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公开(公告)号：KR1020090058768A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：KR1020070125515
申请日：2007-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/70
CPC classification number: H01L31/1105
Abstract: A bipolar phototransistor for a short wavelength and a manufacturing method thereof are provided to improve the characteristic of a leakage current by forming an anti-depletion layer in a surface of a base. A first base is formed in a base region(20) by the high energy ion implantation of a first type impurity. A second oxide film is formed in the front side of the substrate. An emitter region(30) and a blocking region are defined in a second oxide film. A second emitter and a second blocking layer are formed by ion-implanting a second impurity to the emitter region and the blocking region. A second anti-depletion layer is formed by ion-implanting the second impurity to the surface of the first base.
Abstract translation: 提供一种用于短波长的双极光电晶体管及其制造方法，以通过在基底表面形成抗耗尽层来改善漏电流的特性。 通过第一类型杂质的高能离子注入，在基极区（20）中形成第一基底。 第二氧化膜形成在基板的正面。 在第二氧化物膜中限定发射极区域（30）和阻挡区域。 通过向发射极区域和阻挡区域离子注入第二杂质形成第二发射极和第二阻挡层。 通过将第二杂质离子注入第一基底的表面形成第二抗耗尽层。
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公开(公告)号：KR100872775B1
公开(公告)日：2008-12-09
申请号：KR1020070077862
申请日：2007-08-02
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: The horizontal diffusion furnace for fabricating semiconductor wafer is provided to facilitate the loading of the silicon wafer in the boat by using a boat having a cover in the thermal oxidation process of the semiconductor wafer. The horizontal diffusion furnace for fabricating semiconductor wafer comprises the reaction chamber(11), the boat(15), the support stand, the carriage(19), the gas injector(17), the gas inlet pipe(13). The reaction chamber has the heating coil(12). The boat has the cover(152) for opening and closing. One or more wafer(16) can be loaded on the boat. The support stand supports the boat. The carriage is combined with the one-side part of the support stand. The carriage moves the boat supported by the support stand to the reaction chamber. The gas injector is formed in the one-side part of the support stand. The gas injector injects the gas into the boat in which wafer is loaded. The gas inlet pipe is formed in the longitudinal direction of the support stand to supply the gas injected through the gas injector to the boat.
Abstract translation: 提供用于制造半导体晶片的水平扩散炉，以通过在半导体晶片的热氧化过程中使用具有盖的船来促进硅晶片在船中的装载。 用于制造半导体晶片的水平扩散炉包括反应室（11），船（15），支撑架，托架（19），气体注入器（17），进气管（13）。 反应室具有加热线圈（12）。 船具有用于打开和关闭的盖（152）。 一个或多个晶片（16）可以装载在船上。 支撑架支撑船。 托架与支撑架的单侧部分组合。 托架将由支撑架支撑的船移动到反应室。 气体喷射器形成在支撑架的一侧部分中。 气体喷射器将气体注入到其中装载晶片的船中。 气体入口管沿着支撑台的纵向方向形成，以将通过气体喷射器喷射的气体供应到船上。
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公开(公告)号：KR100864869B1
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：KR1020070057085
申请日：2007-06-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/48 , H01L27/14 , H01L31/0224
Abstract: 본 발명은 광 배선 전자소자에 관한 것으로, 송수신부, 즉, 광 방출기 및 광 검출기의 구성이 간단한 광 배선 전자소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 광 배선 전자소자는 실리콘 기판 상에 형성되는 제1 실리콘칩; 상기 제1 실리콘칩과 연결되도록 상기 실리콘 기판 상에 형성되어, 상기 제1 실리콘칩으로부터의 전기신호를 입력받아 다중 광 신호로 출력하는 광 방출기; 상기 실리콘 기판 상에 상기 광 방출기와 연결되어 상기 다중 광 신호를 감지하여 다중 전기신호로 변환하는 광 검출기; 상기 실리콘 기판 상에서 상기 광 검출기와 연결되어 상기 광 검출기에서 출력되는 상기 다중 전기 신호를 입력받는 제2 실리콘칩; 및 상기 광 방출기와 상기 광 검출기를 연결하는 다중 채널 파이버를 포함하되, 상기 광 방출기는 실리콘-게르마늄 중간층과 상기 실리콘-게르마늄 중간층 상에 형성된 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 전력소모가 적을 뿐만 아니라 소형 칩으로 제작이 가능하며 제조 비용을 절감할 수 있다.
광 배선 전자소자, 광배선, 광 검출기, 실리콘-게르마늄 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체-
公开(公告)号：KR100782312B1
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：KR1020060104179
申请日：2006-10-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/146 , B82Y20/00
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14609
Abstract: A high quality CMOS image sensor and a photo diode are provided to reduce the signal loss of a short wavelength by using a high concentration p-type SiGeC thin film. An inner n-type region(16(deep-N)) is formed on a lower portion of a surface of a p-type well(14(p-well)). A photo diode includes a surface p-type region(18) formed with a high concentration p-type SiGeC epi layer or a poly thin film that are deposited on the surface of the p-type well on an upper portion of the n-type region. A transfer transistor transfers a photo-induced charge generated from the photo diode to a floating diffusion node. A driving transistor amplifies a potential change of the floating diffusion node by the photo-induced charge. The floating diffusion node region includes an n-type signal transfer layer for applying potential from a drain of the transfer transistor and a gate of the driving transistor. Doping density of the p-type well adjacent to the lower part of the n-type signal transfer layer is 6X10^15/cm^3 to 1X10^16/cm^3. Doping density of the inner n-type region is 7X10^15/cm^3 to 1X10^16/cm^3.
Abstract translation: 提供了高质量CMOS图像传感器和光电二极管，以通过使用高浓度p型SiGeC薄膜来减少短波长的信号损失。 内部n型区域（16（深N））形成在p型阱（14（p阱））的表面的下部。 光电二极管包括形成有高浓度p型SiGeC外延层或多晶薄膜的表面p型区域（18），其沉积在n型阱上部的p型阱表面上 地区。 传输晶体管将从光电二极管产生的光感应电荷传输到浮动扩散节点。 驱动晶体管通过光感应电荷放大浮动扩散节点的电位变化。 浮动扩散节点区域包括用于从转移晶体管的漏极和驱动晶体管的栅极施加电位的n型信号传递层。 与n型信号转移层的下部相邻的p型阱的掺杂密度为6×10 ^ 15 / cm 3〜1×10 ^ 16 / cm 3。 内部n型区域的掺杂密度为7×10 ^ 15 / cm 3〜1×10 ^ 16 / cm 3。
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公开(公告)号：KR100668414B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020050070624
申请日：2005-08-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H02M1/14
Abstract: 본 발명의 목적은 두 개의 피드백 루프를 적용한 회로를 구현하여, 낮은 전압에서도 동작이 가능한 구조를 가지며, 전원 노이즈를 억제하기 위하여 높은 PSRR(Power Supply Rejection Ratio) 특성을 가지도록 하였으며, 더불어 기존의 일반적인 기준 전압 발생기에서 나타나는 전압-전류 변환기가 필요하지 않은 구조를 갖는 낮은 기준 전류발생기를 제공하는 것이다.
본 발명은 소정의 전류를 전달받아 제 1 전압을 발생하되 상기 제 1 전압은 온도에 대응하여 전압레벨이 감소하는 제 1 전압발생부, 제 2 전압을 발생하되 상기 제 2 전압은 온도에 대응하여 전압레벨이 높아지는 제 2 전압발생부, 상기 제 1 전압에 대응한 제 1 전류를 발생하는 제 1 전류 발생부, 상기 제 2 전압에 대응한 제 2 전류를 발생하는 제 2 전류 발생부 및 상기 제 1 및 제 2 전류를 전달받아 상기 제 1 및 제 2 전류가 합산된 기준전류를 생성하는 기준전류 발생부를 포함하는 기준전류 발생기를 제공하는 것이다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060067189A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040105702
申请日：2004-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03K23/667 , H03L7/193 , H03L7/1976
Abstract: 본 발명은 위상고정루프를 이용한 Fractional-N 주파수 합성기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 주파수 합성기는 고차 시그마-델타 변조기, 펄스-스왈로우 방식의 다중모드 분주기, 저위상잡음을 갖는 부궤환 방식의 LC-공조 전압제어발진기를 포함한다. 이러한 구성에 의해, 본 발명의 시그마-델타 Fractional-N 주파수 합성기는 시그마-델타에 의한 노이즈 쉐이핑과 우수한 스퓨리어스 억제 기능을 가진다.
fractional-N 주파수 합성기, 위상고정루프, 시그마-델타, 펄스-스왈로우, 다중모드 분주기, LC-공조 전압제어발진기-
公开(公告)号：KR100549223B1
公开(公告)日：2006-02-03
申请号：KR1020030096029
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03B5/08
CPC classification number: H03B5/1231 , H03B5/1215 , H03B5/1221 , H03B5/1243
Abstract: 본 발명은 무선통신 단말기(wireless communication terminal)에 사용되는 전압제어발진기(VCO: Voltage-Controlled Oscillator)로 전류궤환 회로(current feedback network)를 내장한 구조이다. 이와 같은 전류궤환 회로를 내장한 전압제어발진기는 높은 입력임피던스와 낮은 출력임피던스를 나타내므로 외부 부하와의 격리도가 좋아서 부하에 의해서 발진기 전체 회로의 양호도(Q-factor)가 나빠지는 것이 방지된다. 본 발명의 전류 궤환형 전압제어발진기는 정궤환(positive feedback)을 발생시키는 LC 공진회로가 있으며, LC 공진기의 가변 커패시터를 조정해서 더 넓은 주파수 범위에서 부성저항(negative resistance)을 갖게 하였다. 또한 정궤환 루프(loop)에 부스팅 인덕터를 삽입시켜서 더 큰 부성저항을 갖게 해서 회로 제작시 발생하는 기생 저항성분때문에 발진이 발생하지 않는 것을 보완하였다.
전류궤환형 전압제어발진기(voltage-controlled oscillator using current feedback network) 부스팅 인덕터(boosting inductor), 궤환 루프(feedback loop).-
公开(公告)号：KR1020050064569A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030096041
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/092 , H01L21/8228
Abstract: 본 발명은 응력이 인가된 얇은 실리콘-게르마늄층 및 실리콘 캡층을 포함하는 실리콘/실리콘-게르마늄/실리콘 시모스(CMOS) 소자에 관한 것으로, n-채널 소자와 p-채널 소자의 실리콘 캡층이 서로 다른 두께로 형성된다. p-채널 소자의 실리콘 캡층을 얇게 형성하여 유효 게이트-절연막 캐패시턴스를 감소시키는 동시에 절연막 계면에서의 기생 채널 형성이 최소화되도록 하고, n-채널 소자의 실리콘 캡층을 두껍게 형성하여 대부분의 채널이 실리콘 캡층에 형성되도록 하므로써 두 소자의 전자 이동도 및 전기적 특성이 향상될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050053417A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：KR1020030086660
申请日：2003-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67115 , F27B17/0025 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/31662
Abstract: 본 발명은 래디칼 보조 산화 장치에 관한 것으로, 다수의 반응가스를 공급하기 위한 가스공급 시스템, 상기 가스 공급 시스템으로부터 공급되는 상기 반응가스를 분해하여 래디칼을 생성하는 래디칼 소스, 상기 래디칼 및 반응가스를 공급받으며, 열처리를 위해 다수의 램프를 구비하는 성장 챔버, 상기 성장 챔버로 웨이퍼를 이송하기 위한 로드-록 챔버, 상기 성장 챔버의 내부를 진공으로 만들고 반응가스를 배출시키기 위한 진공 시스템, 및 상기 가스공급 시스템, 래디칼 소스, 성장 챔버, 로드-록 챔버 및 진공 시스템의 동작을 제어하기 위한 제어 시스템으로 구성된다.
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公开(公告)号：KR100491051B1
公开(公告)日：2005-05-24
申请号：KR1020020052210
申请日：2002-08-31
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L31/102 , H01L33/08 , H01L33/18
Abstract: 본 발명은 이중 구조의 나노점을 형성하여 전자와 정공이 구속되는 밀도를 높임으로써 발광과 수광하는 광전효과를 증가시킨 광전소자 및 그 제조방법을 제공하는 것으로, 반도체 기판상에 형성된 전자주입층, 나노점 및 전공주입층을 포함하여 구성되는 광전소자에 있어서, 나노점은 외부 나노점과 내부 나노점의 이중 구조로 이루어진 광전소자와 반도체 기판상에 전자주입층을 형성하는 단계, 전자주입층 상에 에피성장으로 나노점층을 성장시키는 단계, 열처리를 통하여 나노점은 외부 나노점과 내부 나노점의 이중 구조로 형성하는 단계 및 전체구조상에 정공주입층을 형성하는 단계를 포함하는 광전소자의 제조방법을 제공한다.
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