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公开(公告)号：KR100119275B1
公开(公告)日：1997-09-30
申请号：KR1019930026792
申请日：1993-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/02
Abstract: A fabrication method of SOI(silicon on insulator) substrate having each different thickness of an active layer using substrate-joining technique is disclosed. The method comprises the steps of: forming patterns(3, 5) having different step coverage on a substrate A(8); sequentially forming an oxide layer(9) and a polysilicon layer(10); joining the substrate A(8) and a substrate B(13); thinning the back-side(14,15) of the substrate A(8) by polishing or etching; CMP(chemical mechanical polishing) the back-side(14,15) using the oxide layer(9) as a stopper, thereby forming a silicon thin film(16) having high aspect ration and a silicon thin film(17) having low aspect ratio.
Abstract translation: 公开了使用基板接合技术的每个不同厚度的有源层的SOI（绝缘体上硅）衬底的制造方法。 该方法包括以下步骤：在衬底A（8）上形成具有不同阶梯覆盖度的图案（3,5）; 顺序地形成氧化物层（9）和多晶硅层（10）; 接合基板A（8）和基板B（13）; 通过抛光或蚀刻使衬底A（8）的背面（14,15）变薄; 使用氧化物层（9）作为阻挡层的背面（14,15）的CMP（化学机械抛光），从而形成具有高纵横比的硅薄膜（16）和具有低方位的硅薄膜（17） 比。
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公开(公告)号：KR1019970051793A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052661
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/304
Abstract: 본 발명은 전계 방출소자의 제조방법에 관한 것으로서, 불순물이 고농도로 도핑된 실리콘 기판의 표면의 소정 부분에 보호막을 형성하고 상기 보호막을 식각 마스크로 사용하여 상기 실리콘 기판의 노출된 부분을 건식 식각하여 팁을 형성하는 공정과, 상기 팁이 형성된 실리콘 기판과 보호막의 상부에 CVD 방법으로 두꺼운 제1게이트 절연막을 형성하고, 이 제1게이트 절연막의 상부에 상기 팁과 대응하는 부분이 매우 얇고 나머지 부분은 두꺼운 희생막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 제1게이트 절연막을 상기 팁의 상부가 노출되게 에치백하여 제거함과 동시에 상기 팁의 상부에 형성된 보호막을 제거하는 공정과, 상기 제1게이트 절연막과 팁의 상부에 제2게이트 절연막을 형성하고 상기 팁의 모서리가 뾰족해지도록 팁의 표면을 열산화시켜 산화 을 형성하는 공정과, 상기 제2게이트 절연막의 상부에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 팁의 상부에 형성된 제2게이트 절연막 및 게이트전극을 리프트-오프함과 동시에 상기 게이트전극이 오버 행되도록 제1 및 제2게이트절연막을 상기 게이트전극의 하부에서 측방향으로 식각하고 상기 팁 표면에 노출된 부분에 형성된 산화막을 제거하여 상기 팁의 상부를 노출시키는 공정을 구비한다. 따라서, 제1게이트 절연막에 의해 제1절연막을 통해 흐르는 누설 전류를 차단할 수 있으며, 또한, 팁과 게이트 전극 사이의 이격 거리를 감소시켜 전계 방출 전류의 균일도를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100114273B1
公开(公告)日：1997-04-16
申请号：KR1019920025030
申请日：1992-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/331
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公开(公告)号：KR1019970000963B1
公开(公告)日：1997-01-21
申请号：KR1019920025030
申请日：1992-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01J1/34 , H01J17/066 , H01J21/04
Abstract: A vacuum transistor having an optical gate and method thereof using an optical-electronic effect are disclosed. The vacuum transistor comprises: an optical source(13) for emitting a light; an emission electrode(11) for emitting electrons to a vacuum space by illuminated light from the optical source(13); and a receiving electrode(12) for receiving the emitted electrons from the emission electrode(11) and isolating to the emission electrode. The emission electrode(11) and the receiving electrode(12) are tip-shaped formed on an insulating layer(10).
Abstract translation: 公开了一种具有光栅的真空晶体管及其使用光电效应的方法。 真空晶体管包括：用于发光的光源（13）; 用于通过来自光源（13）的照明光将电子发射到真空空间的发射电极（11）; 以及用于从发射电极（11）接收发射的电子并与发射电极隔离的接收电极（12）。 发射电极（11）和接收电极（12）在绝缘层（10）上形成为尖端形状。
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公开(公告)号：KR1019950021011A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930028267
申请日：1993-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/265
Abstract: 본 발명은 고농도의 산소이온 주입법을 이용한 소자절연방법에 관한 것으로서, 종래에 비아드즈 바이크에 의해 활성영역이 축소되어 공정여유도가 감소하게 되고, 또한 부가공정에 의한 공저잉 용이하지 않은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 규소기판(21)표면에 소자절연영역(24)을 포토레지스트(23)또는 그 이외의 이온주입마스크를 사용하여 폐단을 형성한 후 이후 고농도의 산소원자를 이온주입한 다음, 포토레지스트 또는 그 이외의 이온주입마스크를 제거하고, 고온의 열처리공정을 하여 표면에 산화막(22)을 형성하므로써 소자의 절연영역을 고농도 산소이온 주입을 이용하여 정확히 절약할 수 있으며, 소자의 절연면적을 최소화함으로써 초고집적화가 용이할 수가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950020984A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930028265
申请日：1993-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/12
Abstract: 본 발명은 기판이 높은 불순물 농도를 가지는 SOI소자구조에 관한 것으로서, 종래에 표면 실리콘 불순물 농도가 기판 불순물 농도보다 훨씬 크기 때문에 이면채널에서 드레인 누설 전류가 흘러 온-오프 특성이 감소되는 문제점이 있었기에 본 발명에서는 매몰산화막 밑의 기판 불순물 농도가 표면실리콘의 불순물 농도보다 높게하는 구조를 제공함으로써 상기 드레인 누설전류에 의한 온-오프 특성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019940016741A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920025334
申请日：1992-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J31/18
Abstract: 본 발명은 전기적으로 위치선정이 가능한 전자방출 기판의 제조방법에 관한 것이고, 규소기판상에 소정간격을 두고 종방향으로 복수의 홈을 형성하여 절연물질을 충진하는 공정과, 상기 규소기판의 상부 표면에 금속층을 도포한 다음 상기 홈의 넓이보다 넓은 홈을 갖도록 상기 금속층을 식각하는 공정과, 상기 금속층들 사이의 전기적 절연을 위해 절연 물질을 도포하는 공정과, 상기 절연물질상부에 기판접합용 다결정규소를 형성한 다음 표면을 평탄화하는 공정과, 상기 다결정규소에 지지기판을 접착한 다음 상기 절연물질이 노출될 때까지 상기 규소기판을 연마하는 공정과, 상기 절연물질에 의해 전기적으로 분리된 규소기판의 상부에 음극형성용 마스크를 사용하여 음극을 형성하는 공정과, 상기 음극상부에 규소산화막을 형성하는 공정과, 상 규소산화막상부에 절연물질을 도포한다음 평탄화하는 공정과, 상기 평탄화된 절연물질상부에 금속박막을 스트라임선 형상으로 형성하는 공정과, 상기 금속박막을 소정 패턴으로 식각하여 상기 음극에 대응하는 부분에서 개구를 형성한 다음 상기 절연물질과 규소산화막을 제거하여 음극선단이 노출되게 하는 공정을 포함하는 전자방출 기판의 제조방법이다.
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公开(公告)号：KR102244848B1
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：KR1020170023687
申请日：2017-02-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명에따른네트워크-온-칩은, 각각파워게이팅스위치를통해서전원을공급받는복수의라우터들, 그리고상기복수의라우터들각각으로부터제공되는온도정보를기반으로상기복수의라우터들각각의파워게이팅스위치를제어하고, 상기복수의라우터들의구동클록을제어하는컨트롤러를포함하되, 상기컨트롤러는상기온도정보를참조하여적어도하나의제 1 라우터를턴오프시키도록상기파워게이팅스위치를제어하고, 턴온된적어도하나의제 2 라우터의클록주파수를오버-스케일링(Over-scaling)한다.
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公开(公告)号：KR102204954B1
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR1020170128073
申请日：2017-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은 CAN 컨트롤러및 이를이용한데이터전송방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른 CAN 컨트롤러는리시버, 수신선입선출메모리, 송신선입선출메모리, 및트랜스미터를포함한다. 리시버는설정된프로토콜에따라 CAN 버스로부터수신된수신정보를분석한다. 수신선입선출메모리는수신정보의식별데이터및 버스로드에기초하여이전에저장된수신정보에겹쳐쓰여지도록수신정보를저장한다. 송신선입선출메모리는송신정보의식별데이터및 프로세서로드에기초하여이전에저장된송신정보에겹쳐쓰여지도록송신정보를저장한다. 트랜스미터는프로토콜을설정하고, 설정된프로토콜에따라송신선입선출메모리에저장된송신정보를 CAN 버스로송신한다. 본발명에따르면, 다양한 CAN 프로토콜이지원되고, CAN 통신의신속성이확보된다.
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