적층 반도체모듈, 그 제조방법, 및 그것을 채택하는 전자장치
    51.
    发明公开
    적층 반도체모듈, 그 제조방법, 및 그것을 채택하는 전자장치 有权
    堆叠式半导体模块,其形成方法和使用该方法的电子系统

    公开(公告)号:KR1020100031965A

    公开(公告)日:2010-03-25

    申请号:KR1020080090880

    申请日:2008-09-17

    Abstract: PURPOSE: A stacked semiconductor module, a method for manufacturing the same, and an electronic device using the same are provided to reduce a signal transmission path between taps and semiconductor devices by connecting the taps of a rigid printed circuit board and a flexible printed circuit board through a via plug. CONSTITUTION: A stacked semiconductor module includes a first semiconductor module(100), a second semiconductor module(200A), and a conductive adhesive(91). The first semiconductor module includes a flexible printed circuit board(50) and a plurality of semiconductor devices(71,72,73,74). The rigid printed circuit board includes a first surface(501) and a second surface(502). The first surface includes first taps. The second surface includes second taps. The second semiconductor module includes a flexible printed circuit board(60A) and a plurality of semiconductor devices. The flexible printed circuit board includes a third surface(601) and a fourth surface(602). The third surface includes third taps. The fourth surface has the fourth taps. The conductive adhesive is formed between the second taps and the third taps.

    Abstract translation: 目的:提供堆叠式半导体模块及其制造方法以及使用其的电子设备,通过连接刚性印刷电路板和柔性印刷电路板的抽头来减少抽头与半导体器件之间的信号传输路径 通过通孔插头。 构成:叠层半导体模块包括第一半导体模块(100),第二半导体模块(200A)和导电粘合剂(91)。 第一半导体模块包括柔性印刷电路板(50)和多个半导体器件(71,72,73,74)。 刚性印刷电路板包括第一表面(501)和第二表面(502)。 第一个表面包括第一个水龙头。 第二表面包括第二抽头。 第二半导体模块包括柔性印刷电路板(60A)和多个半导体器件。 柔性印刷电路板包括第三表面(601)和第四表面(602)。 第三表面包括第三个水龙头。 第四个表面具有第四个水龙头。 导电粘合剂形成在第二抽头和第三抽头之间。

    가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법
    52.
    发明公开
    가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 无效
    可变电阻记忆体装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020100027949A

    公开(公告)日:2010-03-11

    申请号:KR1020090050491

    申请日:2009-06-08

    Abstract: PURPOSE: A variable resistance memory device and a method for manufacturing the same are provided to reduce an operational current of the memory device by improving the shape of a variable resistance pattern. CONSTITUTION: A variable resistance device includes a plurality of lower electrodes(132), a trench(142), a variable resistance pattern(152) and an upper electrode(175). The upper side of the lower electrodes is exposed by the trench. The variable resistance pattern includes a lower part and side parts. The lower part is contacted to the upper side of the lower electrodes. The side parts which are connected to the edge part of the lower part cover the both walls of the trench. The upper electrode is formed on the upper side of the variable resistance pattern.

    Abstract translation: 目的:提供可变电阻存储器件及其制造方法,以通过改善可变电阻图案的形状来减小存储器件的工作电流。 构成:可变电阻装置包括多个下电极(132),沟槽(142),可变电阻图案(152)和上电极(175)。 下部电极的上侧被沟槽露出。 可变电阻图案包括下部和侧部。 下部与下部电极的上侧接触。 连接到下部的边缘部分的侧部覆盖沟槽的两个壁。 上电极形成在可变电阻图案的上侧。

    플라즈마 처리장치
    54.
    发明公开
    플라즈마 처리장치 无效
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR1020090056475A

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:KR1020070123630

    申请日:2007-11-30

    CPC classification number: H01J37/32165 H01J37/32357

    Abstract: A plasma processing apparatus is provided to prevent recombination of a source gas while maximizing resolution ratio by generating plasma inside/outside of a chamber. A process chamber is formed at a chamber(110) to process a substrate(90) through plasma, and a source gas supply unit(180) supplies a source gas for processing the substrate to the chamber. A remote plasma generation unit(160) is arranged between a chamber and a source gas supply unit, and it supplies power to excite the source gas to first energy level plasma. A direct plasma generating unit(150) includes a chamber to excite the first energy level gas to second energy level plasma.

    Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置,用于防止源气体的复合,同时通过在室内/外部产生等离子体来最大化分辨率。 在室(110)处形成处理室,以通过等离子体处理衬底(90),并且源气体供应单元(180)将用于处理衬底的源气体供应到腔室。 远程等离子体生成单元(160)设置在室和源气体供给单元之间,并且其供应功率以将源气体激发到第一能级等离子体。 直接等离子体产生单元(150)包括用于将第一能量级气体激发到第二能级等离子体的室。

    메모리 관리 방법 및 메모리 시스템
    55.
    发明公开
    메모리 관리 방법 및 메모리 시스템 无效
    管理存储器和存储器系统的方法

    公开(公告)号:KR1020090030085A

    公开(公告)日:2009-03-24

    申请号:KR1020070095413

    申请日:2007-09-19

    Abstract: A method for memory management and a memory system are provided to restore the compacted table memory as described above in the drive of system according to need by storing the table memory used in system. A method for memory management performs the followings: a first memory(120) stores the result that the first or the second table is compacted, the first table is a plurality of decoding modes used among the tables of the plurality of including the information referred to decoding operation processes supported before performing for each frame decoding of the bit stream; a second table is selectively used according to decoding modes when performing for each frame decoding of the bit stream, and a second memory(150) stores the used table regardless of decoding modes when performing for each frame decoding of the bit stream among a plurality of tables.

    Abstract translation: 提供一种用于存储器管理的方法和存储器系统,以通过存储系统中使用的表存储器来根据需要在系统的驱动器中恢复如上所述的压缩表存储器。 一种用于存储器管理的方法执行以下操作:第一存储器(120)存储第一或第二表被压缩的结果,第一表是在多个表中使用的多个解码模式,包括所指的信息 在对比特流的每个帧解码执行之前支持的解码操作处理; 在对比特流的每个帧解码执行时,根据解码模式选择性地使用第二表,并且当对多个比特流中的比特流的每个帧解码执行时,第二存储器(150)存储所使用的表,而不管解码模式如何 表。

    적응형 학습에 기반한 얼굴 인식 시스템 및 방법
    56.
    发明授权
    적응형 학습에 기반한 얼굴 인식 시스템 및 방법 有权
    基于自适应学习的面部识别系统与方法

    公开(公告)号:KR100886557B1

    公开(公告)日:2009-03-02

    申请号:KR1020070043108

    申请日:2007-05-03

    CPC classification number: G06K9/00295

    Abstract: 본 발명은 적응형 학습에 기반한 얼굴 인식 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 동영상 상에서 특정인을 검출 및 추적하는 특정인 검출 및 추적부와, 상기 검출 및 추적된 특정인으로부터 복수의 얼굴특징 벡터를 추출하는 얼굴특징 추출부와, 상기 추출된 얼굴특징 벡터와 사용자 등록모델 데이터베이스(Database)에 저장된 등록모델을 비교하여 해당 등록모델을 검색하는 얼굴 인식부와, 상기 추출된 얼굴특징 벡터 중에서 상기 해당 등록모델의 레코드(Record)에 추가할 얼굴특징 벡터를 선정하는 학습대상 선정부와, 상기 선정된 얼굴특징 벡터를 상기 해당 등록모델의 레코드에 추가하여 갱신하는 등록모델 학습부를 포함한다.
    본 발명에 의한 적응형 학습에 기반한 얼굴 인식 시스템 및 방법에 의하여 사용자의 얼굴을 인식 시 획득되는 다양한 얼굴 형상을 수집하여 사용자 등록모델을 갱신함으로써, 다양한 환경 변화에 불구하고 안정적으로 사용자의 얼굴을 인식할 수 있는 효과가 있다.
    얼굴 인식 시스템, 등록모델, 서브모델, 얼굴특징 벡터

    상변화 메모리 장치의 제조 방법
    57.
    发明公开
    상변화 메모리 장치의 제조 방법 无效
    制造相位可变存储器件的方法

    公开(公告)号:KR1020080072296A

    公开(公告)日:2008-08-06

    申请号:KR1020070010823

    申请日:2007-02-02

    Abstract: A method of manufacturing a phase change memory device is provided to prevent an interface of a phase change material film pattern from being contaminated by forming first and second capping films on the phase change material film pattern. An insulation film pattern(130) having an opening is formed on a substrate(100). Lower electrodes(140) for burying the opening are formed. A phase change material film pattern(150) and an upper electrode film pattern(160), which is connected to the lower electrodes, are laminated in a structure. A first capping film(190) is formed along a surface of the insulation film pattern of the structure. A second capping film(200) covers the first capping film, such that a void is generated between the structures.

    Abstract translation: 提供一种制造相变存储器件的方法,用于通过在相变材料膜图案上形成第一和第二封盖膜来防止相变材料膜图案的界面被污染。 在衬底(100)上形成具有开口的绝缘膜图案(130)。 形成用于埋入开口的下电极(140)。 以与该下电极连接的相变材料膜图案(150)和上部电极膜图案(160)层叠而成。 沿着结构的绝缘膜图案的表面形成第一覆盖膜(190)。 第二封盖膜(200)覆盖第一封盖膜,使得在结构之间产生空隙。

    식각정지막을 갖는 반도체소자 및 그 제조방법.
    58.
    发明公开
    식각정지막을 갖는 반도체소자 및 그 제조방법. 无效
    具有蚀刻阻挡层的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020080071345A

    公开(公告)日:2008-08-04

    申请号:KR1020070009471

    申请日:2007-01-30

    CPC classification number: H01L27/11517 H01L21/28273 H01L29/66825 H01L29/788

    Abstract: A semiconductor device having an etch-stop layer and a manufacturing method thereof are provided to improve a space margin of an opening by forming a residual etch-stop layer pattern on a bottom surface and a sidewall of the opening. A plurality of parallel gate patterns are formed across an upper surface of a semiconductor substrate(10). A plurality of openings are formed in regions between the gate patterns. Spacers are formed to cover sidewalls of the gate patterns. An impurity ion region is formed by implanting impurity ions into the semiconductor substrate having the spacers. An etch stop layer(64) is formed on the substrate having the impurity region. A carbon-containing layer(67) is formed on the substrate including the etch stop layer. A carbon-containing layer pattern is formed by etching back the carbon-containing layer. An etch stop layer is etched by using the carbon-containing layer pattern as a mask. The carbon-containing layer pattern is removed.

    Abstract translation: 提供具有蚀刻停止层及其制造方法的半导体器件,以通过在开口的底表面和侧壁上形成残留的蚀刻停止层图案来改善开口的空间裕度。 在半导体衬底(10)的上表面上形成多个平行栅极图案。 在栅极图案之间的区域中形成多个开口。 隔板形成为覆盖栅极图案的侧壁。 通过将杂质离子注入到具有间隔物的半导体衬底中来形成杂质离子区域。 在具有杂质区域的衬底上形成蚀刻停止层(64)。 在包括蚀刻停止层的基板上形成含碳层(67)。 通过对含碳层进行回蚀而形成含碳层图案。 通过使用含碳层图案作为掩模蚀刻蚀刻停止层。 除去含碳层图案。

    전기 영동 장치 및 그에 포함된 상부 기판의 제조 방법
    59.
    发明公开
    전기 영동 장치 및 그에 포함된 상부 기판의 제조 방법 无效
    电化学离子及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020080062159A

    公开(公告)日:2008-07-03

    申请号:KR1020060137595

    申请日:2006-12-29

    Abstract: An electrophoretic display device and a method of manufacturing an upper substrate of the electrophoretic display device are provided to form a plurality of anti-reflecting holes for absorbing reflected light on an upper substrate to improve display quality. An electrophoretic display device includes a first array substrate(100) on which a TFT(Thin Film Transistor), a passivation layer(118) and a pixel electrode(122) are sequentially formed and a second array substrate(200) opposite to the first array substrate. The second array substrate includes an adhesive layer(120), a plurality of fine capsules(136), a common electrode(138), and an upper substrate(140). The adhesive layer bonds the first and second array substrates to each other. The fine capsules are disposed on the adhesive layer and include positive and negative polarity pigment particles(132,134). The common electrode forms an electric field with each pixel electrode to drive the fine capsules. The upper substrate has a plurality of anti-reflecting holes(142) for removing reflected light, which are formed on the common electrode.

    Abstract translation: 提供电泳显示装置和电泳显示装置的上基板的制造方法,以形成用于吸收上基板上的反射光的多个防反射孔,以提高显示质量。 一种电泳显示装置,包括第一阵列基板(100),依次形成TFT(薄膜晶体管),钝化层(118)和像素电极(122),第二阵列基板(200)与第一阵列基板 阵列基板。 第二阵列基板包括粘合层(120),多个细小胶囊(136),公共电极(138)和上基板(140)。 粘合剂层将第一和第二阵列基板彼此结合。 精细胶囊设置在粘合剂层上,并且包括正极性和负极性颜料颗粒(132,134)。 公共电极与每个像素电极形成电场以驱动精细胶囊。 上基板具有多个用于去除形成在公共电极上的反射光的防反射孔(142)。

    주관적인 무손실 이미지 데이터 압축 방법 및 장치
    60.
    发明授权
    주관적인 무손실 이미지 데이터 압축 방법 및 장치 有权
    用于视觉无损图像数据压缩的方法和装置

    公开(公告)号:KR100837410B1

    公开(公告)日:2008-06-12

    申请号:KR1020060120191

    申请日:2006-11-30

    Abstract: 본 발명은 이미지 데이터를 압축하고 복원하는 시스템에 관한 것으로, 본 발명에 따른 데이터 압축 방법은 현재 이미지 데이터를 압축하기 위한 복수 개의 모드들 각각에 따라 현재 이미지 데이터를 압축하고, 압축된 현재 이미지 데이터가 고정 길이의 비트들로 표현 가능한지 여부를 확인하고, 고정 길이의 비트들로 표현 가능한 것으로 확인된 모드들 중 어느 하나의 모드를 선정하고, 선정된 모드에 따라 압축된 현재 데이터를 출력한다. 이에 따라, 영상 인코더/디코더 시스템의 복잡도를 획기적으로 낮출 수 있고, LCD DCC(Liquid Crystal Display Dynamic Capacitance Compensation) 장치 등에서 요구하는 픽처 단위의 CBR(Constant Bit Rate)을 정확히 맞출 수 있다.

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