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公开(公告)号：KR102203640B1
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：KR1020180134259
申请日：2018-11-05
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은이산화탄소환원을위한 3차원나노구조금속촉매및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의이산화탄소환원을위한 3차원나노구조금속촉매는정렬된금속나노선이적층된구조로, 적층된촉매두께에의해국소 pH를높게조절하여 CO 선택성을높일수 있다. 또한, 금속나노선의작은입자크기덕분에높은 CO 선택성을갖는고차결정면을촉매활성부위에포함하여 CO 선택성을현저하게증가시키고, 수소발생반응을억제시킴으로써이산화탄소환원반응속도를높일수 있다. 3차원나노구조금속촉매를이루는금속나노선사이의공간은촉매층 내부에서반응물및 생성물의이동을원활하게하여이산화탄소환원반응속도를높인다. 또한, 본발명의 3차원나노구조를가지는촉매는나노구조의제어를통해높은안정성을가질수 있고이산화탄소환원을위한촉매전극에활용될수 있다.
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公开(公告)号：KR101932195B1
公开(公告)日：2018-12-24
申请号：KR1020170140942
申请日：2017-10-27
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 빠르고 손쉬운 전기화학적 방법을 이용해 고밀도의 나노갭(nanogap)을 갖는 금속 나노구조체, 예컨대, 금(Au) 나노구조를 형성하고, 이를 통한 폭넓은 플라즈모닉 공명(plasmonic resonance) 위치를 갖는 표면강화 라만 분광용(Surface Enhanced Raman Spectroscopy; SERS) 기판의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 본 발명은 기판 상에 금속 박막을 증착시키고, 수용액 상에서 상기 금속 박막의 표면에 양극전압을 인가하여 전기화학적 산화반응 및 환원반응을 수행함으로써 고밀도의 나노기둥, 나노기공, 나노입자 및 10nm 이하의 나노갭 또는 이들의 조합을 포함하는 금속 나노구조체를 포함하고, 플라즈모닉 공명 위치의 제어를 통해 표면강화 라만 분광 신호의 극대화할 수 있는 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법을 제공할 수 있다. 나아가, 검출 면적 내에 수많은 금속 나노구조체를 포함, 특히 10nm 이하의 나노갭을 포함할 수 있으므로 다수의 나노갭으로부터 발생하는 라만 신호 증폭을 통해 표면강화 라만 분광 신호의 균일성 및 재현성을 보다 높은 수준으로 확보할 수 있으므로, 식품 내 유해인자 탐지 및 분석에 용이하게 사용될 수 있다. 또한 종래의 리소그래피 기술을 배제하되 수용액 중에서 전기화학공정을 통해 금속 나노구조체를 형성함으로써 대면적화에 응용가능하고, 제작비용 절감, 공정 편의성 등의 효과도 기대된다.
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公开(公告)号：KR101846741B1
公开(公告)日：2018-04-09
申请号：KR1020160155884
申请日：2016-11-22
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G02B5/1847 , G02B3/0031 , G02B5/3058
Abstract: 일실시예에따르면, 선격자편광판제조방법은제1 요철패턴을갖는마스터템플릿기판을준비하는단계; 상기마스터템플릿기판의상기제1 요철패턴상에고분자박막을도포하고분리하여, 상기제1 요철패턴에대한역상구조의제2 요철패턴을갖는고분자복제박막몰드를형성하는단계; 상기고분자복제박막몰드의상기제2 요철패턴중 돌출부위에기능성물질을증착하여기능성나노구조체를형성하는단계; 상기기능성나노구조체를편광기판위에프린팅하고에칭하여나노격자기판을제작하는단계; 상기나노격자기판에전도성물질을증착하는단계; 및상기전도성물질의상부를선택적으로제거하여, 선격자편광판을제조하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101815354B1
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：KR1020150179466
申请日：2015-12-15
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G02B5/30
Abstract: 나노몰딩복제법을이용한선 격자편광판및 그제조방법이제시된다. 본발명에서제안하는나노몰딩복제법을이용한선 격자편광판제조방법은표면요철패턴이있는마스터템플릿기판을제작하는단계, 상기마스터템플릿기판상에고분자박막을도포하고접착테이프를이용하여고분자필름을탈착함으로써고분자복제박막몰드를형성하는단계, 상기고분자복제박막몰드상에기능성물질을증착하여기능성나노구조체를형성하는단계, 상기고분자복제박막몰드의상부증착을식각을통해부분적으로제거하는단계, 상기고분자복제박막몰드를선택적으로캡슐화하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170032093A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：KR1020150129896
申请日：2015-09-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/027 , H01L21/70
Abstract: 일실시예에따른나노전사프린팅방법은표면패턴이형성된템플릿기판상에고분자박막을코팅하는단계; 상기고분자박막및 접착필름을이용하여상기고분자박막을복제박막몰드로제작하는단계; 상기복제박막몰드상에나노구조체를형성하는단계; 상기접착필름과상기복제박막몰드간접착력을선택적으로약화시키는단계; 및상기나노구조체를대상물체에전사하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140026073A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：KR1020120093023
申请日：2012-08-24
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , B82Y10/00 , H01L21/28185 , H01L45/146
Abstract: The present invention relates to a unipolar resistance random access memory device comprising a bottom electrode; an oxide layer on the bottom electrode; and a top electrode on the oxide layer, wherein at least one insulation nanostructure is formed at an interface between the bottom or the top electrode and the oxide layer.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括底部电极的单极电阻随机存取存储器件; 底部电极上的氧化物层; 以及在所述氧化物层上的顶部电极，其中在所述底部或顶部电极与所述氧化物层之间的界面处形成至少一个绝缘纳米结构。
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48.发明授权환원 방식의 실리콘 나노구조체 제조방법, 실리콘 옥시카바이드 나노구조체 제조방법, 이에 의하여 제조된 실리콘 나노구조체 및 이를 포함하는 리튬 이차전지 有权用于制造硅纳米结构的还原方法，碳氧化硅纳米结构，由其制造的硅纳米结构和包含硅纳米结构的锂二次电池
公开(公告)号：KR101340038B1
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020110104191
申请日：2011-10-12
IPC: B82B3/00 , B82B1/00 , H01M10/052 , H01M4/38
Abstract: 환원 방식의 실리콘 나노구조체 제조방법, 실리콘 옥시카바이드 나노구조체 제조방법, 이에 의하여 제조된 실리콘 나노구조체 및 이를 포함하는 리튬 이차전지가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 환원 방식의 실리콘 나노구조체 제조방법은 실리콘 함유 블록공중합체를 자기조립시켜, 상기 실리콘이 실리카로 산화된 블록공중합체 패턴을 제조하는 단계; 및상기 자기조립된 블록공중합체 패턴의 실리카를 환원시켜, 상기 자기조립된 블록공중합체 패턴에 대응되는 패턴의 실리콘 나노구조체를 제조하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따르면, 자기조립 방식과 마그네슘 환원 방식을 결합시킨 공정으로 실리콘 나노구조체를 제조한다. 그 결과, 원하는 크기의 나노구조체를 자기조립 공정의 조절을 통하여 제조할 수 있으며, 10nm 이하 크기의 나노구조체 제조가 가능하다.Abstract translation: 目的：提供硅纳米结构的制造方法，通过使用自组装方法和镁还原法获得具有所需尺寸的纳米结构。 构成：硅纳米结构的制造方法包括自组装含硅嵌段共聚物的步骤; 制造由二氧化硅氧化的嵌段共聚物图案的步骤; 以及使用嵌段共聚物图案还原二氧化硅并获得具有对应于自组装嵌段共聚物图案的图案的硅纳米结构的步骤。 还原通过镁气与二氧化硅的接触进行。 （AA）自组装含硅嵌段共聚物; （BB）氧化硅 - >二氧化硅; （CC）将二氧化硅还原成硅; （DD）制造硅纳米结构;
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公开(公告)号：KR1020130050874A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：KR1020120108745
申请日：2012-09-28
CPC classification number: C09D5/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , Y10T428/24612
Abstract: PURPOSE: A nanostructure of a block copolymer is provided to reduce a pattern resolution to about 10nm or less and to improve line edge roughness of a pattern by controlling a difference between at least two solybility parameters(δ) of block structure units in a predetermined range. CONSTITUTION: A block copolymer nanostructure(20) comprises a self-assembled block copolymer on a substrate(10), and the block copolymer comprises multiple block structure units. A difference of solybility parameters(δ) of at least two of the block structure units is equal to or greater than 5 MPa1/2. The block copolymer has a Flory-Huggins interaction parameter(χ) that is equal to or greater than 0.7. A manufacturing method of the block copolymer nanostructure comprises the following steps: (a) forming a block copolymer thin film on a substrate; (b) performing a solvent annealing process to form a pattern on the thin film; and (c) performing a plasma treatment on the pattern to remove other block structure units than the block structure units that form the pattern, thereby manufacturing a nanostructure.
Abstract translation: 目的：提供嵌段共聚物的纳米结构以将图案分辨率降低到约10nm或更小，并且通过控制在预定范围内的块结构单元的至少两个均匀性参数（δ）之间的差异来改善图案的线边缘粗糙度 。 构成：嵌段共聚物纳米结构（20）在基材（10）上包含自组装嵌段共聚物，嵌段共聚物包含多个嵌段结构单元。 至少两个块结构单元的均匀性参数（δ）的差异等于或大于5MPa1 / 2。 嵌段共聚物具有等于或大于0.7的Flory-Huggins相互作用参数（χ）。 嵌段共聚物纳米结构的制造方法包括以下步骤：（a）在基材上形成嵌段共聚物薄膜; （b）进行溶剂退火处理以在薄膜上形成图案; 和（c）对图案进行等离子体处理以去除除了形成图案的块结构单元之外的其它块结构单元，从而制造纳米结构。
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公开(公告)号：KR102233030B1
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020180066675
申请日：2018-06-11
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은자기조립된블록공중합체; 및상기블록공중합체에결합된양자점을포함하며, 상기필름내에서는평균직경 100nm 내지 3000nm의포어를구비하는것을특징으로하는양자점필름및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에따른양자점필름은우수한색감과높은발광효율을구현할수 있다.
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