公开(公告)号：DE102004026159B3

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：DE102004026159

申请日：2004-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  EUPEC GMBH & CO KG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PASSE THOMAS

IPC: C25D11/02 ,  H01L21/48 ,  H01L21/58 ,  H01L23/50

Abstract: Production of an electronic component comprises forming an insulating layer (3c) as a metal oxide layer by plasma-electrolytic oxidation of the metal. An independent claim is also included for an electronic component produced using the above process.

公开(公告)号：DE10351028B4

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：DE10351028

申请日：2003-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78

Abstract: A semiconductor component ( 1 ) has a substrate ( 21 ) and a structure ( 22, 23 ) formed from semiconductor/insulator/conductor layers ( 24 to 26 ) on/in the substrate ( 21 ). Furthermore, there is an insulator layer ( 32 ) which covers the surface and at least parts of the side walls of the semiconductor component ( 1 ) but leaves clear part of the surface of the structure ( 22, 23 ). Furthermore, there is a conductor layer ( 33 ) which is applied to the insulator layer ( 32 ) and additionally covers that part of the surface region of the structure ( 22, 23 ) which has been left clear by the insulator layer ( 32 ).

公开(公告)号：DE10261424B3

公开(公告)日：2004-07-01

申请号：DE10261424

申请日：2002-12-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HILLE FRANK ,  PFAFFENLEHNER MANFRED

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L21/332

Abstract: Production of an emitter with a good ohmic contact to a metallic contact layer for a semiconductor component comprises introducing an emitter into a surface region of a semiconductor body (10) by doping in three steps, in which the last doping step is ion implantation. The defects formed by ion implantation weaken the emitter degree of action by raising the recombination rate and thus reducing the charge carrier service life and simultaneously deliver a further active doping.

公开(公告)号：DE10248205A1

公开(公告)日：2004-05-06

申请号：DE10248205

申请日：2002-10-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L23/485

公开(公告)号：DE10217610A1

公开(公告)日：2003-11-13

申请号：DE10217610

申请日：2002-04-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  STRACK HELMUT ,  TIHANYI JENOE ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KAPELS HOLGER

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

Abstract: Metal-semiconductor contact comprises a metallizing layer (3) forming an ohmic metal-semiconductor contact arranged on a doped semiconductor layer (1). A first doping material is provided for doping of the semiconductor layer so that the electrically active doping concentration in the semiconductor layer is a fraction of the doping concentration in the semiconductor layer. Independent claims are also included for the following: (1) Semiconductor component arranged in a semiconductor body; (2) Integrated circuit containing the semiconductor component; and (3) Process for the production of the metal-semiconductor contact.

公开(公告)号：DE10053445C2

公开(公告)日：2002-11-28

申请号：DE10053445

申请日：2000-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  HUESKEN HOLGER ,  LASKA THOMAS ,  PORST ALFRED ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  SCHMIDT THOMAS ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/739

公开(公告)号：DE19964214C2

公开(公告)日：2002-01-17

申请号：DE19964214

申请日：1999-09-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  DEBOY GERALD ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L29/06 ,  H01L29/167

Abstract: A compensating component and a method for the production thereof are described. Compensating regions are produced by implanting sulfur or selenium in a p-conductive semiconductor layer or, are provided as p-conductive regions, which are doped with indium, thallium and/or palladium, in a cluster-like manner inside an n-conductive region.

公开(公告)号：DE102023209628A1

公开(公告)日：2025-04-03

申请号：DE102023209628

申请日：2023-09-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  THEES HANS-JÜRGEN

IPC: H10D30/01 ,  H10D12/00 ,  H10D30/60

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10) mit einer vertikal vorstehenden Finne (16), die konfiguriert ist, einen Anteil des Nennlaststroms der Vorrichtung zu leiten; einen ersten Lastanschluss (11) in Kontakt mit einem oberen Abschnitt der Finne (16). Das Elektrodenmaterial (141) ist angrenzend an die Finne (16) angeordnet und elektrisch von der Finne (16) basierend auf Isoliermaterial (142) isoliert. Das Elektrodenmaterial (141) ist elektrisch von dem ersten Lastanschluss (11) basierend auf einem isolierenden Material (143) isoliert. Die Leistungshalbleitervorrichtung umfasst ferner: oben auf dem Elektrodenmaterial (141), isolierende Seitenwandabstandshalter (144) angrenzend an das isolierende Material (143) und das Isoliermaterial (142), wobei die Seitenwandabstandshalter (144) in einem Rückzugsabstand (PBD) unter der Oberseite der Finne (16) enden, wobei der Rückzugsabstand (PBD) mindestens 90 % der Breite der Finne (16) an der Oberseite der Finne (16) beträgt.

公开(公告)号：DE102016112490B4

公开(公告)日：2022-05-25

申请号：DE102016112490

申请日：2016-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SENG PHILIPP

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200), umfassend:eine Anodendotierungsregion (101) einer Diodenstruktur, die in einem Halbleitersubstrat (102) angeordnet ist, wobei die Anodendotierungsregion (101) einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist;eine Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion (103), die einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei die Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion (103) an einer Oberfläche (104) des Halbleitersubstrats (102) angeordnet ist und in dem Halbleitersubstrat (102) von der Anodendotierungsregion (101) umgeben ist,wobei die Anodendotierungsregion (101) einen vergrabenen, nicht verarmbaren Abschnitt (105) vom ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei zumindest ein Teil des vergrabenen, nicht verarmbaren Abschnitts (105) unter der Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion (103) in dem Halbleitersubstrat (102) angeordnet ist, wobei der vergrabene, nicht verarmbare Abschnitt (105) vollständig von Halbleitermaterial des Halbleitersubstrats (102) umgeben ist; undeine Driftregion (211) der Diodenstruktur angeordnet zwischen der Anodendotierungsregion (101) und einer zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats (102), wobei die Driftregion (211) den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist und wobei zumindest ein Abschnitt der Anodendotierungsregion (101) zwischen der Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion (103) und der Driftregion (211) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102016112020B4

公开(公告)日：2021-04-22

申请号：DE102016112020

申请日：2016-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SANDOW CHRISTIAN

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1), umfassend:- einen Halbleiterkörper (10), der an eine erste Lastanschlussstruktur (11) und an eine zweite Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist und ausgebildet ist, einen Laststrom (15) zu führen;- eine erste Zelle (141) und eine zweite Zelle (142), die jeweils auf der einen Seite elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden sind und auf der anderen Seite elektrisch mit einer Driftregion (100) des Halbleiterkörpers (10) verbunden sind, wobei die Driftregion (100) Dotanden eines ersten Leitfähigkeitstyps umfasst;- eine erste Mesa (101), die in der ersten Zelle (141) enthalten ist, wobei die erste Mesa (101) enthält: eine erste Anschlussregion (1011), die Dotanden des ersten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine erste Kanalregion (1012), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist;- eine zweite Mesa (102), die in der zweiten Zelle (142) enthalten ist, wobei die zweite Mesa (102) enthält: eine zweite Anschlussregion (1021), die Dotanden eines zweiten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine zweite Kanalregion (1022), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist;- wobei jede der ersten Mesa (101) und der zweiten Mesa (102) durch eine Isolationsstruktur (133) in einer lateralen Richtung (X) senkrecht zu einer Richtung (Z) des Laststroms (15) innerhalb der jeweiligen Mesa (101,102) räumlich begrenzt ist und in dieser lateralen Richtung (X) eine totale Ausdehnung (DX13; DX23) von weniger als 100 nm aufweist; wobei in der Isolationsstruktur (133) Folgendes untergebracht ist:- eine Steuerelektrodenstruktur (131, 132) zum Steuern des Laststroms (15) innerhalb der ersten Mesa (101) und der zweiten Mesa (102), wobei die Steuerelektrodenstruktur (131, 132) von der ersten Lastanschlussstruktur (11) elektrisch isoliert ist; und- eine Führungselektrode (134), die von der Steuerelektrodenstruktur (131, 132) elektrisch isoliert ist und zwischen der ersten Mesa (101) und der zweiten Mesa (102) angeordnet ist.