公开(公告)号：CN103209922B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201180053926.1

申请日：2011-09-20

Applicant: 快捷半导体公司

Inventor： J·布雷泽克 ,  约翰·加德纳·布卢姆斯伯 ,  C·阿卡

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B1/00 ,  H01G7/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/096 ,  H01G7/06

Abstract: 本文涉及用于微机电系统(MEMS)传感器的器件层的装置和方法，所述MEMS传感器具有通孔，所述通孔具有减小的并联电容。在一个实例中，器件层可包括衬底，该衬底具有在水平方向上被所述衬底的一部分分隔开的一对沟槽，其中，该对沟槽中的每个沟槽包括包含电介质的第一垂直层和第二垂直层，所述第一垂直层和第二垂直层被包含多晶硅的第三垂直层分隔开。

公开(公告)号：CN104040361A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280065860.2

申请日：2012-11-02

Applicant: 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司

Inventor： S·甘特奈尔 ,  B·施密德

IPC: G01P15/08

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00357 ,  G01P15/0802

Abstract: 本发明涉及一种组件和一种用于制造组件的方法。该组件具有基底(100)，该基底具有第一腔(112)和第二腔(113)，其中，在第一腔(112)中布置有第一微机械结构(117)并且在第二腔(113)中布置有第二微机械结构(118)。此外，第一腔(112)具有第一气体压力，第二腔(113)具有第二气体压力。在此，第一气体压力通过第一腔(112)的封闭而被提供，其中，第一通道(115)通入到第二腔(113)中，第二气体压力能够通过第一通道(115)调节第二气体压力与第一气体压力不同。

公开(公告)号：CN104003347A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410059957.3

申请日：2014-02-21

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 安藤友一 ,  佐藤幸人 ,  前胜知

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/0707 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造器件的方法。一种器件包括：第一衬底，功能性元件和电极在其中形成；第二衬底，贯通电极在其中形成；接合材料，其接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间；和导电材料，其将所述电极电连接到所述贯通电极。在此，所述接合材料比所述导电材料更硬，并且在电学上，所述接合材料比所述导电材料导电性更弱。

公开(公告)号：CN102792170B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201180012940.7

申请日：2011-02-24

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 宫武亨 ,  高桥亨 ,  小林俊宏 ,  宇都宜隆 ,  矢泽久幸 ,  大川尚信

IPC: G01P15/125 ,  B81B3/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0828 ,  G01P2015/0837

Abstract: 本发明的目的尤其在于提供能够抑制可动部即可动电极与固定电极层间的电短路的物理量传感器。物理量传感器具备：基材，其具有锚定部(29)及在锚定部上经由弹簧部被支承成能够沿高度方向上变位的可动部(34)；对置部(20)，其与基材在高度方向上对置且固定支承锚定部，并且与可动部在高度方向上空出间隔地对置；固定电极层(28)，其形成在对置部的表面上；突起部(23)，其表面为对可动部限位的限位面；固定支承部(22)，其设置在对置部的表面上；接合部(26)，其由将固定支承部和锚定部间接合的金属层构成。突起部(23)从对置部(20)的表面突出，在下凹的对置部的表面上配置有固定电极层(28)，突起部(23)的表面比固定电极层(28)的表面在高度方向上突出。

公开(公告)号：CN103864006A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310692997.7

申请日：2013-12-17

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： R·B·蒙特兹 ,  R·F·斯蒂姆勒

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0181 ,  B81B2203/06 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/112 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0871 ,  G01P2015/0874

Abstract: 提供了一种用于通过减少源自基于TEOS的硅氧化膜的碳的数量来减小MEMS器件中的静摩擦的机制，其中所述膜在制作期间可以在多晶硅表面上累积。碳阻挡材料膜(510,520)可以在MEMS器件中的一个或多个多晶硅层(210,230)和基于TEOS的氧化硅层(220)之间沉积。所述阻挡材料防止碳扩散到所述多晶硅，从而减少在多晶硅表面上碳的累积。通过减少碳的累积，由于碳的存在造成的静摩擦机率同样被减小。

公开(公告)号：CN102275857B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201010200714.9

申请日：2010-06-11

Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司

Inventor： 毛剑宏 ,  韩凤芹 ,  唐德明

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H02N1/006 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00333 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0714

Abstract: 本发明提供了一种微机电装置及其制造方法，该装置包括微机电器件，所述微机电器件包括：主体和可动电极，所述可动电极通过固定件和所述主体活动连接，所述主体内具有固定电极，所述可动电极可以相对于所述固定电极移动；所述主体中具有凹槽；所述可动电极悬置于所述凹槽内；在凹槽上方和在所述主体上具有第一介质层，所述第一介质层将所述凹槽围成封闭空间，所述可动电极通过所述固定件悬置在所述封闭空间内，在所述凹槽上方的第一介质层中具有通孔，所述通孔内填充有第二介质层，从而可以对微机电器件进行有效的封装。

公开(公告)号：CN103569937A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210451121.9

申请日：2012-11-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  郑钧文 ,  李德浩 ,  林宗贤

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0059 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明公开了一种包括内含微机电系统(MEMS)器件的MEMS晶圆的器件。所述MEMS器件包括可移动元件，以及在所述MEMS晶圆中的第一开口。所述可移动元件设置在所述第一开口中。载体晶圆接合到MEMS晶圆。所述载体晶圆包括连接到所述第一开口的第二开口，其中所述第二开口包括自所述载体晶圆的表面延伸入所述载体晶圆的入口部分，以及比所述入口部分宽的内部部分，其中所述内部部分在所述载体晶圆中比所述入口部分深。本发明还公开了微机电系统(MEMS)器件以及MEMS器件形成方法。

公开(公告)号：CN103373695A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210390963.8

申请日：2012-10-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张嘉诚 ,  范成至 ,  周正三

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0067 ,  B81B3/007 ,  B81B7/00 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0016 ,  B81B7/0029 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00325 ,  B81C2203/0118

Abstract: 本发明涉及MEMS器件结构及其形成方法。其中，一种微机电系统(MEMS)器件可以包括在第一衬底上方的MEMS结构。MEMS结构包括中心静态元件、可移动元件和外静态元件。在中心静态元件与第一衬底之间的接合材料部分。在MEMS结构上方的第二衬底而介电层的部分在中心静态元件与第二衬底之间。支撑柱包括接合材料部分、中心静态元件和电介质材料部分。

公开(公告)号：CN103238075A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180054796.3

申请日：2011-09-18

Applicant: 快捷半导体公司

Inventor： C·阿卡

IPC: G01P15/18 ,  G01P15/14 ,  G01C19/5755

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B7/04 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/051 ,  B81B2203/053 ,  B81B2203/055 ,  B81B2203/056 ,  B81B2203/058 ,  B81B2207/094 ,  G01C19/5755 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0848

Abstract: 除其它情况之外，本申请讨论了一种惯性测量系统，包括器件层、帽晶片和孔晶片，其中，所述器件层包括单质量块三轴加速计，所述帽晶片粘合到所述器件层的第一表面，所述孔晶片粘合到所述器件层的第二表面，其中，所述帽晶片和所述孔晶片被配置为封装所述单质量块三轴加速计。所述单质量块三轴加速计可围绕单个中心锚悬吊，且包括单独的x轴挠曲支承部、y轴挠曲支承部和z轴挠曲支承部，其中，所述x轴挠曲支承部和所述y轴挠曲支承部关于所述单个中心锚对称，且所述z轴挠曲支承部关于所述单个中心锚不对称。

公开(公告)号：CN103221333A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180055630.3

申请日：2011-09-16

Applicant: 快捷半导体公司

Inventor： J·布雷泽克 ,  约翰·加德纳·布卢姆斯伯 ,  C·阿卡

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  H01L23/52

CPC classification number: B81B7/008 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0023 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/1461 ,  H05K1/18 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文涉及多晶片微机电系统(MEMS)封装。在一示例中，多晶片MEMS封装可以包括：控制器集成电路(IC)，所述控制器集成电路配置成耦合到电路板；MEMS IC，所述MEMS IC安装到所述控制器IC的第一侧；硅通孔，所述硅通孔穿过所述控制器IC在所述第一侧和所述控制器IC的第二侧之间延伸，所述第二侧与所述第一侧相反；并且其中，所述MEMS IC耦合到所述硅通孔。