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公开(公告)号：KR1020090065124A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132575
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N33/53 , G01N33/48 , G01N33/544
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146
Abstract: A biosensor using a silicon nano wire is provided to form the silicon nano wire in a repetitive form of same pattern and widen the area in which a probe molecule is fixed. A biosensor using a silicon nano wire comprises a source electrode(S), drain electrode(D), silicon nano(13A, 13b), probe molecules(40). A method for manufacturing the biosensor using the silicon nano wire comprises: a step of forming a buffer layer on the upper side of semiconductor substrate in which insulating layer(12) and silicon layer is sequencially formed; a step of forming electrode pattern and silicon nano wire pattern on the upper sided of buffer layer through the lithography process; a step of etching the buffer layer and silicon layer; a step of forming the electrode in the electrode pattern area; a step of removing the buffer layer of upper side to exposes the silicon nano wire; and a step of probe molecule on the exposed silicon nano wire.
Abstract translation: 提供使用硅纳米线的生物传感器，以相同图案的重复形式形成硅纳米线，并扩大探针分子固定的区域。 使用硅纳米线的生物传感器包括源电极（S），漏电极（D），硅纳米（13A，13b），探针分子（40）。 使用该硅纳米线制造生物传感器的方法包括：在半导体衬底的上侧形成缓冲层的步骤，其中绝缘层（12）和硅层被顺序地形成; 通过光刻工艺在缓冲层的上侧形成电极图案和硅纳米线图案的步骤; 蚀刻缓冲层和硅层的步骤; 在电极图案区域中形成电极的步骤; 去除上侧的缓冲层以暴露硅纳米线的步骤; 以及暴露的硅纳米线上的探针分子的步骤。
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公开(公告)号：KR1020090060657A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070127565
申请日：2007-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N33/5432 , G01N27/4145 , G01N27/4146 , G01N33/5438 , Y10S977/721 , Y10S977/784 , Y10S977/938
Abstract: A bio sensor using nano dot is provided to reduce production cost by using a CMOS process and improve the sensitivity by easily changing electric conductivity of silicon nano line. A bio sensor using nano dot comprises: source(S) and drain(D) which is formed at the upper side of substrate(110); a silicon nano line(150) which is formed between the source and drain; and a probe molecule(P) which is fixed on the silicon nano line. A method for producing the bio sensor using the nano dot comprises: a step of forming the source and drain; a step of forming the silicon nano line; a step of fixing the probe molecule on the silicon nano line; and a step of injecting charged nano dot with the target molecule.
Abstract translation: 提供使用纳米点的生物传感器，通过使用CMOS工艺降低生产成本，并通过容易地改变硅纳米线的电导率来提高灵敏度。 使用纳米点的生物传感器包括：在衬底（110）的上侧形成的源极（S）和漏极（D）; 形成在源极和漏极之间的硅纳米线（150）; 和固定在硅纳米线上的探针分子（P）。 使用纳米点制造生物传感器的方法包括：形成源极和漏极的步骤; 形成硅纳米线的步骤; 将探针分子固定在硅纳米线上的步骤; 以及用靶分子注入带电的纳米点的步骤。
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公开(公告)号：KR1020080052321A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070094685
申请日：2007-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: F17C11/005 , B01J20/0203 , B01J20/06 , B82Y30/00 , C01B3/001 , C01B3/0021 , C01B3/0031 , C01B3/0057 , C01B3/0078 , C01B3/0084 , Y02E60/325 , Y02E60/327 , Y02E60/328 , Y10S502/526 , Y10S977/762 , Y10S977/811 , Y10T428/12493 , Y10T428/26
Abstract: A gas storage medium is provided to improve efficiency of gas storage capability by sufficiently securing a surface area for gas storage, a gas storage apparatus having the gas storage medium is provided, and a gas storage method using the gas storage apparatus is provided. A gas storage medium is characterized in that materials with variable ionic values are spaced from one another to form a multilayered structure, and the materials comprise excess electrons that do not participate in chemical bond. A gas storage apparatus comprises: a chamber(104); a gas storage medium(101) in which materials with variable ionic values are spaced from one another to form a multilayered structure, and the materials comprise excess electrons that do not participate in chemical bond; a heating member(105) for heating the gas storage medium; and a cooling member(106) for cooling the gas storage medium. The chamber has an inlet(104A) installed therein to flow a material to be stored into the gas storage medium, and an outlet(104B) formed therein to discharge the material to be stored from the gas storage medium. The gas storage apparatus further comprises a supporting member(103) for supporting the materials with variable ionic values.
Abstract translation: 提供一种气体存储介质，通过充分确保用于气体存储的表面积来提高气体存储能力的效率，提供具有气体存储介质的气体存储装置，并且提供使用该气体存储装置的气体存储方法。 气体存储介质的特征在于具有可变离子值的材料彼此间隔开以形成多层结构，并且该材料包括不参与化学键的过量电子。 一种气体储存装置，包括：一个室（104）; 气体存储介质（101），其中具有可变离子值的材料彼此间隔开以形成多层结构，并且该材料包括不参与化学键的多余电子; 用于加热气体存储介质的加热构件（105）; 以及用于冷却气体存储介质的冷却构件（106）。 所述室具有安装在其中的入口（104A），以将待储存的材料流入所述气体存储介质，以及形成在其中的出口（104B），以从所述气体存储介质排出待储存的材料。 气体存储装置还包括用于支撑具有可变离子值的材料的支撑构件（103）。
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公开(公告)号：KR100763583B1
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020060123685
申请日：2006-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N33/54353 , B01J2219/00497
Abstract: A method for selectively reforming a non-modified solid surface and a method for immobilizing an active material on the reformed solid surface are provided to immobilize the active material strongly and stably, such as a bio-material or a functional material, on the non-modified solid surface. A non-modified solid surface, which is not oxidized or nitrified, is reformed with light-sensitive functional groups. The functional group-reformed solid surface is contacted with compounds including reactive functional groups and aldehyde protection groups. A light is applied to the solid surface to form surface-carbon couple, surface-nitrogen couple, or surface-sulfur couple. An end of the solid surface is reformed with aldehyde protection groups. Protection groups are removed from the aldehyde-reformed surface to reform the solid surface with aldehyde.
Abstract translation: 提供了选择性地重整非改性固体表面的方法和将活性材料固定在重整固体表面上的方法，用于将活性材料如生物材料或功能材料牢固稳定地固定在非固化表面上， 改性固体表面。 未被氧化或硝化的未改性的固体表面用光敏官能团改性。 将官能团重整的固体表面与包括反应性官能团和醛保护基团的化合物接触。 将光施加到固体表面以形成表面 - 碳对，表面 - 氮对或表面 - 硫对。 固体表面的末端用醛保护基团改性。 保护基团从醛重整表面除去，用醛改性固体表面。
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公开(公告)号：KR100737379B1
公开(公告)日：2007-07-09
申请号：KR1020060044688
申请日：2006-05-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3105
Abstract: 본 발명은 기판 표면뿐만 아니라 기판 자체에도 단차가 있는 반도체 기판의 단차를 제거하기 위한 반도체 기판의 평탄화 방법에 관한 것으로,
표면에 하나 이상의 단차가 있는 반도체 기판을 준비하는 단계와, 상기 반도체 기판의 상부에 자기 정렬 마스크(self aligned hard mask)를 형성하는 단계와, 상기 자기 정렬 마스크를 통해 노출된 단차를 식각 공정을 통해 제거하는 단계와, 상기 식각 공정 후 상기 자기 정렬 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 기판 자체에 단차가 있는 경우나 국부적인 영역에 대해 평탄화가 필요한 경우와 같이 기존의 CMP 공정으로는 평탄화가 불가능한 경우에도 공정이 가능하다.
화학 기계적 연마, CMP, 자기 정렬 마스크,self aligned hard mask, HSQ, RIE, 단차, 평탄화-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070060962A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060014683
申请日：2006-02-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/60
Abstract: A silicon-based light emitting diode using a lateral reflector is provided to utilize effectively lateral reflecting light and to enhance light emitting efficiency by forming a reflector on an inner lateral surface of a substrate. A plurality of grooves are formed on a p type silicon substrate(100). A light emitting device layer(200) is formed by laminating an active layer(220), an n type doping layer(240), and a transparent electrode layer(260) on the p type silicon substrate within the groove. A metal electrode includes a lower metal electrode formed on a bottom surface of the p type silicon substrate, and an upper metal electrode formed on an upper surface of the light emitting device layer. A lateral surface of the groove is separated from the light emitting device layer to be utilized as a reflecting mirror.
Abstract translation: 提供了使用横向反射器的硅基发光二极管，以有效地利用横向反射光并通过在衬底的内侧表面上形成反射器来提高发光效率。 多个沟槽形成在p型硅衬底（100）上。 通过在沟槽内的p型硅衬底上层叠有源层（220），n型掺杂层（240）和透明电极层（260）来形成发光器件层（200）。 金属电极包括形成在p型硅衬底的底表面上的下金属电极和形成在发光器件层的上表面上的上金属电极。 凹槽的侧表面与发光器件层分离以用作反射镜。
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公开(公告)号：KR100714924B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050091288
申请日：2005-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/105 , B82Y10/00 , H01L51/0023 , H01L51/0595
Abstract: 본 발명은 수 나노미터(nm) 이하의 폭을 갖는 나노갭(nano-gap)을 사이에 두고 두 개의 전극이 접해 있는 나노갭 전극소자의 제작 방법에 관한 것으로, 서로 다른 식각비를 갖는 반도체층들을 이용하여 공기중에 부양된 구조의 나노 구조물을 형성하고, 반도체층으로부터 나노 구조물까지의 높이, 나노 구조물의 폭 및 금속의 증착 각도를 조절하여 나노갭을 형성한다. 나노갭의 위치와 폭을 용이하게 조절할 수 있고 반복되는 구조를 갖는 어레이 형태의 나노갭을 동시에 형성할 수 있다.
나노 구조물, 증착 각도, 나노갭, 전극소자, 어레이-
公开(公告)号：KR100639971B1
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：KR1020040108155
申请日：2004-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66772 , H01L29/66636 , H01L29/78618
Abstract: 본 발명의 초박막의 에스오아이 모스 트랜지스터(SOI MOSFET)는, 반도체기판과, 반도체기판 위에서 중앙부를 제외한 나머지 부분이 리세스된 매몰절연막과, 리세스된 매몰절연막 위에 배치되는 초박막의 단결정실리콘막패턴과, 초박막의 단결정실리콘막패턴 위에서 게이트절연막패턴 및 게이트도전막패턴이 순차적으로 적층되어 구성되는 게이트스택과, 게이트스택 측벽에 배치되는 게이트스페이서막과, 그리고 리세스된 매몰절연막 위에 배치되어 초박막의 단결정실리콘막의 하부면 중에서 리세스된 매몰절연막의 중앙부와 중첩되지 않는 하부면과 중첩되는 리세스된 소스/드레인영역을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020060069064A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040108155
申请日：2004-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66772 , H01L29/66636 , H01L29/78618 , H01L29/7824
Abstract: 본 발명의 초박막의 에스오아이 모스 트랜지스터(SOI MOSFET)는, 반도체기판과, 반도체기판 위에서 중앙부를 제외한 나머지 부분이 리세스된 매몰절연막과, 리세스된 매몰절연막 위에 배치되는 초박막의 단결정실리콘막패턴과, 초박막의 단결정실리콘막패턴 위에서 게이트절연막패턴 및 게이트도전막패턴이 순차적으로 적층되어 구성되는 게이트스택과, 게이트스택 측벽에 배치되는 게이트스페이서막과, 그리고 리세스된 매몰절연막 위에 배치되어 초박막의 단결정실리콘막의 하부면 중에서 리세스된 매몰절연막의 중앙부와 중첩되지 않는 하부면과 중첩되는 리세스된 소스/드레인영역을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020050065905A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097068
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명은 (110) 면방향을 갖는 SOI (Silicon-On-Insulator) 기판을 이용한 초미세 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 실리콘 기판, 매몰 산화층 및 실리콘층이 적층된 구조의 기판을 준비하는 단계와, 소스 및 드레인이 형성될 영역의 상기 실리콘층에 불순물 이온을 주입하는 단계와, 채널이 형성될 영역의 상기 실리콘층을 소정 깊이 식각하여 도랑을 형성하는 단계와, 상기 도랑의 양측벽에 불순물 이온이 도핑된 산화막 측벽을 형성하는 단계와, 상기 실리콘층에 주입된 이온과 상기 실리콘 측벽에 도핑된 이온의 내부 확산에 의해 상기 도랑 양측부의 상기 실리콘층에 소스 및 드레인 영역이 형성되는 동시에 상기 산화막 측벽 하부의 상기 실리콘층에 소스 및 드레인 확장영역이 형성되도록 열처리하는 단계와, 전체 상부면에 게이트 절연막을 형성한 후 채널영역의 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
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