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公开(公告)号：KR100426495B1
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：KR1020010086832
申请日：2001-12-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/102 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L51/0504 , B82Y10/00 , H01L51/0048
Abstract: The present invention relates to a semiconductor device using a single carbon nanotube and a method of manufacturing the same. In a process of manufacturing a bipolar transistor using a p-n junction, a given region of a single carbon nanotube of a N type is exposed by means of a common semiconductor manufacturing process and the exposed portion of a carbon nanotube of a P type is then made to be a carbon a single carbon nanotube of a N type by means of a doping process, thus forming a P-N-P or N-P-N bipolar transistor. Therefore, the present invention can improve the integration degree and the operating speed of the device.
Abstract translation: 本发明涉及使用单个碳纳米管的半导体器件及其制造方法。 在使用pn结制造双极晶体管的过程中，通过共同的半导体制造工艺暴露N型单个碳纳米管的给定区域，然后制成P型碳纳米管的暴露部分 通过掺杂工艺成为N型单碳纳米管的碳，从而形成PNP或NPN双极晶体管。 因此，本发明可以提高装置的集成度和运行速度。
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公开(公告)号：KR1019990047342A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065703
申请日：1997-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 금속 배선간의 연결을 금속비아 기둥을 이용하되, 여기에 금속비아 기둥이 연속되는 공정 과정중에 쓰러지는 문제점을 보완함으로써, 소자의 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 다층 금속 배선방법이 개시되어 있다. 본 발명은, 금속배선 회로를 정의할때, 감광막 대신 금속 비아 기둥을 지지하는 절연막을 이용하여 금속식각을 수행하는 방법을 고안함으로써, 미세형상 형성을 용이하게 할 수 있도록 하였다. 금속 배선간의 전기적인 절연은 절연막 증착, SOG 갭-채움,절연막 증착을 통하여 이루어지며, CMP 공정기술을 이용하여 비아 기둥의 최상면이 드러나는 지점을 기준으로 평탄화를 수행한 후 2차 금속배선을 형성시킨다. 이후, 2차 금속배선 이전 까지의 단계를 반복 수행함으로써, 수율이 향상되고 공정이 용이한 다층 금속배선을 형성한다.
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公开(公告)号：KR1019980045950A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960064202
申请日：1996-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명의 고전압 전력소자는 층간 절연막을 게이트측에서 드레인영역측으로 경사지게 형성하고, 이 층간 절연막상에 그의 일측이 게이트와 중첩(overlap)되며, 타측이 드레인영역(33)과 접속되는 V-자형 구조를 가지는 드레인 금속 전계판을 형성한 구성을 가지고 있다.
이러한 드레인 금속 전계판을 추가로 형성한 본 발명의 전력소자는 드레인 전압이 증가할 수록 금속 전계판에 가해지는 전압이 증가하고 이에 의한 수직 전계(vertical electric field)에 의해 수평전계가 감소하게 된다.
따라서, 드레인으로부터 거리에 반비례하여 수직전계를 가해줌으로서 핀치저항을 드레인 부근에 만들고, 드레인 전압이 낮은 경우 핀치저항이 발생하지 않으므로 저항 특성이 개선되어 드레인 전압이 증가할 수록 드레인으로부터 핀치저항이 증가하는 특성을 가지고 있어 고 전압에 사용이 가능하다.-
公开(公告)号：KR1019960000361B1
公开(公告)日：1996-01-05
申请号：KR1019910024252
申请日：1991-12-24
IPC: H01L21/28
Abstract: forming the first metal pattern after depositing the metal layer on a silicon substrate; forming a connecting metal layer by patterning as a reactive ion etching using gases of CI species as the metal layer after depositing the etching stop layer and metal layer on the silicon substrate where the first metal layer is formed; processing as SF6 gas to eliminate exposed part of the etching stop layer simultaneously as eliminating the gas of CI species; exposing the upper part of connecting metal layer by flattening the interlayer insulating film after depositing the interlayer insulating film on the whole surface; forming a pattern of the second metal layer after depositing the metal layer on top of interlayer insulating film and connecting metal layer.
Abstract translation: 在将所述金属层沉积在硅衬底上之后形成所述第一金属图案; 通过在将形成第一金属层的硅基板上沉积蚀刻停止层和金属层之后，通过使用Cl物质的气体作为金属层通过图案化作为反应离子蚀刻来形成连接金属层; 作为SF6气体处理，以消除CI物质的气体同时消除暴露的部分蚀刻停止层; 在层间绝缘膜沉积在整个表面上之后使层间绝缘膜平坦化，使连接金属层的上部暴露; 在将金属层沉积在层间绝缘膜和连接金属层的顶部上之后，形成第二金属层的图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101711087B1
公开(公告)日：2017-02-28
申请号：KR1020100124443
申请日：2010-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L27/146 , H01L31/103 , H01L31/107
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/1461 , H01L27/14683 , H01L31/107
Abstract: 실리콘포토멀티플라이어및 그제조방법이제공된다. 실리콘포토멀티플라이어는제 1 도전형반도체층, 제 1 도전형반도체층의아래에형성되며, 제 1 도전형반도체층보다불순물농도가높은제 1 도전형매몰층, 제 1 도전형반도체층상에서로이격되어형성된소멸저항들, 제 1 도전형반도체층상에형성되며, 소멸저항들을노출하는투명절연체, 소멸저항들아래에형성되어제 1 도전형반도체층과접하는제 2 도전형의상부도핑층들및 투명절연체및 소멸저항들의상면들을덮으며, 소멸저항들과전기적으로공통연결되는투명전극을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160101311A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：KR1020150023559
申请日：2015-02-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B81C1/00079 , B81C1/0046 , B81C1/00714 , B81C2201/015 , B82B3/0019 , B82B3/0095
Abstract: 본발명의실시예에따른마이크로-나노계층구조형성방법은몰드-기반리소그래피를이용하여마이크로구조체를형성하는단계; 및대기압플라즈마에칭을이용하여상기마이크로구조체표면에나노구조체를형성하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案，形成微纳米级结构的方法包括：使用基于模具的光刻形成微结构的步骤; 以及使用大气压等离子体蚀刻法在微结构体的表面上形成纳米结构的工序。 本发明的目的是提供一种形成微纳米级结构的方法，使得微纳米层次结构具有大的面积。
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公开(公告)号：KR1020150115624A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：KR1020150023301
申请日：2015-02-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05H1/34
Abstract: 플라즈마발생장치는플라즈마발생부및 플라즈마배출부를포함한다. 플라즈마발생부는플라즈마를생성한다. 플라즈마배출부는생성된플라즈마를배출한다. 플라즈마배출부는플라즈마발생부로부터생성된플라즈마를복수의플라즈마흐름으로분산시킨다. 따라서, 플라즈마가발생되었을때 유체의압력에의해서플라즈마역류를방지할수 있고, 또한플라즈마가형성되었을때 유체에의해서역류되는플라즈마및 유체의혼합물에의해서노즐이변형되는것을방지할수 있다.
Abstract translation: 等离子体发生装置包括等离子体产生单元和等离子体放电单元。 等离子体产生单元产生等离子体。 等离子体放电单元对所产生的等离子体进行放电。 等离子体放电单元将从等离子体发生单元产生的等离子体分散成多个等离子体流。 因此，当产生等离子体时，可以通过流体的压力来防止等离子体回流，并且当形成等离子体时，可以防止喷嘴被流体和流体向后流动的等离子体的混合物变形 。
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公开(公告)号：KR1020150059093A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020140139178
申请日：2014-10-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은메쉬구조를포함하고메쉬구조를통해액상물질을분사하는진동자및 그것의제조방법에관한것이다. 본발명에따른메쉬구조를포함하는진동자는외부로부터유체가유입되는중공(中空)을포함하는진동자구조부, 중공과맞닿고복수의홀을포함하는다공성메쉬를포함하는메쉬구조부및 진동자구조부의진동을야기하는전류를진동자에유입또는유출시키는전극부를포함하고, 진동자구조부및 메쉬구조부는일체화된물체로서형성된다.
Abstract translation: 振动器及其制造方法技术领域本发明涉及一种振动器，其特征在于，具有网状结构，并通过所述网状结构喷射液相材料及其制造方法。 根据本发明，包括网状结构的振动器包括：振动器结构单元，其包括从外部供应流体的中空部; 网状结构单元，其包括与所述中空部接触并且包括多个孔的多孔网状物; 以及供应或排出电流的电极单元，其引起振动器结构单元对振动器的振动。 振动器结构单元和网状结构形成为一体的材料。
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公开(公告)号：KR1020110004024A
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：KR1020090061620
申请日：2009-07-07
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: A61M37/0015 , A61B5/14514 , A61B5/685 , A61M2037/0053 , Y10T29/49885 , Y10T29/4998 , Y10T156/1062
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a hallow microneedle structure for a syringe is provided to secure the vertical profile and uniformity of the needle by using a hollow core. CONSTITUTION: A method for manufacturing a hallow microneedle structure for a syringe comprises next steps. A hollow core is coated with coating solution in a longitudinal direction. The hollow core coated to the coating solution is solidified to form a coating layer. The seed metal is evaporated on the coating layer surface. The metal plating is performed on the seed metal surface in order to form a plating layer. The hollow core and coating layer are eliminated to form a hollow(150). The external diameter of the micro needle is 40~200μm. The inside diameter of the micro needle is 10~150μm.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造用于注射器的中空微针结构的方法，以通过使用中空芯来确保针的垂直轮廓和均匀性。 构成：用于制造注射器的中空微针结构的方法包括以下步骤。 中空芯在纵向上涂覆有涂层溶液。 涂覆到涂布溶液的中空芯被固化以形成涂层。 种子金属在涂层表面上蒸发。 在种子金属表面进行金属电镀以形成镀层。 中空芯和涂层被去除以形成中空（150）。 微针的外径为40〜200μm。 微针内径为10〜150μm。
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