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    Photoakustische Sensoren und MEMS-Bauelemente
    41.
    发明专利
    Photoakustische Sensoren und MEMS-Bauelemente 未知

    公开(公告)号：DE102019134279B3

    公开(公告)日：2021-05-27

    申请号：DE102019134279

    申请日：2019-12-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHALLER RAINER MARKUS ,  GASSNER SIMON ,  KOLB STEFAN ,  THEUSS HORST ,  EBERL MATTHIAS ,  JOST FRANZ ,  DANGELMAIER JOCHEN

    IPC: B81B7/02 ,  G01N21/17 ,  G01N21/3504

    Abstract: Ein photoakustischer Sensor umfasst ein erstes MEMS-Bauelement und ein zweites MEMS-Bauelement. Das erste MEMS-Bauelement umfasst eine erste MEMS-Komponente, die einen optischen Emitter umfasst, und einen an die erste MEMS-Komponente wafer-gebondeten ersten optisch transparenten Deckel, wobei die erste MEMS-Komponente und der erste optisch transparente Deckel einen ersten geschlossenen Hohlraum ausbilden. Das zweite MEMS-Bauelement umfasst eine zweite MEMS-Komponente, die einen Druckaufnehmer umfasst, und einen an die zweite MEMS-Komponente wafer-gebondeten zweiten optisch transparenten Deckel, wobei die zweite MEMS-Komponente und der zweite optisch transparente Deckel einen zweiten geschlossenen Hohlraum ausbilden.

    MEMS-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer MEMS-Vorrichtung
    44.
    发明专利
    MEMS-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer MEMS-Vorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102015114035A1

    公开(公告)日：2016-03-03

    申请号：DE102015114035

    申请日：2015-08-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KOLB STEFAN ,  MEISER ANDREAS ,  SCHLOESSER TILL ,  WERNER WOLFGANG

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/20

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer MEMS-Vorrichtung umfasst das Ausbilden eines Halbleiterschichtstapels, wobei der Halbleiterschichtstapel zumindest eine erste monokristalline Halbleiterschicht, eine zweite monokristalline Halbleiterschicht und eine dritte monokristalline Halbleiterschicht umfasst, wobei die zweite monokristalline Halbleiterschicht zwischen der ersten und der dritten monokristallinen Halbleiterschicht ausgebildet wird. Ein Halbleitermaterial der zweiten monokristallinen Halbleiterschicht ist von den Halbleitermaterialien der ersten und der dritten monokristallinen Halbleiterschicht verschieden. Nach dem Ausbilden des Halbleiterschichtstapels wird gleichzeitig zumindest ein Abschnitt jeder der ersten und der dritten monokristallinen Halbleiterschicht geätzt.

    HALL-EFFEKT-VORRICHTUNG
    46.
    发明专利
    HALL-EFFEKT-VORRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102013218109A1

    公开(公告)日：2014-03-13

    申请号：DE102013218109

    申请日：2013-09-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KOLB STEFAN ,  ECKINGER MARKUS

    IPC: H01L27/22 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14

    Abstract: Eine Hall-Effekt-Vorrichtung weist ein aktives Hall-Gebiet in einem Halbleitersubstrat und mindestens vier Anschlussstrukturen auf, wobei jede Anschlussstruktur ein schaltbares Versorgungskontaktelement und ein Messkontaktelement aufweist, wobei jedes Versorgungskontaktelement ein Transistorelement mit einem ersten Transistoranschluss, einem zweiten Transistoranschluss und einem Steueranschluss aufweist, wobei der zweite Transistoranschluss das aktive Hall-Gebiet kontaktiert oder sich in das aktive Hall-Gebiet erstreckt und wobei die Messkontaktelemente im aktiven Hall-Gebiet und benachbart zu den schaltbaren Versorgungskontaktelementen angeordnet sind.

    HOHLRAUMSTRUKTUREN FÜR MEMS-BAUELEMENTE
    47.
    发明专利
    HOHLRAUMSTRUKTUREN FÜR MEMS-BAUELEMENTE 未知

    公开(公告)号：DE102012202643A1

    公开(公告)日：2012-09-13

    申请号：DE102012202643

    申请日：2012-02-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KOLB STEFAN ,  PRUEGL KLEMENS ,  WINKLER BERNHARD ,  ZANKL ANDREAS

    IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06

    Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf MEMS-Bauelemente, insbesondere MEMS-Bauelemente, die mit verwandten elektrischen Bauelementen auf einem einzigen Wafer integriert sind. Ausführungsbeispiele verwenden ein Konzept eines modularen Prozessablaufs als Bestandteil eines MEMS-Zuerst-Lösungsansatzes, der die Verwendung eines neuartigen Hohlraumabdichtungsprozesses ermöglicht. Die Auswirkung und mögliche nachteilige Effekte der MEMS-Verarbeitung auf die elektrischen Bauelemente werden dadurch verringert oder eliminiert. Gleichzeitig wird eine äußerst flexible Lösung geschaffen, die eine Implementierung einer Vielzahl von Messprinzipien, einschließlich kapazitiver und piezoresistiver, ermöglicht. Deshalb können eine Vielzahl von Sensoranwendungen mit verbesserter Leistungsfähigkeit und erhöhter Qualität anvisiert werden, die gleichzeitig kostenwirksam bleiben.

    48.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE19536228B4

    公开(公告)日：2005-06-30

    申请号：DE19536228

    申请日：1995-09-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KOLB STEFAN

    IPC: G01P15/12 ,  B81B3/00 ,  G01P15/08 ,  H01L29/84 ,  H01L49/00 ,  H01L21/308 ,  B81C1/00

    Abstract: The microelectronic integrated sensor has a shaped cantilever (13) on a support with side (15) and upper (16) movement limits at a gap from the cantilever edge. They allow compensating cantilever movements to absorb mechanical stress, but only at the support. Also claimed is a mfg. process where an oxide is formed on a substrate as a start material for the support. A second oxide layer (3) is deposited on it, with a higher etching rate than the first oxide. A polysilicon layer (4) is deposited to form the cantilever (13), dosed and recrystallised, together with an array of holes for further isotropic etching of the two oxide layers (3). A third oxide layer (6) is deposited, with the same etching rate as the second layer (3) for them to form the side movement limit (15). A layer (7), of a material with a lower etching rate than the second and third (3,6) oxide layers is applied to form the upper movement limit (16), followed by a second polysilicon layer (8) as a cover. The cover (8) layer has an array of holes to allow the passage of an etching fluid with an isotropic oxide etching of the hollow zone (10). The second and third (3,6) oxide layers can be covered by a deposited layer of boron phosphor silicate glass.

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