supplying gas used to generate plasma in the vacuum vessel; an antenna for receiving high-frequency power in order to make the gas used to generate the plasma, which is supplied from the gas supply unit, in the state of plasma; a faraday shield installed between the antenna and a region in which the plasma is generated, and including a conductive plate in which a plurality of slits crossing an extension direction of the antenna are arranged in a longitudinal direction of the antenna, in order to suppress an electric field of an electromagnetic field formed by the antenna and pass through a magnetic field; and an adjusting unit including a conductor to adjust an area of an opening of the slits in order to adjust a plasma density in the longitudinal direction of the antenna.
Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，包括：真空容器; 安装在用于堆叠基板的真空容器中的基板堆叠单元; 用于在所述真空容器中供给用于产生等离子体的气体的气体供给单元; 用于接收高频电力的天线，以便以等离子体的状态从气体供给单元供给用于产生等离子体的气体; 安装在天线和产生等离子体的区域之间的法拉第屏蔽，并且包括导电板，其中与天线的延伸方向交叉的多个狭缝布置在天线的纵向方向上，以便抑制 由天线形成并通过磁场的电磁场的电场; 以及调节单元，其包括用于调节狭缝的开口的面积的导体，以便调节天线的纵向方向上的等离子体密度。
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公开(公告)号：KR1020140049955A
公开(公告)日：2014-04-28
申请号：KR1020130124796
申请日：2013-10-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C16/24 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , H01L21/02381 , H01L21/0262
Abstract: Provided is a method for depositing a film which forms a silicon film on a substrate mounted on a rotary table capable of rotating and passing through a first processing area and a second processing area which are separately arranged along a circumferential direction in an approximately cylindrical chamber set at a first temperature capable of breaking Si-H bonds. The method for depositing a film comprises: a molecule layer depositing step for supplying a Si2H6 gas set at a second temperature which is lower than the first temperature when the substrate passes through the first processing area, and forming a SiH3 molecule layer on a surface of the substrate; and a dehydrogentation step for passing the substrate having a SiH3 molecule layer formed on the surface through the second processing area set at the first temperature, breaking Si-H bonds of the SiH3 molecule layer, and leaving a silicon atom layer on the surface. [Reference numerals] (100) Control unit; (101) Medium; (102) Memory unit; (AA,BB,CC,DD) N_2 gas
Abstract translation: 提供了一种在安装在旋转台上的基板上沉积形成硅膜的方法，所述基板能够旋转并通过沿着圆周方向分开排列的大致圆筒形室的第一处理区域和第二处理区域 在能够破坏Si-H键的第一温度下。 沉积薄膜的方法包括：分子层沉积步骤，用于在第二温度下提供Si2H6气体，该第二温度低于第一温度，当第二温度低于第一温度时，当基板通过第一处理区域时，以及在第一温度表面上形成SiH 3分子层 基材; 以及脱水步骤，用于使形成在表面上的SiH 3分子层的基板通过设置在第一温度的第二处理区域，使SiH 3分子层的Si-H键断裂，并在表面上留下硅原子层。 （附图标记）（100）控制单元; （101）中等; （102）存储单元; （AA，BB，CC，DD）N_2气体
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公开(公告)号：KR1020140009073A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020130082246
申请日：2013-07-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 가토히토시
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02263 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: A film forming method includes a step for supplying a gas including peroxide to a substrate where a recess part is formed, and condensing the peroxide in the substrate, and a step for supplying a gas containing silicon reacting with the peroxide to the substrate having condensed peroxide. [Reference numerals] (AA,BB,CC,DD) N_2 gas
Abstract translation: 一种成膜方法包括将含有过氧化物的气体供给到形成有凹部的基板并使基板中的过氧化物缩合的工序，以及将含有与过氧化物反应的硅的气体与含有过氧化物的基体反应的工序 。 （附图标记）（AA，BB，CC，DD）N_2气体
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公开(公告)号：KR1020130092508A
公开(公告)日：2013-08-20
申请号：KR1020130014630
申请日：2013-02-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C16/45508 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/5093 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: PURPOSE: A film forming device is provided to execute plasma treatment for a circuit board and to laminate reactant on the circuit board by supplying treatment gas. CONSTITUTION: A rotation table is installed within a vacuum container to rotate a circuit board loading area. A first treatment gas supply unit (31) supplies first treatment gas to a first treatment area (P1). A second treatment gas supply unit (32) supplies first treatment gas to a first treatment area (P2). A first plasma treatment unit executes plasma treatment for a circuit board in a second treatment area. A dissociation gas supply unit (41, 42) supplies dissociation gas to dissociation area (D1, D2).
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，用于对电路板执行等离子体处理，并通过供应处理气体将反应物层压在电路板上。 构成：旋转台安装在真空容器内以旋转电路板装载区域。 第一处理气体供给单元（31）将第一处理气体供给到第一处理区域（P1）。 第二处理气体供给单元（32）将第一处理气体供给到第一处理区域（P2）。 第一等离子体处理单元对第二处理区域中的电路板执行等离子体处理。 离解气体供给单元（41,42）向解离区域（D1，D2）供给解离气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130085008A
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020130005499
申请日：2013-01-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/458 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45591
Abstract: 성막장치는, 진공용기내에서서로반응하는복수종류의처리가스를순서대로공급하는사이클을복수회행하여박막을형성한다. 상기성막장치는, 상기진공용기내에설치되고, 기판을적재하는기판적재영역이그 상면에형성되는동시에, 이기판적재영역을공전시키기위한회전테이블과, 이회전테이블의주위방향으로서로이격된처리영역에대해서로다른처리가스를각각공급하기위한복수의처리가스공급부와, 각처리영역의분위기를분리하기위해, 각처리영역의사이에형성된분리영역에대해분리가스를공급하는분리가스공급부와, 상기진공용기내의분위기를진공배기하기위한배기구를구비한다. 상기처리가스공급부중 적어도하나의처리가스공급부는, 상기회전테이블의중앙부로부터주연부를향해신장되는동시에, 상기회전테이블을향해처리가스를토출하는가스토출구가그 길이방향을따라형성된가스노즐로서구성되고, 상기가스노즐에있어서의상기회전테이블의회전방향의상류측및 하류측에는, 당해가스노즐로부터토출된처리가스의희박화를억제하기위해분리가스가그 상면측을흐르도록, 당해가스노즐의길이방향을따라정류판이설치되고, 상기가스노즐및 상기정류판의상방측에는, 분리가스가통류하는통류공간이형성되고, 상기정류판에있어서의회전테이블의외주측의테두리부는, 상기정류판의하방측의처리가스가회전테이블의외측으로배출되는것을억제하기위해, 당해회전테이블의외주단부면과간극을두고대향하도록하방측으로굴곡된굴곡부로서구성되어있다.
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，通过抑制在基板表面层叠反应产物的处理气体的流量来形成具有良好成膜速率的薄膜。 构成：真空容器（1）包括天花板（11）和容器主体（12）。 旋转台（2）由向垂直方向延伸的旋转轴（22）旋转。 处理气体供给部（31）将各不同的处理气体供给到从纺纱台的周向彼此分离的处理区域。 离解气体供给部分将解离气体供给到形成在每个处理区域之间的分离区域。 空气出口真空排出真空容器内的气氛。 （标号）（AA）含Si气体; （BB，CC，EE）N_2气体
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公开(公告)号：KR100791153B1
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020010034975
申请日：2001-06-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 피처리체(W)위의 막을 분해하기 위하여 불필요한 막은 처리용기(8) 내를 통과하는 세정가스에 의해 제거된다. 이 경우에, 세정가스는 가스가열 기구(52)에 의해 가열되고 활성화되며, 세정가스는 이러한 상태에서 처리용기(8)를 통과한다. 이와 같이 함으로써, 석영제 처리용기 내의 처리용기를 손상시키지 않고 불필요한 막은 효과적으로 제거된다.
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公开(公告)号：KR1020010107782A
公开(公告)日：2001-12-07
申请号：KR1020010029396
申请日：2001-05-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.
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公开(公告)号：KR1019970062403A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019970003683
申请日：1997-02-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 복수의 반도체 위이퍼를 지지하여 종형 열처리로내에 수용하기 위한 웨이퍼보트에 관한 것으로서, 웨이퍼보트는 서로 간격을 두고 실질적으로 평행하게 배열된 복수의 지주를 구비하고, 지주에는 복수의 링부재가 지주의 길이방향을 따라 서로 간격을 두고 부착되어 있으며, 링부재에는 복수의 지지부재부가 부착되어 있으며, 지지부재부에는 링부재의 상측 표면보다도 윗쪽으로 돌출하고 또 링부재의 반직경방향을 따라 내측을 향하여 돌출함과 동시에 링부재의 웨이퍼의 외부둘레의 하면에 직접 접촉시키도록 하여 웨이퍼를 지지하고, 또한 링부재의 내부둘레에는 볼록부가 형성되어 있으며 볼록부는 서로 이웃하는 2개의 지주 사이에 형성되어 링부재의 반직경방향을 따라 내측으로 돌출해 있는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR102264572B1
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：KR1020180041898
申请日：2018-04-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 가토히토시
IPC: H01L21/02
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