公开(公告)号：DE102013200547A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE102013200547

申请日：2013-01-16

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06

Abstract: Es werden verbesserte Halbleitersubstrate bereitgestellt, die ein Material mit breiter Bandlücke zwischen dem Kanal und dem Isolator verwenden. Ein Halbleitersubstrat weist eine Kanalschicht, die ein III-V-Material aufweist; eine Isolatorschicht; und ein Material mit breiter Bandlücke zwischen der Kanalschicht und der Isolatorschicht auf, wobei ein Leitungsbandoffset (&Dgr;Ec) zwischen der Kanalschicht und dem breiten Bandlückenmaterial zwischen 0,05 eV und 0,8 eV liegt. Die Kanalschicht kann zum Beispiel In1-xGaxAs oder In1-xGaxSb aufweisen, wobei x von 0 bis 1 variiert. Das Material mit breiter Bandlücke kann zum Beispiel In1-yAlyAs, In1-yAlyP, Al1-yGayAs oder In1-yGayP aufweisen, wobei y von 0 bis 1 variiert.

公开(公告)号：GB2496970A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：GB201220562

申请日：2012-11-15

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  BEDELL STEPHEN ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHIDI GHAVAM G

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62

Abstract: A method of forming an active matrix, light emitting diode (LED) array includes removing, from a base substrate, a layer of inorganic LED material 804 originally grown thereupon; and bonding the removed layer of inorganic LED material 804 to an active matrix, thin film transistor (TFT) backplane array 802. Also disclosed is the active matrix light emitting diode array produced from said method. The inorganic LED material 804 may be removed from the base substrate by a method of spalling, wherein at least one or more stress layers are formed on the inorganic LED material layer, a flexible handle layer is formed on the one or more stress layers, and applying a force to the flexible handle layer so as to separate the stress layer and at least a portion of the inorganic LED material layer from the base substrate. The inorganic LED material layer 804 may be bonded to the active matrix TFT backplane array 802 by a process of cold welding. The inorganic LED material layer 804 may be patterned once bonded to the active matrix TFT backplane array 802, where a further inorganic LED material layer 804b can be bonded to the backplane array 802 to produce an array of LED elements 804a,804b, wherein the further inorganic LED material layer 804b is produced by the same method as the first inorganic LED material layer 804a.

公开(公告)号：DE102012104140A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：DE102012104140

申请日：2012-05-11

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/18

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Bilden eines Fotoelements beschrieben, welches das Bilden einer Absorptionsschicht eines ersten kristallinen Halbleitermaterials vom ersten Leitungstyp, das epitaxiale Abscheiden einer zweiten kristallinen Halbleiterschicht vom zweiten Leitungstyp, welcher dem ersten Leitungstyp entgegengesetzt ist, und das Abscheiden einer dotierten amorphen oder nanokristallinen Passivierungsschicht vom zweiten Leitungstyp beinhaltet, welcher dem ersten Leitungstyp entgegengesetzt ist. Der erste Leitungstyp kann p-leitend und der zweite Leitungstyp kann n-leitend sein, oder der erste Leitungstyp kann n-leitend und der zweite Leitungstyp kann p-leitend sein. Die Temperatur beim epitaxialen Abscheiden der zweiten kristallinen Halbleiterschicht überschreitet 500°C nicht. Es werden elektrisch mit der Absorptionsschicht und der zweiten kristallinen Halbleiterschicht verbundene Kontakte gebildet.

公开(公告)号：DE112011100105T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112011100105

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH ,  LAURO PAUL A ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  SADANA DEVENDRA

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/00

Abstract: Ein Verfahren zum Abspalten einer Schicht von einem Block eines Halbleitersubstrats beinhaltet Ausbilden einer Metallschicht auf dem Block des Halbleitersubstrats, wobei eine Zugspannung in der Metallschicht so eingerichtet ist, dass ein Bruch in dem Block verursacht wird; und Entfernen der Schicht von dem Block an dem Bruch. Ein System zum Abspalten einer Schicht von einem Block eines Halbleitersubstrats beinhaltet eine Metallschicht, die auf dem Block des Halbleitersubstrats ausgebildet ist, wobei eine Zugspannung in der Metallschicht so eingerichtet ist, dass ein Bruch in dem Block verursacht wird, und wobei die Schicht so eingerichtet ist, dass sie an dem Bruch von dem Block entfernt wird.

公开(公告)号：CA2783626A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：CA2783626

申请日：2011-02-16

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SADANA DEVENDRA ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  WACASER BRENT A

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/06

Abstract: A method for forming a single-junction photovoltaic cell includes forming a dopant layer on a surface of a semiconductor substrate; diffusing the dopant layer into the semiconductor substrate to form a doped layer of the semiconductor substrate; forming a metal layer over the doped layer, wherein a tensile stress in the metal layer is configured to cause a fracture in the semiconductor substrate; removing a semiconductor layer from the semiconductor substrate at the fracture; and forming the single-junction photovoltaic cell using the semiconductor layer. A single-junction photovoltaic cell includes a doped layer comprising a dopant diffused into a semiconductor substrate; a patterned conducting layer formed on the doped layer; a semiconductor layer comprising the semiconductor substrate located on the doped layer on a surface of the doped layer opposite the patterned conducting layer; and an ohmic contact layer formed on the semiconductor layer.