公开(公告)号：CN105555705A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480052091.1

申请日：2014-07-14

Applicant: 光州科学技术院

Inventor： 尹明汉 ,  李世宁

IPC: B82B3/00

CPC classification number: H01L29/0676 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明提供一种硅纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：使塑料粒子以均匀随机图案相互隔离地布置于硅基板上；在所述塑料粒子之间形成催化剂层；除去所述塑料粒子；垂直蚀刻与所述催化剂层接触的硅基板部位；及除去所述催化剂层。根据本发明，工艺简单，费用低，通过大面积工艺能够实现批量生产，在资源有限的地方也能够制备纳米线，可以独立控制纳米线的结构。

公开(公告)号：CN103935953B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201410172235.9

申请日：2014-04-25

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 徐元俊 ,  颜毅林 ,  薛维佳

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0198 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结构；在键合片的上方形成保护膜，并在硅衬底的背面形成掩蔽层；对掩蔽层作图形化，掩蔽层的图形与待形成的大腔体的位置对应；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至其正面的氧化层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和氧化层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片至其上方的保护膜，在键合片中形成一个或多个小腔体。本发明很好地控制了复合腔体中小腔体所在的半导体介质层的厚度均匀性。

公开(公告)号：CN105236345A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510608392.4

申请日：2015-09-22

Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司 ,  杭州士兰集成电路有限公司

Inventor： 季锋 ,  闻永祥 ,  刘琛 ,  周浩

IPC: B81B7/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00285 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/0198 ,  B81C2203/0109 ,  H01L23/26

Abstract: 本发明提供了一种MEMS器件、半导体器件及其制造方法，所述MEMS器件具有密闭的腔体，所述腔体具有在第一平面内延伸的内壁，所述内壁包括用于淀积吸气剂薄膜的薄膜淀积区域，所述薄膜淀积区域形成有一个或多个凹槽，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角大于0°且小于180°，所述吸气剂薄膜覆盖所述凹槽的侧壁。本发明能够在常规的蒸发、溅射设备上以较小的入射角度形成吸气剂薄膜，即形成多孔性、高粗糙度的吸气剂薄膜。

公开(公告)号：CN102344111B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201110212573.7

申请日：2011-07-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·费雷拉 ,  M·佩尔勒蒂 ,  I·瓦里斯科 ,  L·扎诺蒂

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00119 ,  B01D67/0062 ,  B01D71/02 ,  B01D2325/021 ,  B01D2325/028 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502753 ,  B01L2300/0681 ,  B81B2201/10 ,  B81C1/00071 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0157 ,  F04B19/006

Abstract: 本发明的实施方式公开用于制造含有设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法。一种用于制造微机械结构(25)的方法构思了：在半导体材料的本体(1，12)内形成掩埋空腔(10)，该掩埋空腔通过第一表面层(12)而与所述本体的顶表面(12a)隔开；以及在掩埋空腔(10)与外部环境之间形成用于流体连通的进出管道(18a)。该方法构思了：在第一进出区域(17a)处的顶表面(12a)上形成刻蚀掩膜(14)；在顶表面(12a)上以及在刻蚀掩膜(14)上形成第二表面层(15)；在对应于第一进出区域的位置中执行刻蚀使得去除第二表面层(15)的部分以及下面的未被刻蚀掩膜(14)覆盖的第一表面层(12)的部分，直到到达掩埋空腔，从而形成第一进出管道(18a)以及设置在第一进出管道与该掩埋空腔之间的过滤器元件(20)。

公开(公告)号：CN105161437A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510598724.5

申请日：2015-09-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭广生 ,  王思雨 ,  蒲巧生 ,  汪夏燕

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B81C1/00928 ,  B81C3/001 ,  B81C3/002 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/051 ,  H01L21/68 ,  H01L21/682 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L2221/67

Abstract: 等离子体辅助的玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合方法，属于芯片微加工及键合技术。其步骤如下：完全去除玻璃或石英芯片光胶层及铬层，使用洗洁精及大量超纯水充分清洗表面。利用等离子体清洗器进行表面清洗及活化，使表面具有高亲水性；无水条件下，使用显微镜观察，移动清洗后的基片及盖片，完成精确对准。在边缘缝隙滴入极少量超纯水进行粘合，充分施压挤出多余水分后，依靠等离子体清洗器的真空功能排出芯片中的全部水分，完成玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合。进一步采用热键合的方法完成芯片的永久键合。该方法使得对准及预键合，整体操作时间可在30min内完成。快速高效、实施简便、操作安全、适用广泛。

公开(公告)号：CN103762160A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410042467.2

申请日：2014-01-28

Applicant: 北京华力创通科技股份有限公司

Inventor： 郭子超 ,  虢晓双 ,  张旭 ,  肖定邦 ,  张欢 ,  侯占强 ,  吴光跃 ,  吴学忠

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0133 ,  H01L21/67075

Abstract: 本发明涉及硅片刻蚀领域，具体而言，涉及深硅刻蚀方法及其装置。该深硅刻蚀方法，包括如下步骤：将腐蚀溶液置于水浴中加热至预定温度，并通过磁力搅拌器对所述腐蚀溶液进行搅拌，使所述腐蚀溶液内部温度均匀；将带有掩膜的硅片竖直置于所述腐蚀溶液中腐蚀；将腐蚀好的硅片用去离子水清洗并经氮气吹干，得到成品硅片。本发明提供的深硅刻蚀方法及其装置，与现有技术相比，使刻蚀出的硅片的结构、图形、尺寸一致。

公开(公告)号：CN102736244A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210098125.3

申请日：2012-04-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 日野真希子 ,  沟口安志

IPC: G02B26/08 ,  G02B26/10 ,  B81B3/00

CPC classification number: G02B26/085 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/058 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0133

Abstract: 本发明提供致动器、光扫描仪以及图像形成装置。该致动器具备：可动部，其能够绕摆动轴摆动；连结部，其从上述可动部延伸出来，且伴随上述可动部的摆动而扭转变形；以及支承部，其支承上述连结部，上述可动部形成为从上述可动部的厚度方向观察时呈十字状，上述连结部的与上述摆动轴垂直的剖面形成为，该连结部的宽度从上述可动部的第一表面朝向与上述第一表面对置的第二表面逐渐增加的形状。

公开(公告)号：CN1495293B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN03156788.6

申请日：2003-09-12

Applicant: 阿尔特拉公司

Inventor： 贝文·斯特普尔 ,  吉尔林·布里亚克

IPC: C23F1/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0139 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明涉及一种微机电结构，其通过在基片上沉积牺牲材料和结构材料而在一个电附着于基片的部件上形成一个结构层来形成。该结构层的电位高于该部件的电位。至少部分结构材料用保护材料覆盖，该保护材料的电位低于或等于部件的电位。该牺牲材料用一种脱除溶液去除。至少部分保护材料和脱除溶液经过表面活性剂处理，该表面活性剂对该部件的一个表面起作用。

公开(公告)号：CN101500935A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780028894.3

申请日：2007-08-02

Applicant: 点35微结构有限公司

Inventor： 安东尼·奥哈拉

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C2201/0133

Abstract: 描述了一种释放微结构的受控的方法，该微结构包括位于衬底层与将要从氧化硅层释放的层之间的氧化硅层。该方法包括步骤：在具有受控的温度和压力条件的处理室中，使氧化硅层暴露于氟化氢蒸气。此反应的副产物是水，水还作为蚀刻过程的催化剂。以受控的方式利用此内在的水源，导致只在氧化物层的暴露表面上形成冷凝的流体层，且因而只在氧化物层的暴露表面上进行蚀刻。因此，所述方法减弱了在蚀刻的微结构内的毛细作用导致的黏附效应和/或减弱了微结构内的腐蚀以及处理室本身的腐蚀。

公开(公告)号：CN1656382A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN02814200.4

申请日：2002-04-05

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： D·马拉梅茨

IPC: G01P15/08 ,  G01P1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0181 ,  B81B2203/058 ,  B81C2201/0133 ,  G01P1/006 ,  G01P15/097

Abstract: 本发明提供了一种用于对一种结构进行悬挂和应变隔离的设备和方法，所述设备具有第一细长弯曲部分和第二细长弯曲部分，所述第一细长弯曲部分具有被构造成用于连接于支撑结构的第一和第二端，所述第二细长弯曲部分具有被构造成用于连接于与支撑结构相隔离的结构的第一和第二端。位于其第一和第二端中间的第二弯曲部分的一部分与位于其第一和第二端中间的第一弯曲部分的一部分互相连接。应变消除结构可用在加速度计中。该结构可具有H或X形状，其中支腿表示细长弯曲部分。