公开(公告)号：CN103183306B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210038586.1

申请日：2012-02-17

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 黄肇达 ,  许郁文 ,  郭秦辅

IPC: B81B5/00 ,  B81C1/00 ,  G01R33/12

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0154 ,  B81B2203/058 ,  G01R33/0286

Abstract: 本发明公开一种具多重电性通道的微机电装置及其制作方法。该具多重电性通道的微机电装置包括支撑座与质量块。支撑座的绝缘层将其分成上、下导电层。隔绝沟槽设置于支撑座的下导电层且贯穿至绝缘层，将下导电层分成电性绝缘的内、外导电部。导电通孔设置于支撑座且贯穿绝缘层，并连接上导电层及外导电部。质量块的绝缘层将其分成上、下导电层。隔绝沟槽设置于质量块的下导电层且贯穿至绝缘层，并将下导电层分成电性绝缘的两个导电部。质量块的两个导电部分别电连接两个支撑座的内导电部。导电通孔贯穿绝缘层且连接质量块的上导电层及两个导电部之一。上述的微机电装置的制作方法也被提出。

公开(公告)号：CN104944355A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510094985.3

申请日：2015-03-03

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 吉泽隆彦

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0172

Abstract: 本发明涉及一种微机电系统设备及其制造方法，该微机电系统设备具有：基板；功能元件，其直接或经由绝缘膜而被设置于基板的表面上；构造体，其被设置于基板或者绝缘膜的表面上，并在功能元件的周围形成空腔；第1层，其在规定的位置处形成有开口，并以与功能元件之间留有间隙的方式而覆盖空腔的一部分；第2层，其被设置于第1层的表面上，并在与规定的位置对应的位置处形成有开口；封闭部，其在第2层的表面上被设置于与第1层的开口以及第2层的开口相比而更广的范围内，且至少封闭第2层的开口。

公开(公告)号：CN104507853A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380040648.5

申请日：2013-07-08

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 玛丽亚姆·萨达卡 ,  伯纳德·阿斯帕 ,  克里斯特勒·拉加赫·布兰查德

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/16 ,  H03H9/10

Abstract: 一种形成半导体设备的方法，该半导体设备包括集成电路以及与集成电路操作地联接的微机电系统(MEMS)设备，该方法包括：形成导电通道，该导电通道从基板的第一主表面朝向基板的相反的第二主表面至少部分地延伸穿过基板；以及将集成电路的至少一部分制造在基板的第一主表面上。MEMS设备设置在基板的第二主表面上，并且使用至少一个导电通道将MEMS设备与集成电路操作地联接。使用这种方法制造的结构和设备。

公开(公告)号：CN104427447A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410418443.2

申请日：2014-08-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 虎岛和敏 ,  秋山贵弘 ,  长谷川研二 ,  加藤和彦

IPC: H04R19/00 ,  H04R7/06 ,  H04R31/00

CPC classification number: A61B8/4494 ,  A61B5/0095 ,  B06B1/0292 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00182 ,  H02N1/08

Abstract: 本发明涉及电容变换器及其制造方法。提供一种具有振动膜被支撑以能够振动的结构的电容变换器的制造方法。所述方法包括：在第一电极上形成牺牲层；在牺牲层上形成形成振动膜的至少一部分的层；去除牺牲层，包含形成与牺牲层连通的蚀刻孔；形成用于密封蚀刻孔的密封层；以及，蚀刻密封层的至少一部分。在形成密封层之前，在形成振动膜的至少一部分的层上形成蚀刻停止层。在蚀刻密封层的至少一部分的步骤中，去除密封层，直到到达蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN104344917A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410349914.9

申请日：2014-07-22

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 吉田隆司 ,  奥田修史 ,  岩井滋人

IPC: G01L1/10

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0002 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/0285 ,  B81C1/00198 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0145 ,  G01L1/14 ,  G01N29/12 ,  G01N2291/014 ,  G01N2291/02827 ,  H01L41/094 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/2463

Abstract: 本发明提供了一种谐振传感器、其制造方法以及一种用于谐振传感器的多层结构。该谐振传感器包括：单晶硅衬底；单晶硅谐振器，其设置在单晶硅衬底上方；由硅制成的壳体，其带间隙地围绕谐振器，并且与单晶硅衬底一起形成腔室；激励模块，其被配置为激发谐振器；振动检测模块，其被配置为检测谐振器的振动；第一层，其设置在腔室上方，该第一层具有通孔；第二层，其设置在第一层上方；第三层，其覆盖第一层和第二层；以及从第二层朝向谐振器延伸的突起，该突起在空间上与谐振器分离，该突起与第一层隔开第一间隙，第二层与第一层隔开第二间隙，第一间隙与第二间隙连通。

公开(公告)号：CN103650343A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280023350.9

申请日：2012-05-11

Applicant: 芬兰国家技术研究中心

Inventor： 米卡·普伦尼拉 ,  安特尔·亚科拉 ,  托马斯·彭萨拉

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0177 ,  G06F17/5045 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/2442

Abstract: 本发明涉及一种微机械装置，包括：半导体元件，所述半导体元件能够产生偏转或谐振，并且包括具有不同材料性质的至少两个区域；以及功能性连接到所述半导体元件的驱动或传感机构。根据本发明，所述区域中的至少一个包括一种或多种n型掺杂剂，并且所述区域的相对体积、掺杂浓度、掺杂剂和/或晶体定向构造成使得所述区域的广义刚度的温度敏感度至少在一个温度下符号相反，并且在100℃的温度范围内，所述半导体元件的广义刚度的总体温度漂移为50ppm或更少。所述装置可以为谐振器。还公开了一种设计所述装置的方法。

公开(公告)号：CN103444079A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280009253.4

申请日：2012-02-17

Applicant: VTT科技研究中心

Inventor： T.彭萨拉 ,  A.贾亚科拉 ,  M.冈辰科瓦 ,  M.普伦尼拉 ,  J.基伊哈梅基

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/007 ,  B81B3/00

CPC classification number: H03H9/02448 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0271 ,  H01L41/18 ,  H03H3/0072 ,  H03H3/0076 ,  H03H9/2405 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/02503 ,  H03H2009/02519 ,  H03H2009/241 ,  H03H2009/2442 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明关于微机械装置和制造其的方法。该装置包括：由半导体材料制成的振荡或偏转元件（16），其包括n型掺杂剂；和功能地连接到所述振荡或偏转元件（16）的激发或感测部件（10，14）。根据本发明，该振荡或偏转元件（16）基本上均匀地掺杂有所述n型掺杂剂。本发明允许设计具有低温度漂移的多种实用共振器。

公开(公告)号：CN101139078B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200710149027.7

申请日：2007-09-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 御手洗俊 ,  多田正裕

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2203/0145

Abstract: 提供一种通过使成膜时的影响不波及到功能部而能提高元件可靠性的功能元件。基板(10)的表面上具备可动部(11)、密封层(12)和壁部(13)。密封层(12)具有在可动部(11)周围形成内部空间(14)的拱顶状形状，在密封层(12)中与可动部(11)相对区域以外的区域设置开口部(15)。壁部(13)形成在可动部(11)与开口部(15)之间而不把内部空间(14)分离，在内部空间(14)内形成有贯通开口部(15)且由不贯通密封层(12)和壁部(13)的直线不横穿的空间(阴影空间(19))。可动部(11)被配置在该阴影空间(19)内。

公开(公告)号：CN101535171B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200780042891.5

申请日：2007-11-15

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 约翰内斯·东科尔斯 ,  埃尔文·海曾 ,  菲利普·默尼耶-贝亚尔 ,  格哈德·科普斯

IPC: H01L21/56 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2203/0145

Abstract: 本发明公开了一种制造结构(1100)的方法，所述方法包括在衬底(101)上形成罩元件(401)，去除罩元件(401)下的衬底(101)的材料(103)，从而在罩元件(401)和衬底(101)之间形成间隙(802)，并重新布置罩元件(401)和/或衬底(101)的材料，从而合并罩元件(401)和衬底(101)，以桥接间隙(802)。

公开(公告)号：CN1305752C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200410095680.6

申请日：2004-11-17

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： M·弗拉诺斯奇 ,  A·梅科斯 ,  W·内斯勒 ,  K·-G·奥佩曼恩

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L23/02 ,  H03H9/10

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1635 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1645 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  Y10S438/977

Abstract: 一光阻材质结构(34)，其并不需要牺牲层或晶圆接合程序即可加以产生，且被分别应用于必需的壳装、以及围绕在一基板(10)，例如，一晶圆，上的该微机械结构(14)的一空穴(38)，进以藉由，举例而言，一铸模以及铸造程序，而将其在之后处理中封装于一壳装中。在此，考虑之处在于，因为在使用一负光阻的例子中，该未交联的光阻，以及在一正光阻的例子中，该被漂白的光阻，乃必须在该显影步骤期间，自代表该空穴内部的区域处被移除，因此，不可能以选择性地单独蚀刻来产生一封闭的空穴，以及，考虑之处也在于，其有可能简单地将在稍后之显影步骤中所需要的此开口(44)进行封闭，以获得一封闭的空穴(38)。