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公开(公告)号：KR100776845B1
公开(公告)日：2007-11-16
申请号：KR1020017015454
申请日：2000-06-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/16
Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 처리용기와, 처리용기내에 배치된 제1전극을 갖추고 있다. 제1전극은 프로세스 가스를 처리용기내로 공급하기 위한 복수의 가스분산구멍과, 계측광용의 개구부를 갖추고 있다. 제1전극의 가스분산구멍 및 개구부에 대해 한쪽에 제2전극이 대향배치되어 있다. 전원장치가, 제1전극과 제2전극 사이에 전압을 인가하여 제1전극과 제2전극 사이에 플라즈마를 발생시킨다. 창부재의 광로가, 계측광용의 개구부의 다른쪽에 연접(連接)하고 있다. 상기 가스분산구멍은 매트릭스모양의 배열로 형성되고, 상기 개구부는 상기 가스분산구멍의 배열을 방해하는 일없이 상기 가스분산구멍과는 별개로 형성되어 있다. 본 발명에 의하면, 감시용 창으로서의 개구부 및 광로의 존재에 관계없이 처리용기내로 프로세스 가스를 균일하게 공급할 수 있고, 균일한 플라즈마 처리를 실시할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040035813A
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：KR1020047003954
申请日：2002-09-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32688
Abstract: 자장 형성 기구(21)의 각 자석 세그먼트(22)가 도 3a에 도시하는 바와 같이 각 자석 세그먼트(22)의 자극이 진공 챔버(1)측을 향한 상태로부터, 도 3b, 도 3c에 도시하는 바와 같이, 인접하는 자석 세그먼트(22)가 동기하여 반대 방향, 따라서 하나 건너 하나씩의 자석 세그먼트(22)가 동일한 방향으로 회전하여, 진공 챔버(1)내에 형성되는 반도체 웨이퍼(W)의 주위의 멀티폴 자장의 상태를 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 이것에 의해서, 플라즈마 처리 프로세스의 종류에 따라서 적절한 멀티폴 자장의 상태를 용이하게 제어, 설정할 수 있어, 양호한 처리를 용이하게 실행할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010006005A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019997009083
申请日：1998-04-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/455 , C23C16/5096 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , Y10T29/49002 , Y10T29/49117 , Y10T29/532 , Y10T29/53204
Abstract: 본발명은, 가스토출구멍에착탈및 위치결정이용이하고내플라즈마성이우수한절연부재를끼워장착한처리장치를제공한다. 본발명에있어서, 에칭장치(100)의상부전극(128)에배치된가스토출구멍 (128a)은절연부재(144)의외형형상에대응한형상으로형성된다. 절연부재(144)는폴리에테르에테르케톤이나폴리이미드나폴리에테르이미드로이루어지고, 그외부표면에단부(144a)가형성된다. 절연부재(144)의긴 쪽방향의길이는가스토출구멍(128a)의긴 쪽방향의길이보다짧게형성된다. 절연부재(144)내에는그 긴쪽 방향을따라관통구멍(144d)이설치됨과더불어, 관통구멍(144d)의처리실(102)측개구부부근이처리실(102)측으로향하여직경이확대되는거의테이퍼모양으로형성된다. 절연부재(144)를가스토출구멍(128a)내에가스토출구멍(128a)의취출구측으로부터삽입하고, 단부(144a)와가스토출구멍(128a) 내벽에형성된견부(128b)가맞추어지도록절연부재(144)를밀어넣고끼워장착시킨다. 이때, 절연부재(144)는상부전극의서셉터(110)측의면보다도돌출하여배치된다.
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