中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

76 records (took 0.023 seconds)

    하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 및 그제조방법
    51.
    发明授权
    하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 및 그제조방법 失效
    混合型FERROMAGNET / SEMICONDUCTOR NANO WIRE SPIN DEVICE及其制造方法

    公开(公告)号：KR100650416B1

    公开(公告)日：2006-11-27

    申请号：KR1020050027805

    申请日：2005-04-02

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 장준연 ,  김순규 ,  이경일 ,  한석희

    IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00

    Abstract: 본 발명은 나노 크기의 선(nano wire)을 스핀전달체로 활용하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, 강자성체로부터 스핀분극된 캐리어를 반도체 나노선에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 및 스핀축적효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 반도체 나노선 기반 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터 제조기술에 관한 것이다.
    이에, 본 발명은 기판 상에 분산된 나노선과; 상기 나노선 상에 형성된 자성체의 소스 영역; 상기 소스 영역으로부터 주입된 스핀이 나노선을 통과한 후, 스핀이 검출되는 상기 나노선 상에 형성된 자성체의 드레인 영역을 포함하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자를 제시한다. 또한, 본 발명은 기판 위에 캐리어가 이동하는 채널 역할의 나노선을 형성하는 단계와; 상기 나노선 채널 위에 자성체 또는 자성반도체의 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및 상기 소스 영역 및 드레인 영역에 자기장을 가하면서 열처리하는 단계를 포함하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 제조방법을 제시한다.
    스핀주입소자, 반도체 나노선, 자성체/반도체 구조, 자기저항, 스핀밸브, 스핀분극 전계효과 트랜지스터

    스핀-궤도 결합 유도 자장을 이용한 스핀 트랜지스터
    52.
    发明授权
    스핀-궤도 결합 유도 자장을 이용한 스핀 트랜지스터 失效
    自旋晶体管使用自旋轨道耦合感应磁场

    公开(公告)号：KR100619300B1

    公开(公告)日：2006-09-06

    申请号：KR1020050085717

    申请日：2005-09-14

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 구현철 ,  한석희 ,  엄종화 ,  장준연 ,  이현정

    IPC: H01L21/335

    Abstract: 온 오프 동작 마진이 크고 잡음이 적은 스핀 트랜지스터를 제공한다. 본 발명에 따른 스핀 트랜지스터는, 채널이 형성된 기판부와; 상기 기판부 상에 서로 이격되어 배치되고 자화 방향이 서로 동일한 강자성체인 소스 및 드레인과; 상기 기판부 상에 형성되어, 상기 채널을 통과하는 전자의 스핀 방향을 조절하는 게이트를 포함하고, 상기 소스 및 드레인의 자화 방향은 상기 채널의 길이 방향과 수직이다.
    스핀 트랜지스터, 스핀, 자화

    Abstract translation: 由此提供具有大的ON / OFF操作余量和低噪声的自旋晶体管。 根据本发明的自旋晶体管包括：衬底部分，其上形成有沟道; 源极和漏极，其设置在衬底上并且彼此间隔开并且在磁化方向上为铁磁性的; 以及形成在衬底部分上的栅极，用于调整通过沟道的电子的自旋方向，源极和漏极的磁化方向垂直于沟道的纵向。

    이종액체 계면의 섭동원리를 이용한 구형분말 제조방법
    54.
    发明授权
    이종액체 계면의 섭동원리를 이용한 구형분말 제조방법 失效
    在不同的液体界面上使用刺激物质生产球形粉末的方法

    公开(公告)号：KR100324622B1

    公开(公告)日：2002-02-27

    申请号：KR1019990027290

    申请日：1999-07-07

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 고흥석 ,  유명기 ,  장준연 ,  문인기

    IPC: B22F9/08

    Abstract: 본발명은이종액체계면의섭동원리를이용한구형분말제조방법에관한것으로, 저융점합금을용융하여용탕을형성하고, 상기용탕에불활성가스를주입하여상기용융합금을노즐을통하여줄기형으로분사시키고, 상기줄기형으로분출되는용융합금을유기액상에주입시키는것으로이루어지는이종액체계면의섭동원리를이용한구형분말제조방법을제공한다. 본발명에의하여제조된합금분말은조직이미세하고, 매우균일한분포의입도를나타내며, 표면이매끄럽고, 진구형태를갖고있다. 또한본 발명에의한분말제조공정은매우단순하여제조장비의구성이쉬워다른제조방법보다제조비용을훨씬절감할수 있다. 따라서본 발명에의해제조된합금분말들을반도체칩또는인쇄회로기판의표면실장형회로구성을위한솔더부품으로사용할경우전자기기의 I/O핀의수를증가시키고핀의간격을보다작게할 수있어반도체또는시스템용보드의고집적 BGA 패키징작업을보다용이하게할 수있다.

    내마모성이 우수하고 열팽창계수가 낮은 아공정 Al­Si단련용 합금 및 그의 제조방법과 그 합금의 이용
    55.
    发明授权
    내마모성이 우수하고 열팽창계수가 낮은 아공정 Al­Si단련용 합금 및 그의 제조방법과 그 합금의 이용 失效
    AlSi合金，用于具有优良耐磨性和低热膨胀系数的子工艺AlSi，及其制造方法和合金

    公开(公告)号：KR100291560B1

    公开(公告)日：2001-06-01

    申请号：KR1019980057661

    申请日：1998-12-23

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 문인기 ,  장준연 ,  고흥석

    IPC: C22C21/02

    Abstract: 본 발명은, Si: 9.0 - 11.0 중량%, Cu: 1.5 - 2.0 중량%, Mg: 0.5 - 1.3 중량%, Mn: 0.1 - 0.3 중량% 및 Ce: 0.3 - 0.5 중량%를 포함하고, 각각 0.3 중량% 이하의 Zn 및 Fe와, 0.2 중량% 이하의 Cr, Zr 및 Ti 등 불가피하게 수반되는 불순물 원소를 포함하고 그 나머지가 알루미늄으로 구성되는 아공정 Al-Si계 단련용 합금 및 Si: 9.0 - 11.0 중량%, Cu: 1.5 - 2.0 중량%, Mg: 0.5 - 1.3 중량% 및 Mn: 0.1 - 0.3 중량%를 포함하고, 각각 0.3 중량% 이하의 Zn 및 Fe와, 0.2 중량% 이하의 Cr, Zr 및 Ti 등 불가피하게 수반되는 불순물 원소를 포함하고 그 나머지가 알루미늄으로 구성되는 용융 금속을 얻고, 상기 용융 금속에 주조조직 미세화재인 0.02-0.03%의 Al-Ti-B계 화합물과, 공정조직 개량화재인 0.7 - 1.0%의 희토류계 밋시메탈 (mischmetal; 주성분 Ce 및 La; Ce 50% 이상의 것)을 첨가하여 용탕을 처리한 후, DC 주조기를 이용하� � 빌렛을 주조하고, 얻어진 빌렛을 500 - 520 ℃에서 2 - 5 시간 동안 균질화처리하고, 얻어진 빌렛을 460 - 480 ℃에서 0.5 - 2 시간 동안 가열한 후 단면적 감소율이 4 이상이 되도록 압출하는 아공정 Al-Si계 단련용 합금의 제조방법을 제공하고, 아울러 상기 합금(들) (Ge 첨가 합금 포함)의 압출 환봉을 스크롤형 압축기의 스크롤과 기타 경량화가 요구되는 구동부품의 제조를 위한 열간 단조 성형용 재료로의 이용을 제공한다.

    고투자율의 금속섬유를 사용하여 형성되는 전자파 차폐재 및 그 제조방법
    56.
    发明公开
    고투자율의 금속섬유를 사용하여 형성되는 전자파 차폐재 및 그 제조방법 失效
    通过使用高磁性渗透性金属纤维形成的屏蔽电子波的材料及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020010036472A

    公开(公告)日：2001-05-07

    申请号：KR1019990043498

    申请日：1999-10-08

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 유명기 ,  고흥석 ,  장준연 ,  문인기

    IPC: G12B17/00

    Abstract: PURPOSE: A material for shielding electronic wave formed by using metal fiber of high magnetic permeability and a method for manufacturing the same are provided to supply interior material or exterior material for construction and electronic equipments to protect the life space from the circumstance of electromagnetic wave and to shield the electromagnetic wave emitted from the electronic equipments. CONSTITUTION: Material for shielding electronic wave formed by using metal fiber of high magnetic permeability and a method for manufacturing the same include a wall paper, the strength(Hinput)(5) of an outer magnetic field and the strength(Houtput)(7) of an inner magnetic field. The wall paper(6) has a medium layer, on which the metal fiber of high magnetic permeability is dispersed, and the magnetic field of the outer circumstance is shielded with making the wall paper(6) the center. The strength(Hinput)(5) of the outer magnetic field is shielded by the wall paper(6) and the strength(Houtput)(7) of the inner magnetic field is reduced. The metal fiber of the high magnetic permeability, the diameter of which is 20-30 micrometer, and the length of which is 10-30mm, is used. And the compound metal as Fe-Ni, Fe-Si, Co-Fe-Si-B etc. is material of the metal fiber.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于屏蔽通过使用高磁导率的金属纤维形成的电子波的材料及其制造方法，以提供用于建筑和电子设备的内部材料或外部材料，以保护与电磁波和 以屏蔽从电子设备发出的电磁波。 构成：用于屏蔽通过使用高导磁率的金属纤维形成的电子波的材料及其制造方法包括壁纸，外部磁场的强度（Hinput）（5）和强度（Houtput）（7） 的内磁场。 壁纸（6​​）具有介质层，分散有高磁导率的金属纤维，并且使壁纸（6）成为中心地屏蔽外部环境的磁场。 外部磁场的强度（Hinput）（5）被壁纸（6）屏蔽，内部磁场的强度（Houtput）（7）减小。 使用高导磁率的金属纤维，其直径为20-30微米，长度为10-30mm。 并且作为Fe-Ni，Fe-Si，Co-Fe-Si-B等的复合金属是金属纤维的材料。

Patent Agency Ranking