公开(公告)号：KR1020060105301A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020050027978

申请日：2005-04-04

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 유봉현 ,  한민구

IPC: G09G3/30 ,  H05B33/02 ,  G09F9/30

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2310/0256 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2320/043

Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는, 발광 소자, 구동 전압과 발광 소자 사이에 연결되어 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 제1 및 제2 구동 트랜지스터, 데이터 전압을 제1 및 제2 구동 트랜지스터에 각각 전달하는 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터, 그리고 데이터 전압을 받아 데이터 전압의 극성과 반대인 반전 전압을 생성하여 제1 및 제2 구동 트랜지스터에 각각 인가하는 제1 및 제2 반전부를 각각 포함하는 복수의 화소를 포함한다. 본 발명에 의하면 두 개의 반전부 및 두 개의 구동 트랜지스터를 구비함으로써 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 천이를 방지할 수 있으며, 이에 따라 유기 발광 표시 장치의 수명을 증가시킬 수 있다.
표시 장치, 유기 발광 다이오드, 박막 트랜지스터, 축전기, 데이터 전압, 반전부, 역바이어스

公开(公告)号：KR100608249B1

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：KR1020040095023

申请日：2004-11-19

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  남우진 ,  정상훈 ,  이재훈

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/30 ,  G09G3/20

Abstract: 본 발명은 아날로그 버퍼회로에 관한 것으로, 제1 전원전압(V
DD )을 수신하며, 노드 A에서 게이트 전극과 드레인 전극이 접속된 제1 트랜지스터와; 상기 제1 트랜지스터의 소스/드레인 전류 통로에 자신의 소스/드레인 전류통로가 직렬 접속되며, 제2 전원전압(V
SS )을 수신하는 제2 트랜지스터와; 입력전압을 수신하고, 상기 타이밍 제어부에 의해 제어되며, 노드 B에서 자신의 드레인 전극과 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극이 접속된 제3 트랜지스터와; 타이밍 제어부에 의해 제어되며, 소스 전극이 상기 노드 A에 접속된 제4 트랜지스터와; 상기 타이밍 제어부에 의해 제어되며, 상기 제1 전원전압(V
DD )과 상기 노드 B 사이에 소스/드레인 전류통로가 접속된 제5 트랜지스터와; 상기 제1 전원전압(V
DD )과 출력단 사이에 접속된 커패시터를 포함하며, 상기 출력단에서의 전압은 상기 입력전압과 함수관계에 있음을 특징으로 한다.
박막트랜지스터, 아날로그 버퍼회로, 포화영역, 함수관계

公开(公告)号：KR1020060057928A

公开(公告)日：2006-05-29

申请号：KR1020040097125

申请日：2004-11-24

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 하민우 ,  이승철 ,  한민구

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 후처리 어닐링 (post annealing) 기술에 관한 것으로, GaN 소자의 드레인 전류 증가, 트랜스 컨덕턴스(transconductance) 증가, 누설 전류 감소 및 항복 전압 (breakdown voltage) 증가를 위하여 GaN 소자가 제작된 뒤 소자에 엑시머 레이저 펄스 (excimer laser pulse)를 가하는 것이다. 본 발명에 다른 엑시머 레이저 펄스를 이용한 후처리 어닐링 방법은 공정이 용이하며 쇼트키 게이트 (Schottky gate)의 열화 없이 GaN 소자의 전기적 특성 개선을 개선할 수 있다.
후처리 어닐링, 엑시머 레이저, GaN, 높은 전자이동도 트랜지스터

公开(公告)号：KR100501236B1

公开(公告)日：2005-07-18

申请号：KR1020030051594

申请日：2003-07-25

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  최연익 ,  전병철 ,  지인환 ,  하민우

IPC: H01L29/74

Abstract: 본 발명은 부하의 단락시 전원부의 고전압으로 인해 전력소자가 파괴되는 것을 방지하기 위한 보호회로를 구비한 에미터 스위치 사이리스터에 관한 것이다.
본 발명은 보호회로에 의해 플로팅 에미터의 전압을 감지하여 EST의 안쪽 게이트 전압을 낮추어줌으로써 EST의 단락유지를 위해 필수적인 고전압 전류 포화특성을 얻을 수 있도록 하며, 본 발명에 의한 EST는 산업용 모터 제어에서 통상 요구되는 10㎲ 정도의 단락유지 특성을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020050039168A

公开(公告)日：2005-04-29

申请号：KR1020030074585

申请日：2003-10-24

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  이민철

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 특히 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 킹크전류(kink current)를 억제하기 위해 두 개의 게이트 전극을 비대칭적으로 형성하여 드레인 접합에 형성된 홀(hole)이 소스 전극까지 도달하는 것을 억제하여 포화 영역에서 킹크 전류가 억제되는 비대칭 듀얼 게이트를 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100485130B1

公开(公告)日：2005-04-25

申请号：KR1020020063570

申请日：2002-10-17

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  남우진 ,  정상훈 ,  문국철 ,  박기찬

IPC: H03K17/56

Abstract: 본 발명은 트랜지스터의 스위칭방법 및 이를 이용한 스위칭회로에 관한 것으로, 특히 용량성 결합(capacitive coupling)과 부트-스트래핑(boot-strapping)을 이용하여 N-형 트랜지스터의 경우 출력전압보다 낮은 전압을 갖는 입력 신호로도 트랜지스터를 턴-온(turn on)시키며, P-형 트랜지스터의 경우 출력전압보다 높은 전압을 갖는 입력신호로도 트랜지스터를 턴-온 시키는 기술에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100463028B1

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：KR1020020016134

申请日：2002-03-25

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  최연익 ,  오재근 ,  이유상 ,  전병철 ,  이승철

IPC: H01L29/74

Abstract: PURPOSE: A MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) controlled thyristor is provided to be capable of increasing the maximum controllable current of the MOS controlled thyristor and restraining the snap-back phenomenon of the MOS controlled thyristor by using a trench gate structure. CONSTITUTION: A MOS controlled thyristor is provided with a trench gate(203) for simultaneously forming a finger gate and a main gate by etching a plurality of trenches to the vertical direction of the trench gate before forming the trench gate and a P-type base(201) self-aligned by using the trench gate as a mask. At this time, the channel width of the main gate is increased through the trench gate. Preferably, a plurality of trenches are formed at the trench gate.

Abstract translation: 目的：提供MOS（金属氧化物半导体）控制晶闸管，以便能够通过使用沟槽栅极结构来增加MOS控制晶闸管的最大可控电流并抑制MOS控制晶闸管的回跳现象。 本发明的MOS控制晶闸管具有沟槽栅极（203），用于在形成沟槽栅极和P型基极之前，通过在沟槽栅极的垂直方向上蚀刻多个沟槽来同时形成指栅极和主栅极 （201）通过使用沟槽栅作为掩模来自对准。 此时，主栅极的沟道宽度通过沟槽栅极增加。 优选地，在沟槽栅极处形成多个沟槽。

公开(公告)号：KR1020030069293A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：KR1020020008776

申请日：2002-02-19

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정상훈 ,  남우진 ,  박기찬 ,  이재훈 ,  한민구

IPC: G09G3/30

CPC classification number: G09G3/3225 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/043

Abstract: PURPOSE: A pixel structure of an active matrix organic LED(Light Emitting Diode) display is provided to improve non-uniformity of a threshold voltage of a TFT(Thin Film Transistor) by using only four TFTs and one capacitor. CONSTITUTION: A pixel structure of an active matrix organic LED(Light Emitting Diode) display includes a data line, a selection line, an organic LED, a capacitor(C1), the first transistor(T1), the second transistor(T2), and a threshold voltage correction portion(T3,T4). The capacitor(C1) is used for storing the data voltage applied to the data line. The first transistor(T1) is used for turning on or turning off the data voltage according to voltage applied to the selection line. The second transistor(T2) is used for transmitting the current corresponding to a data value of the capacitor to the organic LED. The threshold voltage correction portion(T3,T4) stores a voltage difference between the voltage applied to the data line and the threshold voltage of the second transistor(T2).

Abstract translation: 目的：提供有源矩阵有机LED（发光二极管）显示器的像素结构，以通过仅使用四个TFT和一个电容器来改善TFT（薄膜晶体管）的阈值电压的不均匀性。 构成：有源矩阵有机LED（发光二极管）显示器的像素结构包括数据线，选择线，有机LED，电容器（C1），第一晶体管（T1），第二晶体管（T2）， 和阈值电压校正部（T3，T4）。 电容器（C1）用于存储施加到数据线的数据电压。 第一晶体管（T1）用于根据施加到选择线的电压来接通或关断数据电压。 第二晶体管（T2）用于将与电容器的数据值相对应的电流传输到有机LED。 阈值电压校正部（T3，T4）存储施加到数据线的电压与第二晶体管（T2）的阈值电压之间的电压差。

公开(公告)号：KR101066414B1

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：KR1020040035656

申请日：2004-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 유봉현 ,  한민구

IPC: G09G3/30

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0814 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2310/02 ,  G09G2310/0254 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2320/043

Abstract: 역방향 전압을 인가하여 트랜지스터의 특성을 유지하기 위한 유기발광소자의 구동소자 및 구동방법과, 이를 갖는 표시패널 및 표시장치가 개시된다. 제1 및 제2 구동부는 유기발광소자에 연결된다. 제1 스위칭부는 제1 프레임 동안 일방향의 제1 데이터 전압을 제1 구동부에 공급하고, 역방향의 제2 데이터 전압을 제2 구동부에 공급한다. 제2 스위칭부는 제2 프레임 동안 제2 데이터 전압을 제1 구동부에 공급하고, 제1 데이터 전압을 제2 구동부에 공급한다. 이에 따라, 트랜지스터의 제어전극에 일정 시간동안에는 일방향 전압을 인가하여 전하를 주입하고, 나머지 시간 동안에는 역방향 전압을 인가하여 트래핑된 전하를 다시 방출하므로써, 트랜지스터의 특성을 지속적으로 유지할 수 있다.
유기발광, EL, 역전압, 트랩핑, 전하, 아몰퍼스-실리콘, 열화

公开(公告)号：KR1020090055323A

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：KR1020070122188

申请日：2007-11-28

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  박현상

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H05B33/12

Abstract: An organic lighting emitting display is provided to reduce address time by removing a time for storing data voltage into a storage capacitor. A control electrode is electrically connected to a scanning line(Scan(n)), and a first switching device is electrically connected between a data line and a first node. An input terminal is electrically connected to the first node(N1) of a first inverter(Inv1), and an output terminal is electrically connected to a second Node(N2) of the first inverter. The input terminal of the second inverter(Inv2) is electrically connected to the output terminal of the first inverter.

Abstract translation: 提供有机发光显示器，通过去除用于将数据电压存储到存储电容器中的时间来减少寻址时间。 控制电极电连接到扫描线（Scan（n）），并且第一开关装置电连接在数据线和第一节点之间。 输入端子电连接到第一反相器（Inv1）的第一节点（N1），并且输出端子电连接到第一逆变器的第二节点（N2）。 第二反相器（Inv2）的输入端子电连接到第一反相器的输出端子。