위상 반전 마스크 및 이의 제조방법
    41.
    发明授权
    위상 반전 마스크 및 이의 제조방법 有权
    相移屏蔽及其制造方法

    公开(公告)号:KR100879139B1

    公开(公告)日:2009-01-19

    申请号:KR1020070088456

    申请日:2007-08-31

    CPC classification number: G03F1/32 G03F7/2008

    Abstract: A phase shift mask capable of improving efficiency of mask inspection using DUV(Deep Ultra Violet) and manufacturing method thereof are provided to reduce shadow effect by lowering height of absorber. A multi-layered thin film layer is formed on a mask substrate(31). The multi-layered thin film layer is laminated with a scattering layer and a spacer film by turns. A capping layer(34) is formed on the multi-layered thin film layer. A phase shift film(37) is formed in a part of a top of the capping layer. The spacer film is formed on the phase shift film. An attenuator film(39) is formed on the spacer film. The phase shift film is made of Mo. The spacer film is made of Al2O3. The attenuator film is made of TaN.

    Abstract translation: 提供能够提高使用DUV(深紫外线)的掩模检查效率的相移掩模及其制造方法,以通过降低吸收体的高度来减少阴影效应。 在掩模基板(31)上形成多层薄膜层。 多层薄膜层依次层叠有散射层和间隔膜。 在多层薄膜层上形成覆盖层(34)。 在盖层的顶部的一部分中形成相移膜(37)。 间隔膜形成在相移膜上。 在间隔膜上形成衰减膜(39)。 相移膜由Mo制成。间隔膜由Al2O3制成。 衰减膜由TaN制成。

    사용자 단말기에서 RFID 기술을 이용한 응용 서비스방법, 그 방법을 수행하는 사용자 단말기 및 프로그램을기록한 기록매체
    42.
    发明授权
    사용자 단말기에서 RFID 기술을 이용한 응용 서비스방법, 그 방법을 수행하는 사용자 단말기 및 프로그램을기록한 기록매체 失效
    在用户终端中使用RFID技术的应用服务方法,用于执行该方法的用户终端和记录介质记录程序

    公开(公告)号:KR100742309B1

    公开(公告)日:2007-07-24

    申请号:KR1020050097977

    申请日:2005-10-18

    Abstract: 본 발명은 사용자 단말기에서 RFID 기술을 이용한 응용 서비스 방법, 그 방법을 수행하는 사용자 단말기 및 프로그램을 기록한 기록매체에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따르면, 사용자 단말기에서 RFID를 이용한 정보 제공 방법에 있어서, 특정 사물에 부착 또는 내장된 RFID 태그의 태그 정보를 판독하는 단계; 태그 정보에 상응하는 정보를 출력하는 단계; 및 사용자에 의해 선택된 서비스 종류에 상응하는 서비스 제공 서버의 접속 정보를 인식하여 서비스 제공 서버로 접속하는 단계를 포함하는 사용자 단말기에서 RFID를 이용한 정보 제공 방법이 제공된다. 따라서, RFID 리더기와 같은 전자태그 판독장치가 장착된 사용자 단말기를 이용한 응용 서비스를 제공하는 방법 및 그 방법을 수행하는 사용자 단말기를 제공할 수 있는 효과가 있다.
    RFID, 태그, 리더기, 단말기, 이동통신

    점착 방지막을 지니는 스탬프의 구조 및 제조방법과 이에의한 나노패턴 전사방법
    43.
    发明授权
    점착 방지막을 지니는 스탬프의 구조 및 제조방법과 이에의한 나노패턴 전사방법 有权
    防粘混合掩模的结构与制造方法及其纳米方法

    公开(公告)号:KR100665038B1

    公开(公告)日:2007-01-04

    申请号:KR1020050061325

    申请日:2005-07-07

    Abstract: A structure of a stamp having an adhesion preventing layer, a manufacturing method thereof, and a nano pattern imprinting method using the same are provided to prevent an adhesion of a partial imprinting layer to a stamp by forming the adhesion preventing layer on a surface of the stamp. A nano-sized pattern is formed on a transparent substrate(11). An opaque metal layer(13) is formed corresponding to a partial surface of the transparent substrate. A first thin film layer(14) is formed on the surface of the opaque metal layer to reduce at least one of surface energy and friction coefficient. A second thin film layer(15) is formed on the first thin film layer to increase hydrophobicity. A buffer layer is formed between the opaque metal layer and the first thin film to increase adhesive strength.

    Abstract translation: 提供具有防粘附层的印模的结构,其制造方法和使用其的纳米图案压印方法,以防止部分印刷层与印模的粘合, 邮票。 在透明基板(11)上形成纳米尺寸图案。 对应于透明基板的部分表面形成不透明金属层(13)。 在不透明金属层的表面上形成第一薄膜层(14)以减少表面能和摩擦系数中的至少一个。 在第一薄膜层上形成第二薄膜层(15)以增加疏水性。 在不透明金属层和第一薄膜之间形成缓冲层以提高粘合强度。

    EUV 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법
    48.
    发明公开
    EUV 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법 审中-实审
    EUV薄膜结构体及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170089449A

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:KR1020160009285

    申请日:2016-01-26

    CPC classification number: G03F1/00 G03F1/22 G03F1/62 G03F7/20 H01L21/027

    Abstract: 복수개의 EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층및 열방출층이교대로적층된중간막구조체(intermediate layer structure), 상기중간막구조체의상부면상의제1 박막, 및상기중간막구조체의하부면상에배치되고상기제1 박막보다낮은열복사율을갖는제2 박막을포함하는펠리클멤브레인을준비하는단계, 상기펠리클멤브레인의상기열방출층이노출된가장자리측면(sidewall) 상에상기펠리클멤브레인으로부터열을흡수하는냉각구조체를배치하는단계를포함하는 EUV 펠리클구조체의제조방법이제공될수 있다.

    Abstract translation: 多个EUV(极紫外)透射层和所述散热层的交替层叠层间膜结构(中间层结构),设置如权利要求1,该结构的上表面上的薄膜的层间膜的下表面上,并且第一层间膜结构 放置冷却结构用于从舞台上的防护膜,其中,所述防护膜(侧壁)的散热层的暴露边缘的表面,制成防护膜和具有比该薄膜更低的热辐射速率的第二薄膜吸收热量 一种生产EUV薄膜结构的方法,包括以下步骤:

    EUV 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법
    49.
    发明公开
    EUV 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법 有权
    EUV薄膜结构体及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170085161A

    公开(公告)日:2017-07-24

    申请号:KR1020160004118

    申请日:2016-01-13

    CPC classification number: G03F1/22 G03F1/62 G03F7/20 H01L21/027

    Abstract: 복수개의 EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층및 열방출층이교대로적층된펠리클멤브레인을준비하는단계, 및상기펠리클멤브레인의상기열방출층이노출된가장자리측면(sidewall) 상에상기펠리클멤브레인으로부터열을흡수하는냉각구조체를배치하는단계를포함하는 EUV 펠리클구조체의제조방법이제공될수 있다.

    Abstract translation: 准备将多个EUV(Extreme Ultraviolet:极紫外线)透过层与散热层交替层叠而成的防护膜,并从防护膜的露出侧壁上的防护膜散热层 可以提供包括设置吸收式冷却结构的步骤的EUV薄膜结构的制造方法。

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