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公开(公告)号：KR1020080052252A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070061460
申请日：2007-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G02B21/06 , G01N21/21 , G02B21/365 , G02B27/286 , Y10S977/881
Abstract: An optical microscope system for sensing a nano-wire by using a polarizing plate and the Fast Fourier Transform method is provided to enable alignment between a nano-wire sample and a pattern by using an optical microscope. A light source unit(10) generates light and supplies it to a sample for nano-wire element. A rotary polarizing plate(20) is formed on a path of the light provided from the light source unit in order to polarize the light. An optical microscope(30) detects a nano-wire image by using the light polarized in the rotary polarizing plate and inputted into the sample. A CCD camera(31) is formed in one region of the optical microscope in order to photograph and store the nano-wire image detected the optical microscope. A data processing unit(50) performs the Fast Fourier Transform process for the stored nano-wire image through the CCD camera.
Abstract translation: 提供了一种用于通过使用偏振片感测纳米线的光学显微镜系统和快速傅立叶变换方法，以通过使用光学显微镜来使得纳米线样品与图案之间的对准。 光源单元（10）产生光并将其提供给用于纳米线元件的样品。 在从光源单元提供的光的路径上形成旋转偏振板（20）以使光偏振。 光学显微镜（30）通过使用在旋转偏光板中偏振并输入到样品中的光来检测纳米线图像。 在光学显微镜的一个区域中形成CCD摄像机（31），以便拍摄和存储检测到的纳米线图像的光学显微镜。 数据处理单元（50）通过CCD照相机对存储的纳米线图像执行快速傅立叶变换处理。
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公开(公告)号：KR100734832B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050075659
申请日：2005-08-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G11B9/04
Abstract: 금속 산화막의 전류 스위칭을 이용한 정보 저장 장치를 제시한다. 본 발명에 따르면, 기판 형성된 하부 전극막, 금속 산화막을 포함하고, 하부 전극막에 대향되게 도입되어 나노미터(nanometer) 수준의 크기의 국부 영역 단위로 금속 산화막 상을 스캔(scan)하고, 금속 산화막의 국부 영역 별로 쓰기 전압을 인가하여 국부 영역의 저항값을 급격히 변화시켜 국부 영역의 저항값을 제1상태에서 제2상태로 스위칭(switching)시키거나, 저항값의 제1상태 또는 제2상태에 따라 다른 값으로 국부 영역을 통과하여 흐르는 전류값을 측정하여 저장된 정보를 읽는 뾰족한 팁(tip)을 가지는 탐침, 탐침의 금속 산화막에 대한 위치를 국부 영역 단위로 이동시키는 구동부, 및 제어부를 포함하는 정보 저장 장치를 제시한다.
AFM, 피에조 스캐너, 금속 산화막, 전류 스위칭 효과, 탐침-
公开(公告)号：KR100714127B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020060018872
申请日：2006-02-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/66
Abstract: 제1 전극과, 티올 또는 실란계 정착기를 이용하여 제1 전극 위에 자기조립되어 있는 분자 활성층과, 상기 분자 활성층을 덮는 유기 전극층을 포함하는 제2 전극으로 이루어지는 분자 전자 소자에 관하여 개시한다. 제2 전극은 상기 유기 전극층과, 상기 유기 전극층 위에 형성된 금속 전극층을 포함할 수 있다. 유기 전극층은 전기전도도가 큰 단량체, 올리고머 또는 고분자 화합물로 이루어진다. 본 발명에 따른 분자 전자 소자의 분자 활성층은 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 온 상태 및 오프 상태 사이에서 상호 스위칭 가능한 스위치 소자, 또는 상기 양 전극에 인가되는 전압에 따라 소정의 전기 신호를 저장하는 메모리 소자를 구성한다.
분자 전자 소자, 유기 전극층, 분자 활성층, 스위칭, 메모리Abstract translation: 一种分子电极，包括第一电极，使用硫醇或硅烷基熔凝器在第一电极上自组装的分子活性层和包含覆盖分子活性层的有机电极层的第二电极。 第二电极可以包括有机电极层和形成在有机电极层上的金属电极层。 有机电极层由具有高导电性的单体，低聚物或高分子化合物构成。 根据本发明的分子电子器件的分子有源层可以是取决于施加在第一电极和第二电极之间的电压而在导通状态和截止状态之间可切换的开关元件， 并且构成用于存储预定电信号的存储元件。
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公开(公告)号：KR1020050065907A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097070
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/08 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1463 , G11B11/08
Abstract: 본 발명은 균일한 크기로 정렬된 나노점을 갖는 나노 소자에 정보를 저장하거나 저장된 정보를 독출하기 위한 정보 저장 및 독출 장치에 관한 것으로, 나노 소자의 정렬된 각 나노점 상에 위치 가능하도록 캔티레버에 의해 이동되는 탐침과, 상기 탐침이 선택된 나노점 상에 위치된 상태에서 상기 탐침과 상기 나노 소자 사이에 저장 바이어스 전압 또는 독출 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 전원공급부와, 상기 탐침의 위치를 검출하기 위한 빔을 제공하는 빔 발생수단과, 상기 탐침으로부터 반사되는 빔을 검출하는 위치검출수단과, 상기 위치검출수단으로부터 출력되는 신호를 증폭하는 증폭기와, 상기 증폭기로부터 출력되는 신호를 이용하여 상기 나노점에 저장된 정보를 판독하는 검출회로를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150089299A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020140009757
申请日：2014-01-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/105 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/127 , H01L27/14 , H01L27/14609 , H01L27/14689 , H01L27/32 , H01L27/3241 , H01L27/3244 , H01L29/66757
Abstract: 디스플레이소자, 그제조방법, 및이미지센서소자의제조방법이제공된다. 본발명의개념에따른디스플레이소자의제조는셀 어레이영역및 주변회로영역을갖는기판을제공하는것; 상기기판의주변회로영역상에실리콘층을형성하는것; 상기기판의상기셀 어레이영역및 상기주변회로영역상에금속산화물층들을각각형성하는것; 상기실리콘층들및 상기금속산화물층들상에각각게이트전극들을형성하되, 상기게이트전극들은상기실리콘층의양단및 상기각각의금속산화물층들의양단을노출시키는것; 그리고상기실리콘층의양단, 및상기금속산화물층들의양단에도펀트를동시에주입시키는것을포함할수 있다.
Abstract translation: 提供一种显示装置及其制造方法以及图像传感器装置的制造方法。 根据本发明的概念的显示装置的制造可以包括提供具有单元阵列区域和外围电路区域的基板; 在所述基板的外围电路区域上形成硅层; 分别在所述电池阵列区域和所述基板的外围电路区域上形成金属氧化物层; 在金属氧化物层和硅层上形成栅电极，并将栅电极暴露于硅层的两端和金属氧化物层的两端; 并且在金属氧化物层的两端和硅层的两端注入掺杂剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120106359A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020110024421
申请日：2011-03-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01B13/00 , G02F1/1343 , H01B5/14
Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal oxide film is provided to control electrical conductivity of the metal oxide film by controlling doping conditions of an ion injection process. CONSTITUTION: A coating solution including a metal precursor is prepared(S110). The metal precursor is an organic metal compound. A coating layer is formed on a substrate by supplying the coating solution on the substrate(S120). The coating layer is formed by ink-jet printing, spin coating and screen printing. A first metal oxide film is formed by drying the coating layer(S130). The electrical conductivity of the first metal oxide film is controlled by doping impurity on the first metal oxide film. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Preparing a coating solution including a metal precursor; (S120) Forming a coating layer; (S130) Forming a first metal oxide film; (S140) Doping impurities(electric conductivity control)
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成金属氧化物膜的方法，以通过控制离子注入工艺的掺杂条件来控制金属氧化物膜的导电性。 构成：制备包含金属前体的涂布溶液（S110）。 金属前体是有机金属化合物。 通过将涂布溶液供给到基板上，在基板上形成涂层（S120）。 涂层通过喷墨印刷，旋涂和丝网印刷形成。 通过干燥涂层形成第一金属氧化物膜（S130）。 通过在第一金属氧化物膜上掺杂杂质来控制第一金属氧化物膜的导电性。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）制备包含金属前体的涂布溶液; （S120）形成涂层; （S130）形成第一金属氧化物膜; （S140）掺杂杂质（导电性控制）
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公开(公告)号：KR1020110101705A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020100020911
申请日：2010-03-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 박종혁
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L31/18 , Y10T29/49115
Abstract: 나노복합체 용액의 형성방법 및 나노복합체 광전 소자가 제공된다. 나노복합체 용액의 형성방법은 금속산화물 나노 막대 용액을 준비하는 것, 나노입자 용액을 준비하는 것, 그리고 금속산화물 나노 막대 용액과 나노입자 용액을 혼합하여 나노복합체 용액을 형성하는 것을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110066849A
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020100116063
申请日：2010-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N27/12
Abstract: PURPOSE: A low power consumption type semiconductor gas sensor is provided to improve gas sensing characteristics using low level semiconductor nano materials having high sensitivity characteristics at room temperature. CONSTITUTION: A low power consumption type semiconductor gas sensor comprises a membrane, a substrate(110) located on the lower part of the membrane and etched on the center area to expose the interval between the lower part of the membrane and the substrate, a heater(150) formed in the center area of the membrane and operated when desorbing gas adsorbed to a low level semiconductor nano material, an insulating membrane(170) formed on the membrane to cover the heater, a sensing electrode(180) formed in the center area of the insulating membrane, and a low level semiconductor nano material(190) formed on the sensing electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种低功耗型半导体气体传感器，以便在室温下具有高灵敏度特性的低电平半导体纳米材料改善气体感测特性。 构成：低功耗型半导体气体传感器包括膜，位于膜的下部的衬底（110）并在中心区域上蚀刻以暴露膜的下部与衬底之间的间隔，加热器 （150），形成在所述膜的中心区域并且当解吸吸附到低水平半导体纳米材料的气体时操作;形成在所述膜上的绝缘膜（170）以覆盖所述加热器;形成在所述中心的感测电极（180） 绝缘膜的面积和形成在感测电极上的低电平半导体纳米材料（190）。
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公开(公告)号：KR100948893B1
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：KR1020070059266
申请日：2007-06-18
Abstract: 본 발명은 전기화학식 가스 센서 칩 및 그의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 전기화학식 가스 센서 칩은 기판, 상기 기판상에 패턴화되어 형성된 전극, 상기 패턴화된 전극을 포함하는 기판상에 형성된 프로톤 전도성을 갖는 고체 전해질막, 및 상기 고체 전해질막 상에 소수성의 마이크로다공성 멤브레인을 포함하며, 본 발명에 따른 칩 구조의 가스 센서는 구동회로와 집적이 용이하고, 고체 전해질막을 이용하기 때문에 소형화가 가능하고, 반도체 공정을 이용하기 때문에 대면적 공정을 가능하게 한다.
고체전해질, 칩, 전기화학식, 가스센서-
公开(公告)号：KR100932901B1
公开(公告)日：2009-12-22
申请号：KR1020070083952
申请日：2007-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/2036 , H01G9/2059 , H01L51/0086 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 전해질 용액에 용해된 유기 분자가 자기조립되어 형성된 절연 보호막이 형성된 반도체 전극을 구비하는 염료감응 태양 전지 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 제1 전도성 기판상에 형성된 금속산화물층과, 금속산화물층의 표면에 흡착되어 있는 염료 분자층과, 금속산화물층의 표면에서 염료 분자층으로 덮이지 않은 제1 부분 및 제1 전도성 기판의 표면에서 금속산화물층이 접촉하고 있지 않은 제2 부분 중 적어도 하나의 부분 위에 형성된 절연 보호막을 포함한다. 반도체 전극과 대향 전극과의 사이의 공간에는 금속산화물 위에 자기조립될 수 있는 작용기를 가지는 유기 분자들이 용해되어 있는 전해질 용액이 채워져 있다. 반도체 전극과 대향 전극과의 사이에 전해질 용액을 주입하면 전해질 용액이 전자 전달층에 접촉되면서 유기분자들이 제1 부분 또는 제2 부분에 자기조립되어 절연 보호막이 형성된다.
염료감응, 태양전지, 자기조립, 절연 보호막, 금속산화물, 전해질Abstract translation: 本发明提供染料敏化太阳能电池和染料敏化太阳能电池的制造方法，该半导体电极上形成有通过自组装有机分子而形成的绝缘保护层，该染料敏化太阳能电池具有染料敏化太阳能电池， 单元包括：半导体电极，包括：形成在第一导电衬底上的金属氧化物层; 吸附在金属氧化物层的表面上的染料分子层; 以及绝缘保护层，所述绝缘保护层形成在所述金属氧化物层的未被所述染料分子层覆盖的所述表面的第一部分和所述第一导电衬底的不接触所述金属氧化物的表面的第二部分中的至少一个上 层; 设置在第二导电衬底上并且面向所述半导体电极的相对电极; 以及填充在半导体电极和相对电极之间的空间中的电解质溶液，所述电解质溶液包含具有官能团的有机分子，所述官能团可以通过化学键与金属氧化物上的金属氧化物选择性地自组装。 一旦电解质溶液注入到半导体电极和相对电极之间，电解质溶液接触电子传输层，并且因此有机分子在第一部分或第二部分上自组装以形成绝缘保护层。
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