公开(公告)号：KR1020090104772A

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：KR1020090027704

申请日：2009-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  나카야마히로유키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/67069

Abstract: PURPOSE: A plasma etching method and a computer readable storage medium are provided to select and control an anisotropy shape in anisotropy etching. CONSTITUTION: A plasma etching method and a computer readable storage medium are comprised of the steps: arranging first electrode(12) and a second electrode(60) in parallel within a processing container(10) which is vacuumable; preparing a member within the processing container and facing the member with a first electrode, and then supporting a target substrate with a second electrode; performing the processing container through vacuum exhaustion by a certain pressure; and supplying an etching gas to a process space between the first electrode and the second electrode.

Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻方法和计算机可读存储介质，以选择和控制各向异性蚀刻中的各向异性形状。 构成：等离子体蚀刻方法和计算机可读存储介质包括以下步骤：将第一电极（12）和第二电极（60）平行放置在可抽真空的处理容器（10）内; 在处理容器内准备一个构件并与第一电极对置，然后用第二电极支撑目标衬底; 通过一定压力的真空耗尽来执行处理容器; 以及向第一电极和第二电极之间的处理空间提供蚀刻气体。

公开(公告)号：KR100739247B1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：KR1020057005442

申请日：2003-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시모토신야 ,  미쓰하시고지 ,  나카야마히로유키

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32009 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  Y10S156/916

Abstract: 본 발명은 전극판 및 용착 실드를 포함하는 개선된 상부 전극을 제공하는 것이다. 전극판은 전극판과 상부 어셈블리를 연결하는 제 1 표면, 제 1 표면의 반대편에, 플라즈마 처리 시스템내의 처리 플라즈마를 향하도록 구성된 플라즈마 표면과 플라즈마 처리 시스템에 결합하는 결합면을 포함하는 제 2 표면, 및 주위 가장자리를 포함한다. 용착 실드는 전극판과 연결되어 그 곳으로부터 연장되도록 구성된 원통벽을 포함한다. 원통벽은 전극판의 플라즈마 표면에 접하는 내면과, 전극판의 결합면과 접하는 외면, 및 말단 립 표면을 포함하는 말단면을 포함한다.

公开(公告)号：KR100702296B1

公开(公告)日：2007-03-30

申请号：KR1020057005451

申请日：2003-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이구사히데히토 ,  다카세다이라 ,  미쓰하시고지 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431

Abstract: 플라즈마처리시스템(1)은 도 1에 나타나 있는 바와 같이 플라즈마처리실(10), 상부조립체(20), 전극판(24), 기판을 지지하는 기판홀더(30), 플라즈마처리실(10)에 감압된 공기(11)을 제공하기 위한 진공펌프에 결합되어 있는 펌핑덕트(40)로 구성된다.
플라즈마처리실(10)은 기판(35)에 인접한 처리공간(12)에서 처리플라즈마의 형성을 돕는다. 플라즈마처리시스템(1)은 200mm기판, 300mm기판, 또는 그보다 큰 기판을 처리할 수 있도록 되어있다.
도시된 실시예에서, 상부조립체(20)은 최소한 하나의 커버, 하나의 분사조립체와 상부 전극 임피던스 매치 네트워크를 구비한다. 예를 들면, 전극판(24)는 RF소스에 결합되고, 플라즈마처리시스템(1)을 위해 상부전극의 작용을 돕는다.

公开(公告)号：KR100674736B1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：KR1020050034865

申请日：2005-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/68

Abstract: 기판을 수용하는 수용실과, 상기 수용실 내에 배설되고 또한 상기 기판을 반송하는 기판반송부와, 상기 수용실 내를 배기하는 배기부와, 상기 수용실 내에 기체를 도입하는 기체도입부를 구비하는 기판반송장치가 제공된다. 상기 기판반송부는, 상기 기판을 탑재하는 탑재부와, 상기 탑재부에 일단이 접속되고 또한 상기 탑재부를 이동시키는 아암부와, 상기 탑재부에 배설되고 또한 전압이 인가되는 전극을 가지며, 상기 수용실 내에 상기 기체가 도입되고 또한 상기 수용실 내가 배기되고 있는 때에, 상기 전극에 고전압이 인가된다.
기판반송장치, 기판처리시스템, 세정방법

公开(公告)号：KR100674735B1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：KR1020050034866

申请日：2005-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/304

Abstract: 기판을 손상하지 않고, 기판의 뒷면에 부착한 이물을 충분히 제거할 수 있는 기판세정장치를 제공한다.
기판세정장치로서의 플라즈마처리장치(1)는 챔버(10)와, 해당 챔버(10)내에 배치되어, 웨이퍼 W를 탑재하는 서셉터(11)와, 해당 서셉터(11)에 배치되어, 고전압이 인가되는 전극판(20)과, 챔버(10)내를 배기하는 대강 배기 라인과, 서셉터(11) 및 웨이퍼 W사이에 공간 S를 생기게 하는 푸셔핀(30)과, 공간 S에 N
2 가스를 공급하는 열전도가스공급구멍(27)과, 챔버(10)내에 처리가스 등을 도입하는 샤워헤드(33)를 구비하여, 공간 S가 발생하고 있을 때, 전극판(20)에는 다른 극성의 고전압이 교대로 인가되고, 웨이퍼 W의 뒷면을 향해 공간 S에 N
2 가스가 분출되고, 또한 챔버(10)내는 배기되고, 또한, 챔버(10)내가 감압되고 있을 때에, 챔버(10)내에 N
2 가스가 도입된다.

公开(公告)号：KR100635436B1

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020050015360

申请日：2005-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  나카야마히로유키 ,  오쿠야마기쿠오 ,  시마다마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0225

Abstract: 파티클에 의한 피처리체의 오염을 저감할 수 있는 프로세스 장치 및 해당 프로세스 장치내의 파티클 제거 방법을 제공한다. 드라이 에칭 장치(1)는, 피처리체로서의 웨이퍼(50)의 에칭 처리를 실행하도록 그 내부가 고진공으로 유지되는 진공 처리실(10)과, 진공 처리실(10)내의 하부에 배치되고 또한 웨이퍼(50)를 탑재하는 탑재대를 겸하는 하부 전극(20)과, 진공 처리실(10)내에 있어서 하부 전극(20)과 대향하여 배치된 상부 전극(40)과, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도를 검지하는 온도 센서(16)와, 하부 전극(20)의 온도를 검지하는 온도 센서(24)와, 상부 전극(40)의 온도를 검지하는 온도 센서(44)와, 상부 전극(40)에 연결됨과 더불어 진공 처리실(10)에 소정의 기체를 도입하는 기체 도입 장치(41)와, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도, 하부 전극(20)의 온도, 및 상부 전극(40)의 온도에 근거하여 해당 소정의 온도를 제어하는 제어 장치(91)를 구비한다.
온도구배, 프로세스 장치, 파티클

Abstract translation: 提供一种能够减少待处理物体被污染物污染的处理装置以及处理装置中的颗粒去除方法。 干式蚀刻设备1包括：真空处理室10，其中真空处理室10的内部保持在高真空以对作为待处理对象的晶片50执行蚀刻处理; 和下部电极20作为安装台，用于安装，用于检测在下部电极20的壁的温度和用于上部电极40和真空处理室（10）布置成面向在真空室10 检测下部电极20的温度的温度传感器24，检测上部电极40的温度的温度传感器44， 该气体导入装置41的温度和温度，在真空处理室10的内壁上的下部电极20和上部电极（40）的温度，用于将预定气体引入真空处理室的基础（10）上 以及用于控制预定温度的控制装置91。

公开(公告)号：KR1020060042140A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020050015360

申请日：2005-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  나카야마히로유키 ,  오쿠야마기쿠오 ,  시마다마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0225

Abstract: 파티클에 의한 피처리체의 오염을 저감할 수 있는 프로세스 장치 및 해당 프로세스 장치내의 파티클 제거 방법을 제공한다. 드라이 에칭 장치(1)는, 피처리체로서의 웨이퍼(50)의 에칭 처리를 실행하도록 그 내부가 고진공으로 유지되는 진공 처리실(10)과, 진공 처리실(10)내의 하부에 배치되고 또한 웨이퍼(50)를 탑재하는 탑재대를 겸하는 하부 전극(20)과, 진공 처리실(10)내에 있어서 하부 전극(20)과 대향하여 배치된 상부 전극(40)과, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도를 검지하는 온도 센서(16)와, 하부 전극(20)의 온도를 검지하는 온도 센서(24)와, 상부 전극(40)의 온도를 검지하는 온도 센서(44)와, 상부 전극(40)에 연결됨과 더불어 진공 처리실(10)에 소정의 기체를 도입하는 기체 도입 장치(41)와, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도, 하부 전극(20)의 온도, 및 상부 전극(40)의 온도에 근거하여 해당 소정의 온도를 제어하는 제어 장치(91)를 구비한다.
온도구배, 프로세스 장치, 파티클

公开(公告)号：KR1020050061497A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：KR1020057005435

申请日：2003-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이구사히데히토 ,  다카세다이라 ,  미쓰하시고지 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32477 ,  Y10S156/916

Abstract: The present invention presents an improved deposition shield (14) for surrounding a process space in a plasma processing system, wherein the desing and fabrication of the deposition shield advantageously provides for a clean processing plasma in the process space with substantially minimal erosion of the deposition shield.

Abstract translation: 本发明提出了一种用于围绕等离子体处理系统中的处理空间的改进的沉积屏蔽（14），其中沉积屏蔽的设计和制造有利地在处理空间中提供了清洁的处理等离子体，其中沉积屏蔽 。

公开(公告)号：KR1020050054974A

公开(公告)日：2005-06-10

申请号：KR1020057005451

申请日：2003-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이구사히데히토 ,  다카세다이라 ,  미쓰하시고지 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431

Abstract: The present invention presents an improved baffle plate for a plasma processing system, wherein the design and fabrication of the baffle plate advantageously provides for a uniform processing plasma in the process space with substantially minimal erosion of the baffle plate.

Abstract translation: 本发明提出了一种用于等离子体处理系统的改进的挡板，其中挡板的设计和制造有利地在过程空间中提供均匀的处理等离子体，同时对挡板具有基本上最小的侵蚀。

公开(公告)号：KR1020040007592A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020037015213

申请日：2002-05-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가야마노부유키 ,  나카야마히로유키 ,  미츠하시고지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32477 ,  C23C4/02

Abstract: 플라즈마 처리 용기에 배치된 플라즈마 처리 용기 내부재의 기재(101)의 표면에, 전처리로서, 케프라-코트(Kepla-Coat : 등록 상표) 처리에 의해서 케프라-코트층(111)을 형성한 후, 이것들의 전처리가 실시된 기재(101)의 표면에 용사 피막 형성 장치를 이용하여 플라즈마 용사 처리를 실시함으로써 용사 피막(121)를 형성한다.