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51.发明公开
公开(公告)号：KR1020030058419A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010088868
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: A method is provided which increase light output of a laser diode using a heavily doped p-InP insertion layer in an InP-based laser diode technique. CONSTITUTION: According to the method for forming an InGaAsP/InGaAs laser diode structure based on InP, a heavily doped p-InP layer is inserted, and the above p-InP layer is adjacent to a quantum well. The heavily doped p-InP layer is used in a ridge type laser diode, a large area laser diode, a taper type laser diode and a superluminescent laser diode. While inserting the heavily doped p-InP layer, Be and Zn are used as a p-doping impurity.
Abstract translation: 目的：提供一种使用InP基激光二极管技术中使用重掺杂p-InP插入层增加激光二极管的光输出的方法。 构成：根据用于形成基于InP的InGaAsP / InGaAs激光二极管结构的方法，插入重掺杂的p-InP层，并且上述p-InP层与量子阱相邻。 重掺杂的p-InP层用于脊型激光二极管，大面积激光二极管，锥形激光二极管和超发光激光二极管。 当插入重掺杂的p-InP层时，使用Be和Zn作为p掺杂杂质。
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52.发明公开양자점 무질서화 기술에서 유전체 덮개층 조합에 의한ＩｎＧａＡｓ/ＧａＡｓ 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법 失效通过在量子散乱法中组合电介质覆盖层来控制INGAAS / GAAS量子能量带隙的方法
公开(公告)号：KR1020030058418A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010088867
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/15
Abstract: PURPOSE: A method for controlling an energy band gap of InGaAs/GaAs quantum dot by combination of a dielectric capping layer in a quantum dot disorder method is provided to form different band gap regions on the same InGaAs/GaAs quantum dot substrate by coating a dielectric capping layer on a quantum dot structure and performing a thermal process. CONSTITUTION: A method for controlling an energy band gap of InGaAs/GaAs quantum dot by using a dielectric capping layer includes a dielectric combination formation process and an energy band gap formation process. The dielectric combination formation process is to form a dielectric combination on a quantum dot substrate by using SiNx and SiO2 as the dielectric capping layer. The quantum dot substrate having a different energy band gap is formed by performing a thermal process for the quantum dot substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种通过量子点无序方法中的介电覆盖层的组合来控制InGaAs / GaAs量子点的能带隙的方法，通过涂覆电介质在同一InGaAs / GaAs量子点基板上形成不同的带隙区域 覆盖在量子点结构上并进行热处理。 构成：通过使用介电覆盖层来控制InGaAs / GaAs量子点的能带隙的方法包括电介质组合形成工艺和能带隙形成工艺。 电介质组合形成工艺是通过使用SiN x和SiO 2作为电介质覆盖层在量子点衬底上形成电介质组合。 通过对量子点基板进行热处理，形成具有不同能带隙的量子点基板。
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公开(公告)号：KR1019960002545A
公开(公告)日：1996-01-26
申请号：KR1019940012262
申请日：1994-06-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 다층 집적회로 제조용 마스크(Mest)를 제작시 사용하는 전자빔리소그래프(lithography)장치 및 다층의 공정 레벨 관련 패턴을 정렬하기 위한 방법에 관한 것이다.
본 발명은 전자 현미경에 후방 산란 전자를 검지하고 그 검지 신호를 처리하기 우한 부가적인 전자회로 장치를 사용하지 않고, 전자 현미경에 간단한 기능만을 추가한 리소그래피의 다층 정렬방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 다층 집적회로 제조용 마스크를 제작하는데 사용되는 전자 현미경을 이용한 전자빔 리소그래피 장치는, 전자빔을 차단하기 위한 전자빔 차단기를 포함하는 전자 현미경, 아날로그 디지탈 변환기, 및 상기 아날로그 디지탈 변환기에 의해 변환된 디지탈 신호를 저장 및 출력하기 위한 컴퓨터를 포함하며 구성된다.-
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Patent Agency Ranking56.发明公开
公开(公告)号：KR20180034878A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：KR20160124630
申请日：2016-09-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/78 , H01L21/306 , H01L21/768
Abstract: 에피택셜리프트오프에의한반도체소자의제조방법은, 식각용액에의해제거될수 있는희생층및 상기희생층을포함하는대상체를제공하는단계; 및상기대상체를식각용액에노출시켜상기대상체에포함된상기희생층을제거하는단계를포함하되, 상기희생층을제거하는단계는상기대상체가양의극성을띠도록전압을인가하는단계를포함한다. 상기방법에의하면, 식각용액에의해제거될수 있는희생층을포함하는대상체와상기식각용액에일정전압을인가하여용액내에 [HF2-] 또는 [H2F3-] 이온들을생성할수 있고, 이경우상기희생층의내부결합구조가분해되는속도가빨라지므로, 결과적으로 ELO 공정에소요되는시간이줄어든다. 따라서, 오랜공정시간으로인하여기판표면이식각액에의해손상되는등의문제를해결할수 있다.
Abstract translation: 一种通过外延剥离制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供可以通过蚀刻溶液去除的牺牲层;以及牺牲层; 通过将对象暴露于蚀刻溶液来去除包含在对象中的牺牲层。去除牺牲层的步骤包括施加电压以使对象极化。 根据该方法，可以通过对物体施加恒定电压并在溶液中产生[HF 2 - ]或[H 2 F 3 - ]离子以及可以通过蚀刻溶液去除的牺牲层， 内部键合结构分解的速度加快，因此，ELO工艺所需的时间减少。 因此，可以解决由于处理时间长导致基板表面被蚀刻剂损坏的问题。
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公开(公告)号：KR101813381B1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020160069377
申请日：2016-06-03
Applicant: 한국과학기술연구원 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은마이크로, 나노단위의입자나세포등의수와크기를측정하는장비및 그방법에관한것으로, 보다구체적으로는타겟물질이채널상에형성된서로다른성질을갖는 2상유체의계면을통과하면서전기적저항변화량이증폭됨은물론감속되며특히, 타겟물질이제1유체에서제2유체로이동시제1유체와의높은친화도로인해표면이일정두께로제1유체로코팅되어전기적저항변화량이증폭되어기존계측장비의검출정확도를높이고비교적저렴한장비를이용할수 있도록하는 2상유체를이용한쿨터카운터및 이를이용한입자분석방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020170126311A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：KR1020160056570
申请日：2016-05-09
IPC: H01L31/09 , H01L31/0392 , H01L41/22 , H01L31/18
Abstract: 본발명에따른박막형적외선흡수체를포함하는대상체는, 상기대상체의표면에부착되어적외선을흡수하고발생한에너지를상기대상체로전달하는박막형적외선흡수체를포함하되, 상기박막형적외선흡수체는, 기판, 상기기판상에증착되는 Ti 금속층, 및상기 Ti 금속층상에증착되는 MgF유전체층을포함하고, 상기 Ti 금속층 및상기 MgF유전체층은교대로복수회 반복하여증착되어복층구조를가진다.
Abstract translation: 包括根据本发明的薄膜的红外线吸收体的物体，包括：一种薄膜红外吸收剂被附接到目标物体吸收红外线的表面上，并传递所产生的能量体靶，薄膜的红外线吸收剂是衬底时，衬底 包括的Ti金属层，和氟化镁介电层被沉积在Ti金属层上沉积，并在Ti金属层和所述的MgF介电层是通过重复多次交替地具有一个多层结构沉积。
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59.发明公开고속 에피택셜 리프트오프와 III-V족 직접 성장용 템플릿을 이용한 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자 有权III-V使用高速外延起飞和III-V直接生长的半导体器件制造半导体器件的方法和使用其制造的半导体器件
公开(公告)号：KR1020160136103A
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020150069836
申请日：2015-05-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205 , H01L21/78 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/185 , H01L21/6835 , H01L29/267 , H01L29/66219 , H01L29/861 , H01L31/0304 , H01L31/184 , H01L31/1892 , Y02E10/544
Abstract: 반도체소자의제조방법은, 제1 기판및 상기제1 기판상에위치하는패턴된제1 III-V족화합물층을포함하는템플릿(template)을제공하는단계; 상기패턴된제1 III-V족화합물층상에에피택시(epitaxy) 성장방식으로희생층을형성하는단계; 상기희생층상에에피택시성장방식으로제2 III-V족화합물층을형성하는단계; 상기제2 III-V족화합물층상에실리콘으로이루어진제2 기판을접합하는단계; 및상기희생층을제거함으로써상기제2 III-V족화합물층및 상기제2 기판을상기템플릿으로부터분리하는단계를포함한다. 템플릿의패턴된 III-V족화합물층으로부터또 다른 III-V족화합물층이직접성장방식으로제조되므로, III-V족화합물과다른기판사이의결함이제거되며, 대면적의반도체소자를직접성장방식으로제조할수 있고, 웨이퍼(wafer) 크기의제한이나비용증가등의문제점을줄일수 있다.
Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法，其包括提供具有第一衬底和位于第一衬底上的图案化的第一III-V族化合物层的模板，在图案化的第一III-V族化合物层上形成牺牲层， 外延生长，通过外延生长在牺牲层上形成第二III-V族化合物层，将由硅制成的第二衬底结合到第二III-V族化合物层上，以及将第二III-V族化合物层和第二III-V族化合物层分离 通过去除牺牲层从模板的衬底。
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公开(公告)号：KR101489913B1
公开(公告)日：2015-02-06
申请号：KR1020140029474
申请日：2014-03-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/04
Abstract: 본 발명은 업컨버전 나노입자를 포함하는 GPR 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈몬 특성을 이용하여 업컨버전 나노물질의 발광 효율을 향상시킬 수 있고, 낮은 파워밀도에서도 우수한 발광 세기를 나타내며, 이를 태양전지에 이용할 경우, 보다 우수한 광전환 효율을 가질 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包含上转换纳米颗粒的GPR和使用其的太阳能电池。 更具体地，本发明可以通过使用等离子体激元特性来提高上转换纳米材料的发光效率，即使在低功率密度下也显示出优异发光的强度，并且在用作太阳能电池时具有优异的光电转换效率。
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