전자 방출 소자 및 전자 방출 소자의 제조 방법
    43.
    发明公开
    전자 방출 소자 및 전자 방출 소자의 제조 방법 无效
    电子发射装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020060113185A

    公开(公告)日:2006-11-02

    申请号:KR1020050036107

    申请日:2005-04-29

    Inventor: 이창수

    CPC classification number: H01J1/30 C01B32/162 H01J2201/30461 H01J2201/30469

    Abstract: An electron emission device and a method for manufacturing the same are provided to form an electron emission part by growing directly carbon-based materials on a catalytic layer. A cathode electrode(4), an insulating layer(6), and a gate electrode(8) are formed on a substrate(2). A plurality of openings are formed on the gate electrode and the insulating layer. A conductive layer is formed on an entire surface of a structure provided on the substrate. A catalytic layer(18) is formed on an electron emission unit region of the conductive layer. An electron emission unit(20) is formed by growing a carbon-based material on the catalytic layer. Carbon residues are removed from the remaining conductive layer except for the conductive layer under the catalytic layer.

    Abstract translation: 提供电子发射器件及其制造方法,以通过在催化剂层上直接生长碳基材料来形成电子发射部分。 在基板(2)上形成阴极电极(4),绝缘层(6)和栅电极(8)。 在栅电极和绝缘层上形成多个开口。 在设置在基板上的结构的整个表面上形成导电层。 催化剂层(18)形成在导电层的电子发射单元区域上。 通过在催化层上生长碳基材料形成电子发射单元(20)。 除了在催化层下方的导电层之外,剩余的导电层除去碳残余物。

    카본나노튜브 페이스트, 이의 제조방법 및 이를 이용한 카본나노튜브 에미터의 제조방법
    44.
    发明公开
    카본나노튜브 페이스트, 이의 제조방법 및 이를 이용한 카본나노튜브 에미터의 제조방법 有权
    碳纳米管浆料,其制造方法和使用其制造CNT发射体的方法

    公开(公告)号:KR1020160084148A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:KR1020150000684

    申请日:2015-01-05

    Abstract: 본발명은카본나노튜브페이스트, 이의제조방법및 이를이용한카본나노튜브에미터의제조방법에관한것으로, 카본나노튜브페이스트는, 카본나노튜브, 카본나노튜브를혼합및 분산시키기위한그래핀을포함하는혼합재, 및카본나노튜브와혼합재가혼합된혼합물을피접착체에접착시키기위한유기바인더를포함한다. 따라서, 대면적의음전극에카본나노튜브에미터를직접형성하고동시에고안정성의분산을달성하여안정적인에미션전류를얻을수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种碳纳米管糊,其制造方法和使用该碳纳米管的碳纳米管发射体的制造方法。 碳纳米管糊包括:碳纳米管; 包括用于混合和扩散碳纳米管的石墨烯的混合材料; 以及将碳纳米管和混合材料混合的混合物与要结合的物体接合的有机粘合剂。 因此,在大面积的负极中直接形成碳纳米管发射体,同时实现高稳定性的扩散,以获得稳定的发射电流。

    전계 방출 소자 및 전계 방출 소자의 게이트 전극의 제조 방법
    46.
    发明公开
    전계 방출 소자 및 전계 방출 소자의 게이트 전극의 제조 방법 审中-实审
    场发射元件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150026363A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:KR1020130105097

    申请日:2013-09-02

    Abstract: 개시된 전계 방출 소자는, 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극에 지지된 전자 방출원을 포함하는 에미터; 상기 에미터 주위에 마련되고 상기 전자 방출원으로부터 방출된 전자의 통로인 개구를 형성하는 절연 스페이서; 상기 개구를 덮는 그래핀 시트를 구비하는 게이트 전극;을 포함한다.

    Abstract translation: 本发明提供能够在低栅极电压下高效率地抽出许多电子的场致发射元件,以及制造场致发射元件的栅电极的方法。 所公开的场发射元件包括:阴极电极; 包括由阴极电极支撑的电子发射源的发射极; 绝缘间隔件,其布置在发射器周围并形成作为从电子发射源发射的电子的路径的开口; 以及栅电极,其包括覆盖所述开口的石墨烯片。

    전계 방출 소자 및 전계 방출 소자의 에미터의 제조 방법
    49.
    发明公开
    전계 방출 소자 및 전계 방출 소자의 에미터의 제조 방법 审中-实审
    现场排放元素及其排放元素的制造方法

    公开(公告)号:KR1020150026365A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:KR1020130105099

    申请日:2013-09-02

    Abstract: 개시된 전계 방출 소자는 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극에 지지된 전자 방출원을 포함하는 에미터; 상기 에미터 주위에 마련되고 상기 전자 방출원으로부터 방출된 전자의 통로인 개구를 형성하는 절연 스페이서; 상기 개구 주위에 배치되는 게이트 전극;을 포함하며, 상기 전자 방출원은 상기 캐소드 전극에 상기 개구를 향하여 세워진 형태로 지지된 다수의 그래핀 박막을 포함한다.

    Abstract translation: 本发明提供能够在低栅极电压下高效率地抽出许多电子的场致发射元件,以及制造场致发射元件的发射极的方法。 所公开的场发射元件包括:阴极电极; 包括由阴极电极支撑的电子发射源的发射极; 绝缘间隔件,其布置在发射器周围并形成作为从电子发射源发射的电子的路径的开口; 以及设置在开口周围的栅电极。 电子发射源包括由阴极支撑的多个石墨烯薄膜,其形状朝向开口竖立。

    조명용 엘이디 기판 및 조명 유닛
    50.
    发明公开
    조명용 엘이디 기판 및 조명 유닛 有权
    用于照明和照明单元的LED板

    公开(公告)号:KR1020070047411A

    公开(公告)日:2007-05-07

    申请号:KR1020050104113

    申请日:2005-11-02

    Inventor: 박성하

    Abstract: 본 발명은 조명 유닛에 관한 것으로, 특히 엘이디(LED)에 의해 발생되는 열을 효율적으로 확산시켜 방열하고자 하는 기술에 관련된 것이다.
    본 발명에 따른 조명 유닛은 케이싱과, 케이싱 상에 놓이는 적어도 1의 메탈 PCB와, 메탈 PCB 상에 나란히 배열되어 전기적인 구동신호를 공급받아 발광하는 다수의 엘이디(LED)들과, 메탈 PCB에 접하되, 다수 엘이디들의 배열 위치를 제외하여 접하는 그라파이트 시트를 포함한다. 이 같이 본 발명에 따른 조명 유닛은 열전도도가 높으며, 가격이 저렴하고, 유연성을 가져 밀착도가 높은 그라파이트 시트를 채용함에 의해, 엘이디(LED)에 의해 발생되는 열을 보다 능률적으로 확산시켜 방열시킬 수 있으며, 발열체인 엘이디(LED)에 붙어있는 구조를 띠므로 방열 효율을 더욱 높일 수 있다.
    엘이디(LED), 방열, 그라파이트.

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