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公开(公告)号：KR1019990033245A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970054554
申请日：1997-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
Abstract: 본 발명은 금속 증착 공정을 수행하는 공정챔버 내부의 타겟과 웨이퍼 사이에 설치되어 스퍼터링에 의해 떼어지는 타겟물질이 웨이퍼 이외의 다른 불필요한 부위에 증착되는 것을 방지하도록 하는 반도체 금속증착설비의 쉴드조립체에 관한 것이다.
본 발명은 소정 두께를 갖는 접시 형상으로 중심 부위에 웨이퍼 형상의 구멍이 형성된 링 형상으로 타겟과 웨이퍼 사이에 상호 일정 간격을 두고 위치되도록 공정챔버를 구성하는 하우징의 입구부 내측 주연에 설치되는 반도체 금속증착설비의 쉴드조립체에 있어서, 소정 두께와 재질의 단일 형상으로 형성됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면, 쉴드조립체가 타겟과 동일한 재질의 단일 형상으로 형성됨에 따라 쉴드조립체에 증착되는 타겟물질이 웨이퍼 상으로 떨어지는 것이 방지되어 웨이퍼 상에 균일한 막을 형성하게 되며, 또 쉴드조립체의 설치가 용이하여 설비 복원시간이 단축되는 효과가 있다.-
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公开(公告)号：KR1020150018690A
公开(公告)日：2015-02-24
申请号：KR1020130094403
申请日：2013-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명의 실시예에 따르면, 복수의 유닛을 포함하고, 상기 각 유닛별로 어드레싱 모드 및 데이터 처리 정책을 달리 설정하는 저장장치의 동작 방법에 있어서, 호스트로부터 기입 데이터 및 유닛 선택 신호를 수신하는 단계, 상기 데이터를 상기 유닛 선택 신호에 상응하는 선택 유닛에 저장할 수 있는지 여부를 판단하는 단계, 및 상기 데이터를 상기 선택 유닛에 저장할 수 있다고 판단하면, 상기 선택 유닛의 어드레싱 모드 및 상기 선택 유닛의 데이터 처리 정책에 따라 상기 데이터를 변환하여 상기 선택 유닛에 저장하는 단계를 포함하는 저장장치의 동작 방법이 제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及包括用于存储通用数据的通用单元和用于存储交换数据的交换单元的非易失性存储器以及包括用于控制非易失性存储器的控制器的存储装置的操作方法。 存储设备操作方法包括以下步骤：从主机接收交换数据和选择交换单元的单元选择信号; 根据交换单元的数据处理策略对交换数据进行处理，将处理后的数据写入交换单元。 交换单元的数据处理策略可以不同于一般单元的数据处理策略。
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公开(公告)号：KR100930096B1
公开(公告)日：2009-12-07
申请号：KR1020070057996
申请日：2007-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C23C16/455 , C23C16/00
Abstract: 노즐관 내부로 플라즈마가 확산되고 플라즈마가 유지되는 것을 감소시켜 불순물 형성을 방지하고, 증착된 박막의 두께 균일도를 개선시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 장치는 기판 홀더 및 내벽에 의해 한정되는 내부 공간을 가진 챔버; 및 상기 챔버의 상기 내벽에 고정되는 일단부; 상기 챔버의 상기 내부 공간으로 향하는 타단부; 상기 일단부로부터 상기 타단부를 관통하는 유로; 및 상기 타단부에 상기 유로를 개방시키는 하나 이상의 슬릿을 포함하는 노즐관을 포함한다.
고밀도 플라즈마 화학기상증착(HDP CVD), 슬릿, 노즐관Abstract translation: 提供一种用于沉积薄膜的设备和方法，以通过防止在供应处理气体的喷嘴管中形成杂质来获得具有均匀厚度的薄膜。 一种用于沉积薄膜的设备包括具有由衬底支架（40）和腔室的内壁限定的内部空间的腔室（10）以及喷嘴管（30）。 喷嘴管包括固定到腔室的内壁的第一端部部分（31），朝向腔室的内部空间延伸的第二端部部分（32），流体路径（33），其延伸穿过第一端部部分到达 喷嘴管的第二端部以及形成在喷嘴管的第二端部中以打开流体路径的至少一个狭缝（34）。 喷嘴管包括较长的喷嘴管和较短的短喷嘴管。
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公开(公告)号：KR100534209B1
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：KR1020030052178
申请日：2003-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/4586
Abstract: 본 발명은 절연막이나 금속막을 증착하는 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비에 관한 것으로서, 이에 대한 특징적인 구성은, 하부 중심 부위에 배기라인을 연결한 챔버와; 상기 챔버 내부로 투입된 기판의 저면을 받쳐 지지하는 판 형상으로 내부에 히팅 플레이트를 구비한 히터블록; 및 상기 챔버 바닥을 관통하여 상기 히터블록의 하부를 받쳐 지지하는 관 형상으로 상기 히팅 플레이트의 전선이 상기 챔버 하측으로 연장 돌출되게 안내하는 지지축을 포함한 구성으로 이루어진다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050081854A
公开(公告)日：2005-08-19
申请号：KR1020040095103
申请日：2004-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/40
CPC classification number: H04B1/3816 , H04M1/274508 , H04M1/72519
Abstract: 본 발명은 심(SIM) 카드가 삽입되어 사용되는 이동 통신 단말기에 있어서, 상기 이동 통신 단말기에 삽입된 심 카드의 사용 정보를 상기 삽입된 심 카드의 가입자 식별 번호별로 저장하는 메모리부와, 상기 삽입된 심 카드의 가입자 식별 번호를 판별하여 상기 메모리부에 상기 가입자 식별 번호에 대응된 소정 저장 영역이 있는지 검사하고, 상기 소정 저장 영역이 없으면 상기 소정 저장 영역을 상기 메모리부에 생성하는 제어부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 하나의 이동 통신 단말기에 다수의 SIM 카드를 사용할 때, 각 SIM 카드의 가입자 식별 번호에 대응된 저장 영역에만 각각의 SIM 카드 사용 정보를 저장하고 검색할 수 있으므로 공동으로 사용하는 이동 통신 단말기라 하더라도 혼자 사용하는 것과 같은 효과를 볼 수 있다. 또한 사용자가 소지한 각 SIM 카드의 가입자 식별 번호에 대응된 저장 영역에 저장된 사용 정보만을 검색할 수 있으므로 SIM 카드 사용 정보의 보안도 유지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050029423A
公开(公告)日：2005-03-28
申请号：KR1020030065679
申请日：2003-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L29/66825 , H01L21/28273 , H01L29/42324
Abstract: A method of fabricating a flash memory cell having a split gate structure is provided to form a gate interlayer dielectric pattern having an uniform thickness by a CVD(Chemical Vapor Deposition) process and a planarization process. A first gate insulating layer(21), a floating gate layer, and a sacrificial layer are formed on a semiconductor substrate(20). A sacrificial layer pattern having an opening for exposing a part of the floating gate layer is formed by patterning the sacrificial layer. A gate interlayer dielectric pattern is formed within the opening. The sacrificial layer pattern is removed therefrom. A floating gate is formed under the gate interlayer dielectric pattern by etching the floating gate layer. A second gate insulating layer(25) is formed on the semiconductor substrate. A control gate(26) is formed on the second gate insulating layer.
Abstract translation: 提供一种制造具有分裂栅极结构的闪存单元的方法，以通过CVD（化学气相沉积）工艺和平坦化工艺形成具有均匀厚度的栅极层间电介质图案。 在半导体衬底（20）上形成第一栅绝缘层（21），浮栅层和牺牲层。 通过图案化牺牲层来形成具有用于暴露浮栅的一部分的开口的牺牲层图案。 在开口内形成栅极层间电介质图案。 从中除去牺牲层图案。 通过蚀刻浮栅，在栅极层间介质图案下方形成浮栅。 在半导体衬底上形成第二栅极绝缘层（25）。 控制栅极（26）形成在第二栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：KR1020040103648A
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：KR1020030034702
申请日：2003-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A chuck for supporting a substrate by using a vacuum absorbing method and a thin film deposition apparatus including the same are provided to arrange accurately the semiconductor substrate in the plate by forming a sliding blocking member on an upper surface of the plate. CONSTITUTION: A plate(110) includes a gas channel corresponding to an edge shape of a semiconductor substrate and is used for supporting the semiconductor substrate. A sliding blocking member(130) is used for preventing the sliding of the semiconductor substrate. An edge ring is disposed at a peripheral region of the semiconductor substrate in order not to deposit a predetermined layer on the peripheral region. A stopper(140) is used for maintaining constantly a gap between the edge ring and the semiconductor substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用真空吸附法支撑基板的卡盘和包括该卡盘的薄膜沉积设备，以通过在该板的上表面上形成滑动阻挡件将半导体基板精确地布置在该板中。 构成：板（110）包括与半导体衬底的边缘形状对应的气体通道，并用于支撑半导体衬底。 滑动阻挡构件（130）用于防止半导体衬底的滑动。 边缘环设置在半导体衬底的周边区域，以便不在周边区域上沉积预定层。 使用止动件（140）来保持边缘环和半导体衬底之间的间隙。
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公开(公告)号：KR1020040102308A
公开(公告)日：2004-12-04
申请号：KR1020030033857
申请日：2003-05-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A deposition apparatus for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent the damage of a heater and to restrain the arcing of a connection member due to contact failure by connecting the connection member with the heater using screws. CONSTITUTION: A deposition apparatus includes a chamber, a susceptor for loading a wafer, a heater, an insulating ring, and a connection member. The heater(204b) are installed under the susceptor to heat the wafer. The insulating ring is fixed in the chamber to support the heater. A cavity is formed in the insulating ring. The connection member is prolonged from the outside of the chamber into the cavity of the insulating ring. The connection member is used for connecting a power source to the heater. The connection member includes a first connecting part, a second connecting part, and a third connection part. The first connecting part(224) includes a first plate and a second plate. The first plate is connected with the heater by using a first screw(230a). The second plate is connected with the second connecting part(226) by using a second screw(230b). The second connecting part is connected parallel with the third connecting part(228).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的沉积设备，以防止加热器的损坏，并且通过使用螺钉将连接构件与加热器连接来防止由于接触故障导致的连接构件的电弧。 构成：沉积设备包括室，用于装载晶片的基座，加热器，绝缘环和连接构件。 加热器（204b）安装在基座下方以加热晶片。 绝缘环固定在腔室中以支撑加热器。 在绝缘环中形成空腔。 连接构件从室的外部延伸到绝缘环的空腔中。 连接构件用于将电源连接到加热器。 连接构件包括第一连接部分，第二连接部分和第三连接部分。 第一连接部分（224）包括第一板和第二板。 第一板通过使用第一螺钉（230a）与加热器连接。 第二板通过使用第二螺钉（230b）与第二连接部件（226）连接。 第二连接部与第三连接部（228）平行地连接。
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公开(公告)号：KR1020030079227A
公开(公告)日：2003-10-10
申请号：KR1020020018096
申请日：2002-04-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A susceptor for supporting a semiconductor substrate and a processing apparatus having the same are provided to be capable of preventing process gas from flowing to the rear surface of the semiconductor substrate by using a gas inflow preventing wall. CONSTITUTION: A susceptor(200) for supporting a semiconductor substrate is installed in a chamber, wherein the chamber is used for processing the semiconductor substrate. The susceptor is provided with a circular plate(202) for supporting the semiconductor substrate and a gas inflow preventing wall(204) installed at the upper portion of the circular plate for supporting the edge portion of the semiconductor substrate and preventing process gas from flowing between the semiconductor substrate and the plate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于支撑半导体衬底的感受体及具有该感光体的处理设备，以能够通过使用气体流入防止壁来防止工艺气体流向半导体衬底的后表面。 构成：用于支撑半导体衬底的感受器（200）安装在室中，其中室用于处理半导体衬底。 基座设置有用于支撑半导体基板的圆板（202）和安装在圆板上部的气体流入防止壁（204），用于支撑半导体基板的边缘部分，并防止工艺气体在 半导体衬底和板。
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