公开(公告)号：KR100564535B1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：KR1019980008804

申请日：1998-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  최상준 ,  문주태

IPC: G03F7/004

Abstract: 포토레지스트, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 사진 식각 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 포토레지스트는 화학식 a의 3원 중합체를 포함한다.

상기 식 중, A1은 CHXOH, 및 A2는 수소이고 이 때 X= C1~20의 지방족 화합물; 또는 A1, A2가 함께 조합하여 YOH이며 이 때 Y는 C5~8 고리형 알킬기이다.
m 및 n은 정수이고, m/(m+n)은 0.1~0.9이다.
본 발명에 따른 포토레지스트는 열처리에 의해 교차 결합을 형성할 수 있다. 교차 결합이 형성된 포토레지스트를 식각 마스크로 사용하면 식각 내성이 증대되므로 사진 식각 공정의 효율을 향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR100421034B1

公开(公告)日：2004-03-04

申请号：KR1019990050903

申请日：1999-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  강율 ,  정정희 ,  우상균 ,  문주태

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40

Abstract: A method for forming a fine pattern in a semiconductor substrate, by coating a target layer to be etched on a semiconductor substrate with a resist composition including at least one compound capable of forming a photoresist pattern by a photolithography process, and a free radical initiator. The free radical initiator is capable of being decomposed by a thermal process at a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the at least one compound. A lithography process is performed on the resist compound layer to form a photoresist pattern. The resist compound layer having the photoresist pattern formed therein is heated to a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the at least one compound, and wherein a partial cross-linking reaction in the resist composition occurs.

Abstract translation: 一种在半导体衬底中形成精细图案的方法，该方法通过用包含至少一种能够通过光刻工艺形成光致抗蚀剂图案的化合物的抗蚀剂组合物在半导体衬底上涂覆待蚀刻层以及自由基引发剂来形成。 自由基引发剂能够在等于或高于至少一种化合物的玻璃化转变温度的温度下通过热过程分解。 在抗蚀剂化合物层上执行光刻工艺以形成光刻胶图案。 将其中形成有光致抗蚀剂图案的抗蚀剂化合物层加热至等于或高于所述至少一种化合物的玻璃化转变温度的温度，并且其中发生抗蚀剂组合物中的部分交联反应。

公开(公告)号：KR100261022B1

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：KR1019970051055

申请日：1997-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  박춘근 ,  고영범 ,  최상준 ,  정동원

IPC: G03F7/028

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/039

Abstract: PURPOSE: A chemically-amplified resist composition including a specific polymer and photoacid generator is provided to ensure excellent adhesiveness to membrane substrate, use typical developing solution and have superior etch-resistance when it is exposed at ArF excimer laser wavelength, by polymerizing Bi, Tri-cycle structural monomer made of alicyclic group and cyclic groups directly coupled one another. CONSTITUTION: The chemically-amplified resist composition includes a polymer of formula 1 (wherein R1 and R2 each represent C1-C10 aliphatic hydrocarbons having hydroxy or carboxylic acid groups; R3 is hydrogen or methyl group; R4 is t-butyl or tetrahydropyranyl; and m and n each are integer number) and PAG(Photoacid generator). Alternatively, the resist composition includes a polymer of formula 2 (wherein x represents cyclic or alicyclic compound having C5-C8; R1 is any one selected from hydrogen or methyl group; R2 is any one selected from t-butyl, tetrahydropyranyl, adamantyl groups; and m and n each are integer number satisfying n/(m+n)=0.1-0.5.

Abstract translation: 目的：提供一种包含特定聚合物和光致酸发生剂的化学增幅抗蚀剂组合物，以确保对膜基材的优异粘合性，使用典型的显影液，当通过ArF准分子激光波长曝光时具有优异的耐蚀刻性，通过聚合Bi，Tri 由脂环族和环状基团形成的环状结构单体直接相互结合。 构成：化学增幅抗蚀剂组合物包括式1的聚合物（其中R 1和R 2各自表示具有羟基或羧酸基团的C 1 -C 10脂族烃; R 3是氢或甲基; R 4是叔丁基或四氢吡喃基; m 和n各自为整数）和PAG（光酸生成剂）。 或者，抗蚀剂组合物包括式2的聚合物（其中x表示具有C5-C8的环状或脂环族化合物; R1为选自氢或甲基的任何一种; R 2为选自叔丁基，四氢吡喃基，金刚烷基中的任何一种; m和n分别为满足n /（m + n）= 0.1-0.5的整数。

公开(公告)号：KR1019990074908A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：KR1019980008804

申请日：1998-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  최상준 ,  문주태

IPC: G03F7/004

Abstract: 포토레지스트, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 사진 식각 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 포토레지스트는 화학식 1 또는 화학식 2의 3원 중합체를 포함한다.

상기 식중, R1은 탄소수 1 내지 20의 지방족 화합물이고,
m 및 n은 정수이고, m/(m+n)은 0.1 ∼ 0.9 임.

상기 식중, R2는 탄소수 5 내지 8의 고리형 알킬기이고,
m 및 n은 정수이고, m/(m+n)은 0.1 ∼ 0.9 임.
본 발명에 따른 포토레지스트는 열처리에 의해 교차 결합을 형성할 수 있다. 교차 결합이 형성된 포토레지스트를 식각 마스크로 사용하면 식각 내성이 증대되므로 사진 식각 공정의 효율을 향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1019980026821A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960045386

申请日：1996-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  강율 ,  이시형

IPC: C08L35/00

Abstract: 본 발명은 화학식 1의 고분자 및 PAG(photoacid generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.

식중, ,

公开(公告)号：KR102198023B1

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：KR1020130130382

申请日：2013-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이형래 ,  강율 ,  권성지

IPC: H01L21/027

Abstract: 기판을준비하고, 상기기판상에산 분해성기를갖는수지 (A1) 및산 발생제를포함하는레지스트조성물을도포하여포토레지스트층을형성하고, 상기포토레지스트층을노광하고, 유기용제 (C)를함유한현상액으로상기포토레지스트층을네거티브현상하여포토레지스트패턴을형성하고, 상기포토레지스트패턴이형성된상기기판상에수지 (A2) 및상기유기용제 (C)를포함하는캡핑조성물을도포하고, 및상기캡핑조성물을베이킹하고상기유기용제 (C)를함유한현상액으로현상하여상기포토레지스트패턴의상부면및 측면에캡핑층을부착하는것을포함하는반도체소자의패턴형성방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020170084820A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：KR1020160004135

申请日：2016-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 동진쎄미켐

Inventor： 류진아 ,  이정열 ,  문경렬 ,  강율 ,  김현진 ,  정유진 ,  한만호

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G18/022 ,  C09D175/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L28/00

Abstract: 포토레지스트의하부막조성물은적어도서로다른 2 종의이소시아누레이트유닛들이연결된반복단위를포함하는자가-가교(cross-linkable) 고분자, 및용매를포함한다.

Abstract translation: 光致抗蚀剂的下部膜组合物包含可交联聚合物和溶剂，所述可交联聚合物包含其中连接至少两个不同异氰脲酸酯单元的重复单元。

公开(公告)号：KR101654048B1

公开(公告)日：2016-09-05

申请号：KR1020090082645

申请日：2009-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형희 ,  강율 ,  문성호 ,  오석환 ,  한소라 ,  최성운

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

Abstract: 산의확산성질을이용유기막질간용해도가차이나는막을형성하고이를이용하여더블패턴닝마스크를만들어반도체소자의미세패턴형성하는방법을제공한다. 반도체기판상에다수의제 1 마스크패턴을형성하고, 상기다수의제 1 마스크패턴상에산을포함하는결합캡핑층을형성하고, 상기결합캡핑층에산을재제공하는산 수용액을제공하여결합캡핑층에산을재공급하고, 상기제 1 마스크패턴사이사이에제 2 마스크층을형성하고, 용해도차를이용상기산이재공급된결합캡핑층을제거제 2 마스크패턴을형성하고, 상기제 1 및제 2 마스크패턴으로피식각막을식각원하는패턴을형성한다.

公开(公告)号：KR101347284B1

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：KR1020070098405

申请日：2007-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  김학원 ,  김연주 ,  최성운 ,  김현우 ,  나혜섭 ,  김경택

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C309/65 ,  C07C381/12 ,  C07D327/06 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07D339/08 ,  G03F7/0392

Abstract: 발색기를 포함하지 않는 저분자량의 광산발생제 및 이를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물에 관하여 개시한다. 광산발생제는 다음 식 중 어느 하나로 표시된다.


R
1 , R
2 및 R
3 는 C
1 ∼ C
10 의 알킬기이고, X는 S
+ 와 함께 환을 형성하는 C
3 ∼ C
20 의 지환식 탄화수소기이고, X중 적어도 1 개의 CH
2 가 S, O, N, 케톤기, 또는 R
5 -S
+ A
- 로 치환 가능하다. R
2 및 R
3 는 -R
2 -R
3 - 로 결합 가능하다.
EUV, 광산발생제, 양이온, 저분자, 산 발생 효율, 탈가스

公开(公告)号：KR1020120010860A

公开(公告)日：2012-02-06

申请号：KR1020100072484

申请日：2010-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이형래 ,  강율 ,  윤경환 ,  김형희 ,  한소라 ,  박태회

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L27/10891 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2041

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to efficiently eliminate a residue with a simple and cheap process by eliminating the residue like scum remaining on a substrate through wet processing using acid diffusion. CONSTITUTION: A resist pattern(30P) is formed on a partial area of a substrate(10). A descum solution(50) including a acid source is touched with an outcome on which the resist pattern is formed. A resist residue(30S) remaining on the substrate surface is dissolved by using acid which is obtained from the acid source in the descum solution. A dissolved residue and the descum solution are removed from the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，通过使用酸扩散通过湿法处理消除残留在基底上的残留物，通过简单且便宜的方法有效地消除残留物。 构成：在衬底（10）的部分区域上形成抗蚀剂图案（30P）。 触摸包含酸源的除垢溶液（50），形成抗蚀剂图案的结果。 通过使用从除去溶液中的酸源获得的酸溶解残留在基材表面上的抗蚀剂残余物（30S）。 从底物中除去溶解的残留物和除去溶液。