公开(公告)号：KR1020140056543A

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：KR1020120120415

申请日：2012-10-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정용덕 ,  조대형 ,  한원석

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/186 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: Provided is a method for manufacturing a solar cell. A light absorption layer is formed on a substrate. A buffer layer is formed on the light absorption layer. A window electrode layer is formed on the buffer layer. Forming the buffer layer includes depositing a metallic material on the light absorption layer, supplying a non-metallic material on the light absorption layer, supplying a gas material which includes oxygen atom on the light absorption layer, and making the non-metallic material react with the metallic material. The gas material including oxygen atom reacts with the metallic material and the non-metallic material to form metal sulfur oxide on the light absorption layer.

Abstract translation: 提供一种太阳能电池的制造方法。 在基板上形成光吸收层。 在光吸收层上形成缓冲层。 在缓冲层上形成窗口电极层。 形成缓冲层包括在光吸收层上沉积金属材料，在光吸收层上提供非金属材料，在光吸收层上提供包含氧原子的气体材料，并使非金属材料与 金属材料。 包含氧原子的气体材料与金属材料和非金属材料反应，以在光吸收层上形成金属硫氧化物。

公开(公告)号：KR1020100136790A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：KR1020090055080

申请日：2009-06-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 배성범 ,  정용덕 ,  한원석 ,  조대형 ,  김제하

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/072 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A copper-indium-gallium-selenium(CIGS)-based thin film solar cell and a method for manufacturing the same are provided to increase the efficiency of the solar cell by facilitating the movement of electric charges generated by solar light. CONSTITUTION: A metal electrode layer(110) is arranged on a substrate(100). The specific resistance of the metal electrode layer is low. The metal electrode layer is composed of molybdenum. An optical absorbent layer(120) is formed on the metal electrode layer. A buffer layer, containing an indium-gallium nitride film, is formed on the optical absorbent layer(130). A transparent electrode layer(140) is formed on the buffer layer.

Abstract translation: 目的：提供一种基于铜铟镓硒（CIGS）的薄膜太阳能电池及其制造方法，以通过促进太阳光产生的电荷的移动来提高太阳能电池的效率。 构成：在基板（100）上配置金属电极层（110）。 金属电极层的电阻率低。 金属电极层由钼构成。 在金属电极层上形成光吸收层（120）。 在光吸收层（130）上形成有含有氮化铟镓膜的缓冲层。 在缓冲层上形成透明电极层（140）。

公开(公告)号：KR100794673B1

公开(公告)日：2008-01-14

申请号：KR1020060049246

申请日：2006-06-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기수 ,  심은덕 ,  한원석 ,  김성복

IPC: H01S5/183

Abstract: 본 발명은 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드의 DBR 구조물 및 그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드에 관한 것으로, 본 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드의 DBR 구조물은, InP 기판과, 상기 InP기판 상에 적층되며, InAlGaAs층 및 상기 InAlGaAs층보다 낮은 굴절률을 갖는 InAlAs층으로 이루어진 복수의 InAlGaAs/InAlAs DBR층과, 상기 복수의 InAlGaAs/InAlAs DBR층 사이에 주기적으로 형성된 상기 InAlGaAs층 및 InP층으로 이루어진 InAlGaAs/InP DBR층을 포함한다. 이에 따라, DBR 구조물의 표면 상태를 개선하여 결함이 없는 양질의 박막을 유지하고, 반사율을 향상시킬 수 있다. 또한, 표면 상태가 개선된 양질의 DBR 구조물을 사용하여 DBR의 반사율을 향상시킴으로써, 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 자체의 특성을 향상시킬 수 있다.
분산 브래그 반사경(DBR: distributed Bragg reflector), 장파장 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드

Abstract translation: 本发明中，所述二极管垂直腔表面根据垂直腔表面发射激光器（VCSEL）DBR结构和二极管的制造方法以及垂直腔表面发射激光器（VCSEL）二极管发射激光器（VCSEL），InP衬底的DBR结构 和，被沉积在InP衬底，InAlGaAs层和InAlGaAs层InAlGaAs层比由铟铝砷层的具有低的折射率，并周期性所述多个InAlGaAs / InAlAs的DBR层之间形成在该多个InAlGaAs / InAlAs的DBR层上 以及由InP层制成的InAlGaAs / InP DBR层。 因此，能够提高DBR结构保持无缺陷的薄膜的质量的表面状态并提高反射率。 此外，它是通过改善DBR的反射率与表面条件改善的质量DBR结构可能，提高了垂直腔表面发射激光二极管本身的特性。

公开(公告)号：KR100794667B1

公开(公告)日：2008-01-14

申请号：KR1020060049238

申请日：2006-06-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기수 ,  한원석 ,  김성복 ,  오대곤

IPC: H01S5/183

Abstract: 본 발명은 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물 및 그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드에 관한 것이다.
본 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물은 InP 기판 상부에 형성되는 제 1 굴절률을 갖는 InAlGaAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InAlGaAs층 상에 형성되는 제1 InAlAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 제1 InAlAs층 상에 형성되는 InP층; 및 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InAlGaAs층 상에 형성되는 제2 InAlAs층을 포함한다. 이에 따라, InAlGaAs층과 InP층의 접합부분에서 발생하는 타입-Ⅱ 밴드 라인업에 의해 발생하는 광학적 손실을 줄이므로, 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.
DBR(distributed Bragg reflector), InAlGaAs, InP, InAlAs, 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드

公开(公告)号：KR100785772B1

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：KR1020060036356

申请日：2006-04-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한원석 ,  권오균 ,  송현우 ,  박미란

IPC: H01S5/30

Abstract: 전도대의 전자장벽을 높이고 정공의 흐름을 원활하게 할 수 있는 반도체 레이저 다이오드를 제공한다. 그 다이오드는 활성층의 타측에 접촉되며, 활성층에 대하여 에너지 단차를 이루는 제2 화합물 반도체층 및 제2 화합물 반도체층과 비전도대 에너지 단차(ΔEv)가 0인 임계점을 갖도록, 제2 반도체층에 삽입되어 제2 화합물 반도체층을 분리하는 제3 화합물 반도체층을 포함한다.
전자장벽, 정공, 에너지 단차, 임계, 타입-II

公开(公告)号：KR1020070059854A

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：KR1020060049246

申请日：2006-06-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기수 ,  심은덕 ,  한원석 ,  김성복

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18327 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/18366 ,  H01S5/3054

Abstract: A DBR(Distributed Bragg Reflector) in a vertical cavity surface emitting laser diode and a manufacturing method thereof and a vertical cavity surface emitting laser diode are provided to improve a surface state of the DBR by reducing a laminating thickness of an InAlAs layer, thereby improving a reflection factor. A DBR in a vertical cavity surface emitting laser diode(300) includes an InP substrate(310). A plurality of InAlGaAs/InAlAs DBR layers are laminated on the InP substrate(310) and composed of an InAlGaAs layer(321,341) and an InAlAs layer(322,342) having a lower reflection factor than the InAlGaAs layer(321,341). An InAlGaAs/InP DBR layer composed of the InAlGaAs layer(321,341) and an InP layer(343) is inserted whenever a predetermined number of InAlGaAs/InAlAs DBR layers are laminated.

Abstract translation: 提供垂直腔表面发射激光二极管中的DBR（分布式布拉格反射器）及其制造方法和垂直腔表面发射激光二极管，以通过降低InAlAs层的层压厚度来改善DBR的表面状态，从而改善 反思因素。 垂直腔表面发射激光二极管（300）中的DBR包括InP衬底（310）。 多个InAlGaAs / InAlAs DBR层叠在InP衬底（310）上并由InAlGaAs层（321,341）和具有比InAlGaAs层（321,341）低的反射系数的InAlAs层（322,342）组成。 每当层叠有预定数量的InAlGaAs / InAlAs DBR层时，插入由InAlGaAs层（321,341）和InP层（343）组成的InAlGaAs / InP DBR层。

公开(公告)号：KR100627703B1

公开(公告)日：2006-09-26

申请号：KR1020040105704

申请日：2004-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  박미란 ,  한원석 ,  김종희 ,  송현우

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/18316 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18375 ,  H01S5/18377

Abstract: 본 발명은 반도체 광소자 중 표면방출 레이저 제작방법에 관한 것으로 화합물 반도체 기판 위에 거울층과 활성층으로 구성된 에피 구조를 유전체 거울층과 결합하고, 이를 다시 새로운 기판 위에 금속접합 방법으로 결합한 후 기존 기판을 제거한 후 새로운 기판 위에서 표면방출 레이저를 제작하는 방법에 관한 기술을 개시한다. 이러한 기술은 표면방출 레이저를 구성하는 상부 거울 및 하부 거울과 활성층에 전기적, 광학적 영향없이 표면방출 레이저 구조를 외부적인 금속접합 방법으로 새로운 기판에 옮겨 붙여 제작하는 방법으로, 기존의 표면방출 레이저의 제작방법을 이용하면서 열적 특성이 우수한 새로운 기판으로 옮겨 제작함으로써 우수한 열 방출 특성을 얻게 하여, 궁극적으로 제작이 용이하면서 신뢰성이 높으며, 우수한 특성의 표면방출 레이저 제작을 가능하게 한다.
표면방출 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers, VCSELs), 금속접합(metallic bonding), 화합물 반도체(compound semiconductor), 유전체 거울층(dielectric mirror), 반도체 거울층(semiconductor Distributed Brag reflector, DBR), 습식선택 식각, 건식선택 식각

公开(公告)号：KR100582540B1

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：KR1020030027986

申请日：2003-05-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한원석 ,  김진수 ,  이진홍 ,  홍성의 ,  곽호상 ,  오대곤

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/22

CPC classification number: C30B23/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

Abstract: 양자점 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 InP 기판 상에, InAlAs, InAlGaAs, InP, InGaAsP 또는 이들로 구성된 이종접합층으로 격자 정합한 완충층을 형성한다. 상기 격자 정합한 완충층 상에, 상기 격자 정합한 완충층의 표면 구조를 변화시키고 후에 형성되는 In(Ga)As 양자점의 성장에 필요한 응력 에너지를 변조시키는 In
X Ga
1-X As 응력층을 형성한다. 이와 같이 마련된 시료는 In(Ga)As 양자점의 균일도가 현저하게 증가하여 포토루미네슨스의 반치폭이 감소하며 발광 세기가 현저히 증가한다. 따라서, 본 발명에 따른 In(Ga)As 양자점을 레이저 다이오드와 같은 발광소자나 광검출기 등의 광소자의 활성층으로 응용하였을 때 그 소자 특성이 개선될 수 있다.

公开(公告)号：KR100527108B1

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：KR1020030085359

申请日：2003-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  한원석 ,  김종희 ,  주영구 ,  권오균 ,  박상희

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18341 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18363

Abstract: 본 발명은 반도체 반사경 또는 광학 필터로 이용될 수 있는 반도체 광소자의 제작 방법에 대해 개시한다. 에칭비가 서로 다른 두가지 이상의 반도체층들을 교대로 적층한 후 적어도 한 종류의 반도체층들을 선택적으로 에칭하여 에어갭(air gap)을 형성하고, 에어갭이 매립되도록 열전달 특성이 양호한 산화물 혹은 질화물을 증착한다. 에어갭에 매립된 산화물 혹은 질화물과 반도체층의 큰 굴절률 차이로 인하여 적은 주기로도 효과적으로 높은 반사율을 갖는 반도체 반사경 또는 광학 필터를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR100484490B1

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：KR1020020069588

申请日：2002-11-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  신재헌 ,  한원석 ,  송현우 ,  김종희 ,  한일영

IPC: H01S5/183

Abstract: 본 발명은 1.3 ~ 1.55 ㎛ 대역의 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 및 그 제작방법에 관한 것이다. 종래 수직 공진 표면방출 레이저의 전류 감금 구조를 형성하기 위해 취해진 여러 방법은 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 제작방법으로 적용하기에는 문제가 있다. 본 발명에서는 전류 감금 구조와 그 형성방법을 개선하여 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 및 그 제작방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 가벼운 이온의 저에너지 주입과 터널 접합층의 복합적 사용을 통한 새로운 전류 감금 구조를 제시한다. 저에너지 이온주입은 표면 가까이에 저항이 큰 층을 형성할 수 있어서, 기존의 고에너지 이온주입과 달리 최소 전류 주입 직경을 아주 작게 만들 수 있고 소자의 저항을 크게 줄일 수 있어 열 발생을 감소시킨다. 터널 접합층의 사용으로, 전하 운반자에 의한 광손실 저항을 줄여주므로 효과적으로 소자의 전기적 특성을 향상시킨다.