公开(公告)号：KR101396624B1

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：KR1020097026131

申请日：2008-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다다로 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/18 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 오목부(6)를 갖는 절연층(4)이 표면에 형성된 피처리체 W에 대하여 박막을 형성하는 성막 방법이 개시된다. 오목부 내의 표면을 포함하는 피처리체의 표면에 Ti 함유 배리어층(12)을 형성하는 배리어층 형성 공정과, 배리어층상에 Ru 함유 시드층(16)을 CVD에 의해 형성하는 시드층 형성 공정과, 시드층상에 Cu 함유 보조 시드층(164)을 스퍼터링에 의해 형성하는 보조 시드층 형성 공정을 순차적으로 실행한다. 이에 따라, 피처리체 전면에 걸쳐, 선폭 또는 홀 직경이 작은 오목부 혹은 어스펙트비가 높은 오목부에 대하여 충분한 패딩을 행하는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR1020110102330A

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：KR1020117013467

申请日：2009-12-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/205 ,  C23C16/08 ,  C23C16/448

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C14/14 ,  C23C16/04 ,  C23C16/045 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865

Abstract: 성막 방법은 챔버내에 피처리 기판을 배치하는 공정과, 공급 경로를 통해 염소함유 가스를 포함하는 처리 가스를 챔버내에 공급하는 공정과, 처리 가스의 공급 경로에 Ti 함유부를 배치하고, 처리 가스를 챔버에 공급할 때에, 처리 가스중의 염소함유 가스를 Ti 함유부에 접촉시켜 염소함유 가스와 Ti 함유부의 Ti를 반응시키는 공정과, 챔버내의 피처리 기판을 가열하면서, 염소함유 가스와 Ti의 반응에 의해 생긴 Ti 전구체 가스를 피처리 기판상에 공급하고, 열 반응에 의해 피처리 기판의 표면에 Ti를 퇴적하는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020100031460A

公开(公告)日：2010-03-22

申请号：KR1020090081708

申请日：2009-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노후미타카 ,  젠코데츠 ,  나루시마겐사쿠

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A method for forming a Ti-based layer and a storage media are provided to reduce the difference between the thicknesses of process layers by forming a low temperature pre-coat layer and a high temperature pre-coat layer. CONSTITUTION: A susceptor(2) is heated before a wafer is loaded on the susceptor. A pre-coat layer(71, 72) is formed on the surface of a shower head(10) by a Ti-containing process gas. The wafer is loaded on the heated susceptor. A process gas is introduced into a chamber to form a Ti-layer on the wafer. A cleaning gas is introduced into the chamber to perform a cleaning process when the wafer is not loaded on the susceptor. The Ti-layer formation process and the cleaning process are repeated.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成Ti基层和存储介质的方法，通过形成低温预涂层和高温预涂层来减小工艺层厚度之间的差异。 构成：在将基片装载到基座之前，将基座（2）加热。 通过含钛工艺气体在喷头（10）的表面上形成预涂层（71,72）。 将晶片装载在加热的基座上。 将工艺气体引入室中以在晶片上形成Ti层。 当晶片未装载在基座上时，清洁气体被引入室中以进行清洁处理。 重复Ti层形成过程和清洁过程。

公开(公告)号：KR1020100024416A

公开(公告)日：2010-03-05

申请号：KR1020097026131

申请日：2008-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다다로 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/18 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: Disclosed is a filming method for forming a thin film on a treating object (W) which has an insulating layer (4) formed with a recess (6) on its surface. In the filming method, there are sequentially executed the barrier layer forming step of forming a Ti-containing barrier layer (12) on the surface of the treating object including the surface in the recess, the seed layer forming step of forming a Ru-containing seed layer (16) over the barrier layer by a CVD, and the auxiliary seed layer forming step of forming a Cu-containing auxiliary seed layer (164) over the seed layer by a sputtering. All over the surface of the treating object, therefore, a sufficient padding can be made on either the recess having a small line width or hole diameter or the recess having a high aspect ratio.

Abstract translation: 公开了一种在其表面上形成有凹部（6）的绝缘层（4）的处理对象（W）上形成薄膜的成膜方法。 在成膜方法中，依次执行阻挡层形成工序，在包含凹部的表面的处理对象物的表面上形成含Ti势垒层（12），种子层形成工序形成含Ru的阻挡层 种子层（16），并且通过溅射在种子层上形成含Cu辅助种子层（164）的辅助晶种层形成步骤。 因此，在处理对象的整个表面上，可以在具有小线宽度或孔直径的凹部或具有高纵横比的凹部中的任一个上形成足够的填充。

公开(公告)号：KR1020090099082A

公开(公告)日：2009-09-21

申请号：KR1020097016306

申请日：2008-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76877

Abstract: Disclosed is a film forming method comprising a titanium film-forming step wherein a titanium film is formed on an interlayer insulating film (520) and a silicon-containing surface (512) on the bottom of a contact hole (530), a nitriding step wherein a single titanium nitride film (550) is formed by nitriding the entire titanium film, and a tungsten film-forming step wherein a tungsten film (560) is formed on the titanium nitride film. Consequently, the productivity can be improved by forming a barrier film thinner than the conventional ones, while preventing separation of a tungsten film due to deterioration of a titanium layer.

Abstract translation: 公开了一种成膜方法，其包括钛膜形成步骤，其中在接触孔（530）的底部上的层间绝缘膜（520）和含硅表面（512）上形成钛膜，氮化步骤 其中通过对整个钛膜进行氮化而形成单个氮化钛膜（550），其中在氮化钛膜上形成钨膜（560）的钨膜形成步骤。 因此，通过形成比以往更薄的阻挡膜，同时防止由于钛层的劣化而导致的钨膜的分离，可以提高生产率。

公开(公告)号：KR100822493B1

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：KR1020067002771

申请日：2004-05-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  나루시마겐사쿠

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/08 ,  C23C16/56

Abstract: Si 웨이퍼(1)상에 티탄 실리사이드막(4)을 성막한다. 이 때문에, 먼저, Si 웨이퍼(1)를 고주파를 이용한 플라즈마에 의해 처리한다. 다음에, 플라즈마에 의한 처리가 실시된 Si 함유 부분상에 Ti 함유 원료 가스를 공급하여, 플라즈마를 생성하여 Ti막을 성막하고, 그 때의 Ti막과 Si 함유 부분의 Si와의 반응에 의해 티탄 실리사이드막(4)을 형성한다. Si 웨이퍼(1)의 플라즈마에 의한 처리는, Si 웨이퍼(1)에 절대값이 200V 이상의 DC 바이어스 전압(Vdc)을 인가하면서 실행한다.

公开(公告)号：KR100788060B1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：KR1020077016175

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

Abstract: 플라즈마 CVD를 이용하여 피처리 기판(W) 상에 소정 박막을 형성하는 성막 방법은 제 1 및 제 2 단계를 교대로 1회 이상씩 실시한다. 제 1 단계에서는 기판(W)을 수납하는 처리 챔버(51) 내에 박막의 성분을 포함하는 화합물 가스와 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 1 플라즈마를 생성한다. 제 2 단계에서는 제 1 단계에 이어서, 처리 챔버(51) 내에 상기 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 2 플라즈마를 생성한다.

Abstract translation: 通过使用等离子体CVD在待处理的基板（W）上形成预定薄膜的成膜方法是交替地执行第一和第二步骤一次或多次。 在第一工序中，一边向容纳基板W的处理室51内供给含有薄膜成分和还原性气体的化合物气体，一边在处理室51内生成第一等离子体。 在第二步骤中，在第一步骤之后，在处理室51中产生第二等离子体，同时向处理室51中供应还原气体。

公开(公告)号：KR1020070090970A

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：KR1020077014796

申请日：2006-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C8/24 ,  C23C8/26 ,  C23C8/36 ,  C23C8/38 ,  C23C14/00 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/56 ,  G11B5/84

Abstract: Provided are a chamber for storing a substrate to be treated, a shower head arranged in the chamber, and a gas supplying means for supplying the chamber with a gas including NH3 gas and H2 gas. When gas treatment is performed to the subject (W) to be treated, with the gas including NH3 gas and H2 gas, by using a gas treatment apparatus whose covering layer and shower head contain nickel (Ni), an H2/NH3 flow ratio and temperature are controlled, and reaction of nickel contained in the covering layer of the chamber and the shower head is suppressed.

Abstract translation: 设置有用于存储待处理的基板的室，设置在室中的喷头，以及用于向室提供包含NH 3气体和H 2气体的气体的气体供给装置。 当对包括NH 3气体和H 2气体的气体进行待处理对象（W）的气体处理时，通过使用其覆盖层和淋浴喷头包含镍（Ni）的气体处理装置，H2 / NH3流量比和 控制温度，并且抑制室内覆盖层和淋浴喷头所含的镍的反应。

公开(公告)号：KR100674732B1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：KR1020047017827

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/08 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

Abstract: 플라즈마 CVD를 이용하여 피처리 기판(W) 상에 소정 박막을 형성하는 성막 방법은 제 1 및 제 2 단계를 교대로 1회 이상씩 실시한다. 제 1 단계에서는 기판(W)을 수납하는 처리 챔버(51) 내에 박막의 성분을 포함하는 화합물 가스와 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 1 플라즈마를 생성한다. 제 2 단계에서는 제 1 단계에 이어서, 처리 챔버(51) 내에 상기 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 2 플라즈마를 생성한다.

公开(公告)号：KR1020060096036A

公开(公告)日：2006-09-05

申请号：KR1020067007190

申请日：2005-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76856 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

Abstract: After cleaning the surface of a base nickel silicide film, a Ti film having a thickness of 2nm or more but less than 10nm is formed by CVD using a Ti compound gas. The Ti film is nitrided, and on the Ti film after nitriding, a TiN film is formed by CVD by using the Ti compound gas and a gas including N and H.

Abstract translation: 在清洁基底镍硅化物膜的表面之后，通过使用Ti化合物气体的CVD形成厚度为2nm以上且小于10nm的Ti膜。 将Ti膜氮化，在氮化后的Ti膜上，通过使用Ti化合物气体和包含N和H的气体通过CVD形成TiN膜。