公开(公告)号：CN101978469A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110382.0

申请日：2009-03-03

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德 ,  蒂莫西·奎克

IPC: H01L21/033 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/76828 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  C08F299/02 ,  C08F299/0492 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供使用自我组装嵌段共聚物以制造亚光刻纳米级微结构的方法、和自所述方法形成的膜及装置。

公开(公告)号：CN106946210B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201611022323.6

申请日：2016-11-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫 ,  C.格拉策

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R19/04

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/0008 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  H04R3/00 ,  H04R7/122 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2207/00

Abstract: 本发明涉及用于垂直电极换能器的系统和方法。根据实施例，一种操作具有薄膜的微机电系统(MEMS)换能器的方法包括：使用第一对静电驱动电极在薄膜的平面外偏转和第一对静电驱动电极上的电压之间转化。第一对静电驱动电极被形成在薄膜上，沿平面外方向延伸并且在第一对静电驱动电极之间形成可变电容。

公开(公告)号：CN107809717A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201611158765.3

申请日：2016-12-14

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 俞一善

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/0075 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  H01L51/0048 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R2231/003

Abstract: 本申请涉及一种高灵敏度麦克风及其制造方法。该高灵敏度麦克风包括：基板，其具有设置于其中央部分中的穿透部分；振动膜，其设置在基板上并覆盖穿透部分；固定膜，其安装在振动膜上方，通过介于两者之间的空气层而与振动膜隔开，并该固定膜具有在朝向空气层的方向上穿孔的多个进气口；以及多个支柱，其作为固定膜和振动膜之间的竖直弹性柱，并通过摩擦力机械地固定振动膜而所施加的电压无关。

公开(公告)号：CN105073280B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201480009849.3

申请日：2014-02-27

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： P·B·约翰逊 ,  I·O·伍感特

IPC: B06B1/02

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B06B2201/76 ,  B81B7/007 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/036 ,  H02N1/006 ,  H04R19/005 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/09863

Abstract: 一种电容式微机械超声换能器(CMUT)装置100包括至少一个CMUT单元100a，其包括：单晶材料的第一衬底101，第一衬底101具有包括在其上的图形化介电层的顶侧，图形化介电层包括厚介电区域106和薄介电区域107；和延伸第一衬底的整个厚度的贯穿衬底通孔(TSV)111。TSV由单晶材料形成、并且由单晶材料中的隔离区域131电气隔离，而且位于第一衬底的顶侧接触区域102a下方。膜层120b接合到厚介电区域并且在薄介电区域上方，以在微机电系统(MEMS)腔体114上方提供可移动膜。金属层161在顶侧衬底接触区域上方并且在可移动膜上方，其包括顶侧衬底接触区域到可移动膜的耦合件。

公开(公告)号：CN105917193B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201480073695.4

申请日：2014-10-21

Applicant: 萨甘安全防护公司

Inventor： A·金洛伊 ,  P·恩夫罗伊

IPC: G01C19/574 ,  B81B3/00

CPC classification number: G01C19/574 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/013 ,  G01C19/5733 ,  G01C19/5769

Abstract: 本发明涉及一种惯性传感器，包括框架和换能器，至少两个激振体通过弹性装置被连接到该框架以便在悬挂平面中是可移动的，所述换能器保持激振体振动并确定激振体相对于彼此的相对移动，其特征在于，所述激振体具有单一形状和单一质量，并且所述激振体包括互锁部件，这样激振体在彼此内部嵌套，同时在悬挂平面中相对于其他激振体是可移动的，同时激振体具有彼此重合的重心。本发明还涉及一种用于制造这种传感器的方法。

公开(公告)号：CN106687407A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201480079923.9

申请日：2014-06-16

Applicant: 埃普科斯股份有限公司 ,  原子能和替代能源委员会

Inventor： G.亨 ,  M.吉森 ,  A.邓德克 ,  J-L.波宁 ,  D.圣-帕特赖斯 ,  B.赖格

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B7/0041 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: 本发明涉及一种微电子封装（1），包括：具有至少第一开口（3）并且限定第一腔体（4）的微电子结构（2）；具有至少第二开口（10）并且限定连接到第一腔体（4）的第二腔体（11）的封盖层（9），其中封盖层（9）布置在微电子结构（2）之上使得第二开口（10）布置在第一开口（3）之上；以及覆盖第二开口（10）的密封层（13），从而密封第一腔体（4）和第二腔体（11）。而且，本发明涉及制造微电子封装（1）的方法。

公开(公告)号：CN106586943A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610755921.8

申请日：2016-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程世伟 ,  王志佑 ,  许希丞 ,  蒋季宏 ,  翁睿均 ,  林炫政 ,  吴威鼎 ,  胡景翔

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/0006 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/037 ,  B81C2203/0792 ,  B81B7/0032 ,  B81C1/00261

Abstract: 本发明涉及使用多晶硅层间连接件以提供MEMS器件信号中的较低的寄生电容的微机电系统(MEMS)封装件、以及形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，CMOS衬底具有在半导体主体内布置的一个或多个半导体器件。具有活动元件的MEMS衬底通过导电接合结构连接至CMOS衬底。在MEMS衬底的从活动元件横向偏移的位置处的前侧上布置导电接合结构。一个或多个多晶硅通孔延伸穿过导电的MEMS衬底至接合结构。一个或多个多晶硅通孔配置为将MEMS衬底电耦合至CMOS衬底。通过使用多晶硅通孔将MEMS衬底连接至CMOS衬底，减小了MEMS封装件的寄生电容和形状系数。本发明的实施例还涉及用于寄生电容器的层间多晶硅连接件以及管芯尺寸改进。

公开(公告)号：CN106082103A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510735507.6

申请日：2015-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周仲彥

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00801 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0792

Abstract: 提供了用于制造具有牺牲支撑件以防止粘滞的微机电系统(MEMS)结构的方法。实施至载体衬底的上表面内的第一蚀刻以在腔体中形成牺牲支撑件。实施热氧化工艺以氧化牺牲支撑件，并且以形成作为上表面的衬垫并且包括氧化的牺牲支撑件的氧化物层。通过氧化物层将位于载体衬底上方的MEMS衬底接合至载体衬底。实施至MEMS衬底内的第二蚀刻以形成位于腔体上面并且由氧化的牺牲支撑件支撑的可移动块。实施至氧化物层内的第三蚀刻以横向地蚀刻氧化的牺牲支撑件和以去除氧化的牺牲支撑件。也提供了具有抗粘滞凸块的MEMS结构。本发明实施例涉及防止湿清洗工艺之后的粘滞的微机电系统(MEMS)结构。

公开(公告)号：CN104760925B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201410007410.9

申请日：2014-01-07

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 荆二荣

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013

Abstract: 本发明提供一种薄膜支撑梁的制作方法，首先完成牺牲层的制作并图形化，之后在牺牲层表面淀积制备介质膜层和金属膜层，图形化金属膜层，在介质膜层和金属膜层上光刻并刻蚀出支撑梁图形，然后仅需要去除牺牲层即可得到薄膜支撑梁结构，这样可以制备出最小尺寸等于最小线宽的支撑梁，同时，该方法对光刻的套准精度要求比较低，减小了工艺难度。

公开(公告)号：CN102906011B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201180025557.5

申请日：2011-06-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.斯坦珀 ,  C.V.扬斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体的方法包括在下布线层之上形成第一牺牲腔体层。该方法还包括形成一层。该方法还包括在第一牺牲层之上形成第二牺牲腔体层并且该第二牺牲腔体层与该层接触。该方法还包括在第二牺牲腔体层上形成顶盖。该方法还包括在顶盖中形成至少一个排放孔，暴露第二牺牲腔体层的一部分。该方法还包括在排放或剥离第一牺牲腔体层之前，排放或剥离第二牺牲腔体层，使第二牺牲腔体层的顶表面不再接触顶盖的底表面，从而分别形成第一腔体和第二腔体。