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公开(公告)号：KR101472799B1
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：KR1020080054863
申请日：2008-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/2037 , G09G3/2081 , G09G2300/0842
Abstract: 디스플레이장치는 OLED(Organic Light Emitting Diode), 화상신호에의해상기 OLED에대한전류공급을스위칭하는드라이빙트랜지스터, 상기 OLED에대한전류의량을제어하는복수의전류제어트랜지스터를포함하는전류제어부;를구비한다. 이러한구조에따르면종래비해높은해상도와깊은색감표현이가능한디스플레이의구현이가능하다.
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公开(公告)号：KR101334177B1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：KR1020070016033
申请日：2007-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/42384 , H01L2029/7863
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 하부 구조체; 상기 하부 구조체 상에 다수의 도핑 영역을 포함하여 형성된 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성된 이격되어 형성된 제 1절연층 및 제 2절연층; 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층 상에 형성된 제 3절연층; 및 상기 제 3절연층의 상기 제 1절연층 및 상기 제 2절연층에 대응되는 영역 사이에 형성된 게이트 전극층;을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020060079519A
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：KR1020040117735
申请日：2004-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0417 , G09G2300/0823 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는, 발광 소자, 그리고 구동 전압과 발광 소자 사이에 연결되어 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 제1 및 제2 구동 트랜지스터를 포함한다. 이때, 제1 및 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자에 동일한 제어 전압 또는 서로 다른 극성의 제어 전압이 인가되며, 제1 구동 트랜지스터의 제어 단자 전극은 반도체 하부에 배치되어 있으며, 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자 전극은 반도체 상부에 배치되어 있다. 본 발명에 의하면, 2개의 구동 트랜지스터를 형성하면서도 이들이 화소에서 차지하는 면적을 줄일 수 있으며, 또한 서로 다른 극성의 제어 전압을 각 구동 트랜지스터에 인가함으로써 구동 트랜지스터의 열화를 방지할 수 있다.
표시 장치, 유기 발광 소자, 박막 트랜지스터, 축전기, 열화Abstract translation: 本发明涉及一种显示设备及其驱动方法，该显示装置连接在所述发光元件，并且驱动电压和发光元件之间包括第一和用于提供驱动电流到发光元件的第二驱动晶体管。 此时，相同的控制电压或不同的极性控制电压被施加到第一和第二驱动晶体管的控制端子，第一驱动晶体管的控制端子电极被设置在半导体下方， 电极布置在半导体上。 根据本发明，同时形成两个驱动器晶体管，他们可以减少由像素占用的面积，并且还可以防止驱动晶体管的劣化通过施加不同极性的控制电压施加到每个驱动晶体管。
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公开(公告)号：KR1020050110823A
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：KR1020040035656
申请日：2004-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0814 , G09G2300/0852 , G09G2310/02 , G09G2310/0254 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 역방향 전압을 인가하여 트랜지스터의 특성을 유지하기 위한 유기발광소자의 구동소자 및 구동방법과, 이를 갖는 표시패널 및 표시장치가 개시된다. 제1 및 제2 구동부는 유기발광소자에 연결된다. 제1 스위칭부는 제1 프레임 동안 일방향의 제1 데이터 전압을 제1 구동부에 공급하고, 역방향의 제2 데이터 전압을 제2 구동부에 공급한다. 제2 스위칭부는 제2 프레임 동안 제2 데이터 전압을 제1 구동부에 공급하고, 제1 데이터 전압을 제2 구동부에 공급한다. 이에 따라, 트랜지스터의 제어전극에 일정 시간동안에는 일방향 전압을 인가하여 전하를 주입하고, 나머지 시간 동안에는 역방향 전압을 인가하여 트래핑된 전하를 다시 방출하므로써, 트랜지스터의 특성을 지속적으로 유지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101207701B1
公开(公告)日：2012-12-03
申请号：KR1020060022682
申请日：2006-03-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/778
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 GaN계 반도체 소자의 항복전압을 높이고 누설전류를 감소시키는 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 GaN계 반도체 소자는, 절연성 기판과; 상기 절연성 기판 위에 형성되며, 고저항의 질화물계 반도체로 된 버퍼층과; 상기 버퍼층 위에 형성되며, 상기 버퍼층보다 밴드갭이 더 넓은 질화물계 반도체로 된 장벽층과; 상기 장벽층 위에 형성되며, 질화물계 반도체로 된 캡층과; 상기 캡층과 접촉하는 개별적인 전극으로서, 상기 캡층의 표면 일부를 덮지 않도록 된 소스/드레인 및 게이트 전극과; 상기 소스/드레인 및 게이트 전극에 의해 노출된 상기 캡층의 표면에 형성되어 표면트랩으로의 전자주입을 억제하는 산화막 패시베이션층을 포함함을 특징으로 한다.
GaN계 반도체, 고전자 이동도 트랜지스터, 쇼트키 장벽 다이오드, 표면트랩-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070092482A
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：KR1020060022682
申请日：2006-03-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L29/66462
Abstract: A nitride based semiconductor device and its manufacturing method are provided to improve forward and reverse characteristics of the device by preventing the injection of electrons into a surface trap of the device using a passivation layer made of silicon oxide. A nitride based semiconductor device includes an insulating substrate(101), a buffer layer(103) on the insulating substrate, a barrier layer, a first contact, and a passivation layer. The barrier layer(104) is formed on the buffer layer. The barrier layer is used for forming a two-dimensional electron gas layer between the buffer layer and the barrier layer itself. The first contact is formed on the barrier layer. At this time, the barrier layer is partially exposed to the outside. The passivation layer(109) is formed on the exposed portion of the barrier layer to prevent the injection of electrons into a surface trap. The passivation layer is made of silicon oxide.
Abstract translation: 提供一种基于氮化物的半导体器件及其制造方法，以通过防止使用由氧化硅制成的钝化层将电子注入器件的表面陷阱来改善器件的正向和反向特性。 氮化物基半导体器件包括绝缘衬底（101），绝缘衬底上的缓冲层（103），阻挡层，第一接触层和钝化层。 阻挡层（104）形成在缓冲层上。 阻挡层用于在缓冲层和阻挡层本身之间形成二维电子气层。 第一接触形成在阻挡层上。 此时，阻挡层部分地暴露于外部。 钝化层（109）形成在阻挡层的暴露部分上，以防止电子注入表面陷阱。 钝化层由氧化硅制成。
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公开(公告)号：KR1020060105301A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020050027978
申请日：2005-04-04
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0417 , G09G2300/0809 , G09G2300/0852 , G09G2310/0256 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는, 발광 소자, 구동 전압과 발광 소자 사이에 연결되어 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 제1 및 제2 구동 트랜지스터, 데이터 전압을 제1 및 제2 구동 트랜지스터에 각각 전달하는 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터, 그리고 데이터 전압을 받아 데이터 전압의 극성과 반대인 반전 전압을 생성하여 제1 및 제2 구동 트랜지스터에 각각 인가하는 제1 및 제2 반전부를 각각 포함하는 복수의 화소를 포함한다. 본 발명에 의하면 두 개의 반전부 및 두 개의 구동 트랜지스터를 구비함으로써 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 천이를 방지할 수 있으며, 이에 따라 유기 발광 표시 장치의 수명을 증가시킬 수 있다.
표시 장치, 유기 발광 다이오드, 박막 트랜지스터, 축전기, 데이터 전압, 반전부, 역바이어스-
公开(公告)号：KR101066414B1
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：KR1020040035656
申请日：2004-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0814 , G09G2300/0852 , G09G2310/02 , G09G2310/0254 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 역방향 전압을 인가하여 트랜지스터의 특성을 유지하기 위한 유기발광소자의 구동소자 및 구동방법과, 이를 갖는 표시패널 및 표시장치가 개시된다. 제1 및 제2 구동부는 유기발광소자에 연결된다. 제1 스위칭부는 제1 프레임 동안 일방향의 제1 데이터 전압을 제1 구동부에 공급하고, 역방향의 제2 데이터 전압을 제2 구동부에 공급한다. 제2 스위칭부는 제2 프레임 동안 제2 데이터 전압을 제1 구동부에 공급하고, 제1 데이터 전압을 제2 구동부에 공급한다. 이에 따라, 트랜지스터의 제어전극에 일정 시간동안에는 일방향 전압을 인가하여 전하를 주입하고, 나머지 시간 동안에는 역방향 전압을 인가하여 트래핑된 전하를 다시 방출하므로써, 트랜지스터의 특성을 지속적으로 유지할 수 있다.
유기발광, EL, 역전압, 트랩핑, 전하, 아몰퍼스-실리콘, 열화-
公开(公告)号：KR1020050110961A
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：KR1020040035944
申请日：2004-05-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/043 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/043
Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는 복수의 화소를 포함하며, 각 화소는, 발광 소자, 축전기, 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 주사 신호에 따라 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키며 데이터 전압을 구동 트랜지스터에 공급하는 제1 스위칭부, 그리고 발광 신호에 따라 구동 전압을 구동 트랜지스터에 공급하고 발광 소자와 축전기를 구동 트랜지스터에 연결하는 제2 스위칭부를 포함한다. 이때 축전기는 제1 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 데이터 전압과 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 의존하는 제어 전압을 저장하고 제2 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 제어 전압을 구동 트랜지스터에 다시 공급한다. 본 발명에 의하면 구동 트랜지스터와 유기 발광 소자의 문턱 전압이 열화되더라도 이를 보상하여 화질 열화를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101142994B1
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：KR1020040035944
申请日：2004-05-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/043 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/043
Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는 복수의 화소를 포함하며, 각 화소는, 발광 소자, 축전기, 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 주사 신호에 따라 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키며 데이터 전압을 구동 트랜지스터에 공급하는 제1 스위칭부, 그리고 발광 신호에 따라 구동 전압을 구동 트랜지스터에 공급하고 발광 소자와 축전기를 구동 트랜지스터에 연결하는 제2 스위칭부를 포함한다. 이때 축전기는 제1 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 데이터 전압과 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 의존하는 제어 전압을 저장하고 제2 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 제어 전압을 구동 트랜지스터에 다시 공급한다. 본 발명에 의하면 구동 트랜지스터와 유기 발광 소자의 문턱 전압이 열화되더라도 이를 보상하여 화질 열화를 방지할 수 있다.
표시 장치, 유기 발광 소자, 박막 트랜지스터, 축전기, 문턱 전압, 열화Abstract translation: 每个像素包括：发光元件; 电容器; 驱动晶体管，其具有控制端子，输入端子和输出端子，并且将驱动电流提供给发光元件以发光; 第一开关单元，所述第一开关单元响应于扫描信号二极管连接所述驱动晶体管并向所述驱动晶体管提供数据电压; 以及第二开关单元，所述第二开关单元响应于发射信号向所述驱动晶体管提供驱动电压并且将所述发光元件和所述电容器连接到所述驱动晶体管，其中，所述电容器通过所述第一开关单元连接到所述驱动晶体管， 控制电压是数据电压和驱动晶体管的阈值电压的函数，并且通过第二开关单元连接到驱动晶体管，以将控制电压提供给驱动晶体管。
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