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公开(公告)号：KR101419573B1
公开(公告)日：2014-07-15
申请号：KR1020100116325
申请日：2010-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 생산성 및 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 옵셋 인쇄장치 및 그의 인쇄방법을 개시한다. 그의 장치는, 인쇄 롤과, 상기 인쇄 롤에 인쇄 물질을 도포하는 코팅부와, 상기 코팅부에서 상기 인쇄 롤에 도포된 상기 인쇄 물질을 패터닝하는 패터닝부와, 상기 인쇄 물질을 피 인쇄물에 인쇄하는 인쇄부와, 상기 인쇄 롤에 잔존하는 상기 인쇄 물질을 건식으로 세정하는 세정부를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120055755A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：KR1020100116325
申请日：2010-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: An offset printing device is provided to increase a service time of a printing roll and to maximize productivity and production yield. Productivity and production yield can be increased and be maximized. CONSTITUTION: An offset printing device comprises a printing roll(30), a coating part(20), a patterning part(40), a printing part(60), and a cleaning part. The coating part spreads printing materials on a printing roll. The patterning part patterns the printing materials spread on the printing roll by the coating part. The cleaning unit cleans the printing materials remaining on the printing roll using a dry method.
Abstract translation: 目的：提供胶版印刷装置，以增加印刷卷的使用时间，并最大限度地提高生产率和产量。 可以提高生产力和产量，并最大化生产率。 构成：胶版印刷装置包括印刷辊（30），涂布部分（20），图形部分（40），印刷部分（60）和清洁部分。 涂布部分将印刷材料铺展在印刷辊上。 图案形成部分通过涂覆部分图案印刷在印刷辊上的印刷材料。 清洁单元使用干法清洁印刷辊上剩余的印刷材料。
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公开(公告)号：KR1020110034533A
公开(公告)日：2011-04-05
申请号：KR1020100024235
申请日：2010-03-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A biosensor and a manufacturing method thereof are provided to limit the flow of current using an insulating layer channel including a silicon nano dot instead of a silicon nano wire. CONSTITUTION: A biosensor(300) comprises a source(120), a drain(130), an insulating layer channel, and a probe molecule(160). The source and the drain are formed on the upper part of the substrate. The insulating layer channel is formed between the source and the drain. The insulating layer channel comprises a nano dot. The probe molecule is fixed to the insulating layer channel. The probe molecule reacts on target molecule injected from the outside. The probe molecule is fixed to the nano dot.
Abstract translation: 目的：提供生物传感器及其制造方法，以使用包含硅纳米点而不是硅纳米线的绝缘层通道来限制电流的流动。 构成：生物传感器（300）包括源（120），漏极（130），绝缘层通道和探针分子（160）。 源极和漏极形成在衬底的上部。 在源极和漏极之间形成绝缘层沟道。 绝缘层通道包括纳米点。 探针分子固定在绝缘层通道上。 探针分子与从外部注入的靶分子发生反应。 探针分子固定在纳米点上。
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公开(公告)号：KR1020100061604A
公开(公告)日：2010-06-08
申请号：KR1020080120189
申请日：2008-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A bio-sensor is provided to reduce production cost and to simply detect a target material without using a syringe pump. CONSTITUTION: A bio-sensor comprises: a sensor body for detecting a target material by interaction of the target material and sensing material; and a upper housing(110) providing a fluidic material containing the target material. The upper housing comprises: a filter(116) for filtering the filtered fluidic material; an inlet(114) of upper solution for providing the fluidic material by capillary phenomena; a flow channel(113) for providing flow of the fluidic material from the filter; an outlet(115) of upper solution for discharging the fluidic material; and a storing container(117) for storing the fluidic material through the outlet.
Abstract translation: 目的：提供生物传感器以降低生产成本，并且在不使用注射泵的情况下简单地检测目标材料。 构成：生物传感器包括：传感器体，用于通过目标材料和传感材料的相互作用来检测目标材料; 以及提供含有目标材料的流体材料的上壳体（110）。 上壳体包括：用于过滤流体过滤材料的过滤器（116）; 上部溶液的入口（114），用于通过毛细管现象提供流体材料; 用于从过滤器提供流体材料流动的流动通道（113） 用于排出流体材料的上部溶液的出口（115）; 以及用于通过出口存储流体材料的储存容器（117）。
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公开(公告)号：KR1020100038961A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：KR1020080098141
申请日：2008-10-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N33/53 , G01N33/48 , G01N27/26 , G01N27/327
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146
Abstract: PURPOSE: An element for detecting a specific functional group in fluid is provided to widen surface are of a conductive cubic structure and to maximize voltage variation. CONSTITUTION: A detection element comprises a detection capacitor which contains a first and second electrodes and having the first electrode at the lower portion of reaction layer; and an electric field effect transistor containing a gate electrode(240). The second electrode is conductively connected to a source electrode of the electric field effect transistor and is formed with a higher conductive material than the electric field transistor substrate(200). The electric field transistor comprises a source/drain electrode(220), gate insulating layer(230), and gate electrode.
Abstract translation: 目的：提供用于检测流体中特定官能团的元件，以使表面具有导电立方结构并使电压变化最大化。 构成：检测元件包括检测电容器，其包含第一电极和第二电极，并且在反应层的下部具有第一电极; 和含有栅电极（240）的电场效应晶体管。 第二电极导电地连接到电场效应晶体管的源极，并且形成有比电场晶体管衬底（200）更高的导电材料。 电场晶体管包括源极/漏极（220），栅极绝缘层（230）和栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100949544B1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：KR1020070128323
申请日：2007-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명은 쇼트키 장벽 단전자 트랜지스터(Schottky Barrier Single Electron Transistor) 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 측벽 절연막을 사용하지 않고 게이트 절연막에 의해 게이트 전극과 소스/드레인간의 단락을 막을 수 있도록 구성함으로써, 양자점의 크기가 감소되어 종래의 트랜지스터에 비하여 고온에서도 동작이 가능한 것을 특징으로 한다. 또한, 종래 기술에 비하여 측벽 절연막 형성 단계를 생략할 수 있으므로 제조 공정을 단순화시킬 수 있을 뿐만 아니라, 종래의 CMOS 제조 공정과 잘 부합하므로 별도의 공정 시스템의 변경 없이 적용이 가능한 것을 특징으로 한다.
쇼트키 장벽 단전자 트랜지스터, 실리사이드-
公开(公告)号：KR100906154B1
公开(公告)日：2009-07-03
申请号：KR1020070125679
申请日：2007-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , H01L29/0673 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 바이오 센서 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 통상적인 포토리소그래피 공정을 이용하여 수 내지 수십 나노미터 선폭의 실리콘 나노선 채널을 형성하고 이를 이용하여 반도체 나노선 센서 소자를 제작하는 방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 나노선 센서 소자 제조 방법은, (a) SOI(Silicon On Insulator) 기판의 최상부층인 제 1 도전형 단결정 실리콘층을 식각하여 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴의 양쪽 측벽을 상기 제 1 도전형과 반대 타입인 제 2 도전형으로 도핑함으로써 제 2 도전형 채널을 형성하는 단계; (c) 상기 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴의 양단에 전극 형성을 위한 제 2 도전형 패드를 형성하는 단계; (d) 상기 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴의 미도핑 영역에 상기 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴과 상기 2 도전형 채널부가 접합 절연되도록 역방향 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 1 전극을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 제 2 도전형 패드 상에 상기 제 2 도전형 채널 양단에 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
나노선, 바이오 센서, 포토리소그래피-
公开(公告)号：KR1020090065124A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132575
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N33/53 , G01N33/48 , G01N33/544
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146
Abstract: A biosensor using a silicon nano wire is provided to form the silicon nano wire in a repetitive form of same pattern and widen the area in which a probe molecule is fixed. A biosensor using a silicon nano wire comprises a source electrode(S), drain electrode(D), silicon nano(13A, 13b), probe molecules(40). A method for manufacturing the biosensor using the silicon nano wire comprises: a step of forming a buffer layer on the upper side of semiconductor substrate in which insulating layer(12) and silicon layer is sequencially formed; a step of forming electrode pattern and silicon nano wire pattern on the upper sided of buffer layer through the lithography process; a step of etching the buffer layer and silicon layer; a step of forming the electrode in the electrode pattern area; a step of removing the buffer layer of upper side to exposes the silicon nano wire; and a step of probe molecule on the exposed silicon nano wire.
Abstract translation: 提供使用硅纳米线的生物传感器，以相同图案的重复形式形成硅纳米线，并扩大探针分子固定的区域。 使用硅纳米线的生物传感器包括源电极（S），漏电极（D），硅纳米（13A，13b），探针分子（40）。 使用该硅纳米线制造生物传感器的方法包括：在半导体衬底的上侧形成缓冲层的步骤，其中绝缘层（12）和硅层被顺序地形成; 通过光刻工艺在缓冲层的上侧形成电极图案和硅纳米线图案的步骤; 蚀刻缓冲层和硅层的步骤; 在电极图案区域中形成电极的步骤; 去除上侧的缓冲层以暴露硅纳米线的步骤; 以及暴露的硅纳米线上的探针分子的步骤。
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公开(公告)号：KR1020090060657A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070127565
申请日：2007-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N33/5432 , G01N27/4145 , G01N27/4146 , G01N33/5438 , Y10S977/721 , Y10S977/784 , Y10S977/938
Abstract: A bio sensor using nano dot is provided to reduce production cost by using a CMOS process and improve the sensitivity by easily changing electric conductivity of silicon nano line. A bio sensor using nano dot comprises: source(S) and drain(D) which is formed at the upper side of substrate(110); a silicon nano line(150) which is formed between the source and drain; and a probe molecule(P) which is fixed on the silicon nano line. A method for producing the bio sensor using the nano dot comprises: a step of forming the source and drain; a step of forming the silicon nano line; a step of fixing the probe molecule on the silicon nano line; and a step of injecting charged nano dot with the target molecule.
Abstract translation: 提供使用纳米点的生物传感器，通过使用CMOS工艺降低生产成本，并通过容易地改变硅纳米线的电导率来提高灵敏度。 使用纳米点的生物传感器包括：在衬底（110）的上侧形成的源极（S）和漏极（D）; 形成在源极和漏极之间的硅纳米线（150）; 和固定在硅纳米线上的探针分子（P）。 使用纳米点制造生物传感器的方法包括：形成源极和漏极的步骤; 形成硅纳米线的步骤; 将探针分子固定在硅纳米线上的步骤; 以及用靶分子注入带电的纳米点的步骤。
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公开(公告)号：KR100891462B1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：KR1020070094686
申请日：2007-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L29/47
Abstract: 본 발명은 쇼트키접합(schottky junction)을 이용한 반도체 메모리 소자 및 그 구동방법에 관한 것으로, 이를 위해 본 발명은 실리콘기판의 채널영역 상부에 형성된 게이트 및 상기 실리콘기판에 형성되고, 상기 채널영역과 쇼트키접합을 형성하는 소스 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 형성된 쇼트키장벽(schottky barrier) 안에 전하를 저장하는 반도체 메모리 소자를 제공하며, 이를 통하여, 별도의 전하저장공간을 형성할 필요가 없는 반도체 메모리 소자를 제공하는 효과가 있다.
DRAM, 쇼트키접합, 캐패시터, 금속 실리사이드Abstract translation: 本发明涉及一种半导体存储器装置，并形成在栅极和形成在硅衬底的沟道区，所述沟道区和所述短硅衬底使用肖特基结（肖特基结），在本发明用于此目的的驱动方法 提供了一种半导体存储器件，其包括形成键结并将电荷存储在源电极和漏电极之间形成的肖特基势垒中的源电极和漏电极，从而形成单独的电荷存储空间 具有提供不需要形成的半导体存储器件的效果。
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