公开(公告)号：KR1020050055074A

公开(公告)日：2005-06-13

申请号：KR1020030069727

申请日：2003-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고형호 ,  심우관 ,  김유경 ,  홍창기 ,  최상준

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 기상 불산 식각 과정을 이용한 얕은 트렌치 소자 분리(STI) 형성 방법을 제시한다. 본 발명의 일 관점에 따른 STI 형성 방법은, 반도체 기판에 트렌치(trench)를 형성하고, 트렌치를 메우는 버퍼층(buffer layer) 및 제1절연층을 형성한 후, 제1절연층에 수반된 보이드(void)를 제거하기 위해 제1절연층의 일부를 기상 불산(HF vapor)을 이용하는 식각으로 제거한다. 식각된 제1절연층 상에 트렌치를 채우는 제2절연층을 형성한다.

公开(公告)号：KR100389926B1

公开(公告)日：2003-07-04

申请号：KR1020010016326

申请日：2001-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이문희 ,  심우관 ,  고형호 ,  정종호

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10855

Abstract: A method of manufacturing a semiconductor device having a storage electrode of a capacitor is provided. The method includes the steps of: forming a contact hole perforating through an interlayer dielectric layer on a semiconductor substrate; forming a conductive plug to fill the contact hole and expose the surface of the interlayer dielectric layer; forming molds on the interlayer dielectric layer to expose the surface of the conductive plug; recessing the upper surface of the conductive plug to expose a portion of the sidewalls of the interlayer dielectric layer; forming an electrode layer to cover the recessed conductive plug, and the sidewalls of the interlayer dielectric layer and the molds; and removing upper surfaces of the electrode layer to make a storage electrode until molds are exposed. The method further includes the steps of: forming a conductive pad electrically connected to the semiconductor substrate and a lower insulating layer surrounding the conductive pad; and forming bit line stacks on the lower insulating layer, wherein the interlayer dielectric layer covers the bit line stacks, and the contact hole between the bit line stacks exposes the conductive pad.

Abstract translation: 提供了一种制造具有电容器的存储电极的半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：形成贯穿半导体衬底上的层间介电层的接触孔; 形成导电插塞以填充接触孔并暴露层间介电层的表面; 在层间介电层上形成模具以暴露导电插塞的表面; 使导电插塞的上表面凹陷以暴露层间介电层的一部分侧壁; 形成电极层以覆盖凹陷的导电插塞以及层间介电层和模具的侧壁; 去除电极层的上表面以形成存储电极直到模具暴露。 该方法还包括以下步骤：形成电连接到半导体衬底的导电焊盘和围绕导电焊盘的下绝缘层; 以及在下绝缘层上形成位线堆叠，其中层间介电层覆盖位线堆叠，并且位线堆叠之间的接触孔暴露导电焊盘。

公开(公告)号：KR100389917B1

公开(公告)日：2003-07-04

申请号：KR1020000052661

申请日：2000-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박임수 ,  이근택 ,  권영민 ,  하상록 ,  심우관 ,  고형호

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C02F1/4618 ,  C02F2001/46161 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/46145 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/06 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02074 ,  Y02E60/366

Abstract: A wet process performed in the manufacture of semiconductor devices with cathode water and anode water produced from electrolyte using a 3-cell electrolyzer having an intermediate cell for the electrolyte. The 3-cell electrolyzer includes an anode cell, a cathode cell, and an intermediate cell between the anode and cathode cells, which are partitioned by ion exchange membranes. Deionized water is supplied into the anode and cathode cells, and the intermediate cell is filled with an electrolytic aqueous solution to perform electrolysis. The anode water containing oxidative substances or the cathode water containing reductive substances, which are produced by the electrolysis process, are used in the wet process.

Abstract translation: 在制造具有阴极水和阳极水的半导体器件中使用具有用于电解质的中间单元的3单元电解器的湿法工艺。 3电池电解槽包括阳极槽，阴极槽和阳极槽和阴极槽之间的中间槽，它们通过离子交换膜隔开。 将去离子水供应到阳极和阴极单元中，并且用电解水溶液填充中间单元以执行电解。 在湿法中使用通过电解过程产生的含氧化物质的阳极水或含还原物质的阴极水。

公开(公告)号：KR1019990053453A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970073079

申请日：1997-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고형호 ,  손홍성

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명에 의한 반도체 소자 형성방법은, 반도체 기판 내에 소정 깊이의 셜로우 트렌치를 형성하는 공정과, 상기 셜로우 트렌치 내부의 박닥면과 측벽에 소정 두께의 제 1 산화막을 형성하는 공정과, 상기 셜로우 트렌치 측벽의 제 1 산화막을 소정 두께 등방성 식각하는 공정 및, 상기 셜로우 트렌치 내부에 제 2 산화막 재질의 필드 산화막을 형성하는 공정으로 이루어져, ST 내부에 형성된 제 1 산화막의 측벽 프로파일 특성을 개선할 수 있게 되므로, 상기 ST 내에 필드 산화막을 형성하기 위한 제 2 산화막 증착 공정 진행시 상기 막질 내에 보이드가 생성되는 것을 막을 수 있게 되어, 필드 산화막의 절연 특성과 반도체 소자의 동작 신뢰성이 저하되는 현상을 방지할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR101652825B1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：KR1020090071303

申请日：2009-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정윤송 ,  고형호 ,  한성재 ,  김경노 ,  전찬욱

IPC: H01L21/302

CPC classification number: G03F1/82

Abstract: 본발명은포토마스크(photomask)의세정방법에관한것으로, 보호하고자하는패턴(pattern)이형성되는제1 영역및 제1 영역의바깥쪽에위치하고제거하고자하는물질이존재하는제2 영역을포함하는포토마스크를제공하고, 상기물질을제거하기위하여제2 영역의안쪽에서바깥쪽의방향으로세정액을분사하며, 세정액으로부터패턴을보호하기위하여제1 영역에서제2 영역의방향으로기체를블로잉(blowing)한다.

公开(公告)号：KR1020160013661A

公开(公告)日：2016-02-05

申请号：KR1020140095734

申请日：2014-07-28

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  충남대학교산학협력단

Inventor： 김종팔 ,  고형호 ,  이탁형

IPC: A61B5/04 ,  A61B5/05

CPC classification number: H03K7/06 ,  A61B5/053 ,  A61B5/0531 ,  A61B5/0537 ,  A61B5/0809 ,  A61B5/7225 ,  A61B5/7228 ,  H03F1/02 ,  H03F3/00 ,  H03F2200/261

Abstract: 신호처리장치및 방법, 생체신호처리방법및 장치가개시된다. 신호처리장치는측정신호의주파수성분을가지는제1 기준신호및 증폭기의주파수대역폭에포함되는주파수성분을가지는제2 기준신호에기초하여제1 제어신호를생성할수 있다. 신호처리장치는제1 제어신호를이용하여측정대상으로부터측정된제1 신호를주파수성분이증폭기의주파수대역폭에포함되는제2 신호로변환할수 있다. 신호처리장치는제2 신호를증폭한후 관심주파수대역의신호로변환하여출력할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种处理信号的装置和方法，以及处理生物信号的装置和方法。 信号处理装置能够基于具有测量信号的频率分量的第一参考信号和具有包括在放大器的频率带宽中的频率分量的第二参考信号来生成第一控制信号。 信号处理装置能够通过使用第一控制信号将从测量目标测量的第一信号转换成放大器的频率带宽中包括频率分量的第二信号。 信号处理装置放大第二信号，然后将第二信号转换成感兴趣的频带中的信号，以输出该信号。

公开(公告)号：KR1020160004102A

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：KR1020140082537

申请日：2014-07-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종팔 ,  이탁형 ,  고형호

IPC: G01R27/02 ,  G01D5/16

CPC classification number: H03K3/01 ,  G01L9/0054 ,  G01R17/105

Abstract: 전기적신호를처리하는신호처리방법및 장치가개시된다. 신호처리장치는제1 운용모드에서제1 전기신호를가변임피던스부에공급하고, 증폭부를이용하여가변임피던스부로부터출력되는전압신호를증폭할수 있다. 신호처리장치는제1 운용모드에서증폭부로부터출력되는전압신호를샘플링하고, 제2 운용모드에서제1 운용모드에서샘플링했던전압신호를홀드할수 있다. 신호처리장치는제2 운용모드에서증폭부에입력되는전압신호에기초하여제2 전기신호를생성하고, 생성한제2 전기신호를가변임피던스부에공급할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种用于处理电信号的方法和装置。 用于处理信号的装置可以在第一操作模式中向可变阻抗单元提供第一电信号; 通过使用放大单元放大从可变阻抗单元输出的电压信号; 在第一操作模式中对从放大单元输出的电压信号进行采样; 在第二操作模式中保持已经在第一操作模式中采样的电压信号; 基于在第二操作模式中输入到放大单元的电压信号产生第二电信号; 并将产生的第二电信号提供给可变阻抗单元。

公开(公告)号：KR1020150016056A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：KR1020130121501

申请日：2013-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이한신 ,  고수완 ,  김진수 ,  최재혁 ,  고형호

IPC: G03F1/24 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/68 ,  G03F1/78 ,  H01L21/0274

Abstract: The present invention aims to provide a reflective photomask blank which can be used for providing a photomask having a structure by which a life span of the photomask can be extended by minimizing damage on a film constituting the EUV photomask. The reflective photomask includes: a multi-reflection film; a capping layer which is formed on the multi-reflection film and includes transition metals; a passivation film which contacts at least a portion of the capping layer on a side opposite to the multi-reflection layer in the capping layer and includes transition metals and nitrogen atoms; and a light absorption pattern covering a portion of the capping layer.

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种反射式光掩模坯料，其可用于提供具有通过使对构成EUV光掩模的膜的损伤最小化而使光掩模的寿命延长的结构的光掩模。 反射光掩模包括：多反射膜; 覆盖层，其形成在多反射膜上并且包含过渡金属; 钝化膜，其在所述覆盖层中与所述多反射层相反的一侧接触所述覆盖层的至少一部分，并且包括过渡金属和氮原子; 以及覆盖覆盖层的一部分的光吸收图案。

公开(公告)号：KR1020110132660A

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：KR1020100052109

申请日：2010-06-03

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 최재혁 ,  김원정 ,  김호영 ,  고형호 ,  오종근 ,  전찬욱 ,  박근환

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B08B3/12 ,  G03F1/82 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67057

Abstract: PURPOSE: A megasonic cleaning method and device are provided to improve a surface washing effect by creating micro-cavities with high power which is offered from a bubbling creating part and to prevent the generation of faults in a pattern which is formed in a substrate. CONSTITUTION: A cleaning object is loaded(S10). A micro cavity for washing the cleaning object is created(S12). Micro cavities which have stable vibration by the cleaning object are only transferred to a loaded space(S14). Micro cavities which have unstable vibration are destroyed or eliminated when the cleaning object is transferred to the loaded space. Second power for maintaining the vibration of the micro cavity is provided(S16). The surface of the cleaning object is washed using micro cavities of the stable vibration(S18).

Abstract translation: 目的：提供一种兆声波清洗方法和装置，通过产生从发泡产生部分提供的高功率的微腔，并防止在衬底中形成的图案中产生缺陷，从而提高表面洗涤效果。 构成：加载清洁对象（S10）。 产生用于清洗清洁物体的微腔（S12）。 通过清洁对象具有稳定振动的微腔仅被传送到加载空间（S14）。 当清洁对象被传送到装载的空间时，具有不稳定振动的微腔被破坏或消除。 提供了维持微腔振动的第二功率（S16）。 使用稳定振动的微腔清洗清洁对象的表面（S18）。

公开(公告)号：KR100652407B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020050027799

申请日：2005-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이효산 ,  고형호 ,  홍창기 ,  최상준

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063

CPC classification number: H01L29/78696 ,  C09K13/08 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

Abstract: 습식식각 조성물은 과초산(PAA) 및 불화산(fluorinated acid)을 포함하고, 실질적으로 CMOS 소자의 PMOS 트랜지스터를 위한 SiGe:Si의 식각속도와 동일한 CMOS 소자의 NMOS 트랜지스터를 위한 SiGe:Si의 식각속도를 확보하기에 충분한 상기 조성물에 있어서 상기 산화제의 상대적인 양을 포함한다. 상기 습식식각 조성물은 이후에 PAA계 식각액으로 불리우고 CMOS MBCFET를 제조하는 데 사용된다.
식각액, 습식식각, 과초산, 불화산