公开(公告)号：DE19960563A1

公开(公告)日：2001-06-28

申请号：DE19960563

申请日：1999-12-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  LASKA THOMAS

IPC: H01L21/334 ,  H01L27/08 ,  H01L21/822

Abstract: A semiconductor structure comprises a substrate (10); one or more trenches (15a-d) arranged in the substrate; and a conducting pathway (30) with a first connection (A1) on a first end and a second connection (A2) on a second end. The conducting pathway is folded in the trenches in such a way that its length within each trench is double the depth of the trench. An Independent claim is also included for the production of a semiconductor structure comprising preparing the substrate; forming the trenches; forming a first insulating layer on the substrate and on the trench walls and bases; forming the conducting pathway on the insulating layer; forming a second insulating layer on the conducting pathway; filling the trenches; forming a third insulating layer on the conducting pathway; and forming connections through the third insulating layer.

公开(公告)号：DE102016112019B4

公开(公告)日：2020-03-12

申请号：DE102016112019

申请日：2016-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SANDOW CHRISTIAN

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1), umfassend:- einen Halbleiterkörper (10), der an eine erste Lastanschlussstruktur (11) und an eine zweite Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist und ausgebildet ist, einen Laststrom (15) zu führen;- eine erste Zelle (141) und eine zweite Zelle (142), die jeweils ausgebildet sind, den Laststrom (15) zu steuern, und die jeweils auf der einen Seite elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden sind und auf der anderen Seite elektrisch mit einer Driftregion (100) des Halbleiterkörpers (10) verbunden sind, wobei die Driftregion (100) Dotanden eines ersten Leitfähigkeitstyps umfasst;- eine erste Mesa (101), die in der ersten Zelle (141) enthalten ist, wobei die erste Mesa (101) enthält: eine erste Anschlussregion (1011), die Dotanden des ersten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine erste Kanalregion (1012), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist;- eine zweite Mesa (102), die in der zweiten Zelle (142) enthalten ist, wobei die zweite Mesa (102) enthält: eine zweite Anschlussregion (1021), die Dotanden eines zweiten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine zweite Kanalregion (1022), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist;- wobei jede der ersten Mesa (101) und der zweiten Mesa (102) durch eine erste Isolationsstruktur (133) in einer Richtung (X) senkrecht zu einer Richtung (Z) des Laststroms (15) innerhalb der jeweiligen Mesa (101,102) räumlich begrenzt ist und in dieser Richtung (X) eine totale Ausdehnung (DX13; DX23) von weniger als 100 nm aufweist; wobei die Leistungshalbleitervorrichtung (1) ferner eine dritte Zelle (143) umfasst, die auf der einen Seite elektrisch mit der zweiten Lastanschlussstruktur (12) verbunden ist und auf der anderen Seite elektrisch mit der Driftregion (100) verbunden ist; wobei die dritte Zelle (143) eine dritte Mesa (105) enthält, die Folgendes umfasst: eine dritte Anschlussregion (1051), die Dotanden des ersten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der zweiten Lastanschlussstruktur (12) verbunden ist; eine dritte Kanalregion (1052), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist; und eine dritte Steuerelektrode (135), die durch eine zweite Isolationsstruktur (134) von der dritten Mesa (105) isoliert ist.

公开(公告)号：DE102018116332A1

公开(公告)日：2020-01-09

申请号：DE102018116332

申请日：2018-07-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PEI-SHAN HSIEH ALICE ,  PFIRSCH FRANK ,  HUESKEN HOLGER ,  BRANDT PHILIP ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  UHNEVIONAK VIKTORYIA

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung beinhaltet ein Halbleitersubstrat (110) mit einem aktiven Gebiet (103) und einem Randabschlussgebiet (104) zwischen dem aktiven Gebiet (103) und einem lateralen Rand (105) des Halbleitersubstrats (110). Mehrere nichtmetallische Elektroden (120) erstrecken sich in das Randabschlussgebiet (104) auf einer Vorderseite (111) des Halbleitersubstrats (110). Die nichtmetallischen Elektroden (120) beinhalten wenigstens drei nichtmetallische Elektroden (120), die voneinander beabstandet sind, wobei eine der nichtmetallischen Elektroden (120) eine innere nichtmetallische Elektrode (121) mit einem Innenrand ist und eine andere der nichtmetallischen Elektroden (120) eine äußere nichtmetallische Elektrode (126) mit einem Außenrand ist, wobei der kürzeste Abstand zwischen dem Innenrand (121a) der inneren nichtmetallischen Elektrode (121) und dem Außenrand (126b) der äußeren nichtmetallischen Elektrode (126) als ein Abstand p definiert ist. Jede der nichtmetallischen Elektroden (121, 126) ist elektrisch mit einem jeweiligen Dotierungsgebiet des Halbleitersubstrats (110) durch wenigstens zwei jeweilige metallische Stopfen (141, 146) verbunden, die sich jeweils durch eine jeweilige erste Öffnung hindurch erstrecken, die in einer elektrisch isolierenden unteren Schicht gebildet ist, wobei der kürzeste Abstand d zwischen zwei beliebigen der metallischen Stopfen (141, 142) unterschiedlicher nichtmetallischer Elektroden (121, 126) größer als der Abstand p ist.

公开(公告)号：DE102016112490A1

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：DE102016112490

申请日：2016-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SENG PHILIPP

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Anodendotierungsregion einer Diodenstruktur, die in einem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Die Anodendotierungsregion weist einen ersten Leitfähigkeitstyp auf. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner eine Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion, die einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist. Die Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion ist an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet und in dem Halbleitersubstrat von der Anodendotierungsregion umgeben. Die Anodendotierungsregion weist einen vergrabenen, nicht verarmbaren Abschnitt auf. Zumindest ein Teil des vergrabenen, nicht verarmbaren Abschnitts ist unter der Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion in dem Halbleitersubstrat angeordnet.

公开(公告)号：DE102013103219B4

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：DE102013103219

申请日：2013-03-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERBER DOROTHEA ,  MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HIRLER FRANZ ,  PHILIPPOU ALEXANDER

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: Rückwärts leitende Halbleitervorrichtung, umfassend: eine Driftzone (106) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die zwischen einer ersten Seite (102) und einer zweiten Seite (105) eines Halbleiterkörpers (101) angeordnet ist; einen ersten Bereich (107) des ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Bereich (108) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die nacheinander entlang einer ersten Richtung parallel zu der zweiten Seite (105) angeordnet sind; eine Elektrode (111) an der zweiten Seite angrenzend an die ersten und zweiten Bereiche (107, 108); einen dritten Halbleiterbereich (109) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der zwischen der Driftzone (106) und dem ersten Bereich (107) angeordnet ist, wobei der dritte Halbleiterbereich (109) beabstandet von dem zweiten Bereich (108) und von der zweiten Seite (105) gelegen ist, und der dritte Halbleiterbereich vollständig die ersten und zweiten Halbleiterbereiche bedeckt.

公开(公告)号：DE102014113557A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：DE102014113557

申请日：2014-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  PHILIPPOU ALEXANDER ,  JÄGER CHRISTIAN ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen Halbleiterkörper (100) einschließlich einer Driftzone (121), die einen pn-Übergang (pn1) mit einem Emitterbereich (140) bildet. Eine erste Lastelektrode (310) ist an einer Vorderseite des Halbleiterkörpers (100). Eine zweite Lastelektrode (320) ist an einer Rückseite des Halbleiterkörpers (100) entgegengesetzt zu der Vorderseite. Ein oder mehrere variable resistive Elemente (190) sind elektrisch in einem gesteuerten Pfad zwischen der Driftzone (121) und einer der ersten und zweiten Lastelektroden (310, 320) verbunden. Die variablen resistiven Elemente (190) aktivieren und deaktivieren elektronische Elemente der Halbleitervorrichtung (500) abhängig von einer Änderung des Betriebszustandes der Halbleitervorrichtung (500).

公开(公告)号：DE102013211717A1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE102013211717

申请日：2013-06-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  WERBER DOROTHEA

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst ein erstes Emittergebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps, ein zweites Emittergebiet eines zu dem ersten Leitfähigkeitstyp komplementären zweiten Leitfähigkeitstyps und ein Driftgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps, die in einem Halbleiterkörper angeordnet sind. Die ersten und zweiten Emittergebiete sind zwischen dem Driftgebiet und einer ersten Elektrode angeordnet und sind jeweils an die erste Elektrode angeschlossen. Eine Bauelementzelle eines Zellengebiets umfasst ein Bodygebiet des ersten Leitfähigkeitstyps, das an das Driftgebiet angrenzt, ein Sourcegebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps, das an das Bodygebiet angrenzt und eine Gateelektrode benachbart zu dem Bodygebiet und durch ein Gatedielektrikum dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet isoliert. Eine zweite Elektrode ist elektrisch an das Sourcegebiet und das Bodygebiet angeschlossen. Ein floatendes parasitäres Gebiet des ersten Leitfähigkeitstyps ist außerhalb des Zellengebiets angeordnet.

公开(公告)号：DE102013211572A1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE102013211572

申请日：2013-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  MAUDER ANTON ,  MILLER GERHARD ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHULZE HOLGER ,  WERBER DOROTHEA ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement, das ein Zellengebiet (110) aufweist, das wenigstens eine Bauelementzelle aufweist, wobei die wenigstens eine Bauelementzelle ein erstes Bauelementgebiet (14) eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist; ein Driftgebiet (11) eines zweiten Leitfähigkeittyps, das an das erste Bauelementgebiet (14) der wenigstens einen Bauelementzelle angrenzt; ein dotiertes Gebiet (40; 44) des ersten Leitfähigkeitstyps, das an das Driftgebiet angrenzt; und Ladungsträgerlebensdauerverringerungsmittel (41; 42; 43; 44), die dazu ausgebildet sind, eine Ladungsträgerlebensdauer in dem dotierten Gebiet (40; 44) des ersten Leitfähigkeitstyps zu reduzieren.

公开(公告)号：DE102013103219A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE102013103219

申请日：2013-03-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERBER DOROTHEA ,  MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HIRLER FRANZ ,  PHILIPPOU ALEXANDER

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Halbleiter umfasst eine Driftzone (106) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die zwischen einer ersten Seite (102) und einer zweiten Seite (105) eines Halbleiterkörpers (101) angeordnet ist. Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin einen ersten Bereich (107) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Bereich (108) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die aufeinander folgend entlang einer ersten Richtung parallel zu der zweiten Seite (105) angeordnet sind. Die Halbleitervorrichtung umfasst außerdem eine Elektrode (111) an der zweiten Seite (105), die an die ersten und zweiten Bereiche (107, 108) angrenzt. Die Halbleitervorrichtung hat außerdem einen dritten Bereich (109) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der zwischen der Driftzone (106) und dem ersten Bereich (107) gelegen ist. Der dritte Bereich (109) ist beabstandet von dem zweiten Bereich (108) und der zweiten Seite (105) gelegen.

公开(公告)号：DE50015742D1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：DE50015742

申请日：2000-05-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LARIK JOOST ,  HIRLER FRANZ ,  KOTEK MANFRED ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/10 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: A trench MOS-transistor includes a body region strengthened by an implantation area that faces the drain region to increase the avalanche resistance.