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公开(公告)号：DE102018111319A1
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：DE102018111319
申请日：2018-05-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KÖNIG HARALD , EBBECKE JENS , LELL ALFRED , GERHARD SVEN , VIERHEILIG CLEMENS
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (10) umfassend einen ersten Bereich (101) eines ersten Leitungstyps, einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichteten aktiven Bereich (103), einen zweiten Bereich (102) eines zweiten Leitungstyps und einer zur Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Auskoppelfläche (20) angegeben. Der erste Bereich (101), der aktive Bereich (103) und der zweite Bereich (102) sind entlang einer Stapelrichtung (Y) angeordnet. Der aktive Bereich (103) erstreckt sich von einer der Auskoppelfläche (20) gegenüberliegenden Rückseitenfläche (30) zur Auskoppelfläche (20) entlang einer longitudinalen Richtung (X), die quer oder senkrecht zu der Stapelrichtung (Y) verläuft. Die Auskoppelfläche (20) ist planparallel zur Rückseitenfläche (30) angeordnet. Die Auskoppelfläche (20) und die Rückseitenfläche (30) des Halbleiterkörpers (10) sind mittels eines Ätzprozesses erzeugt.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.
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52.发明专利
公开(公告)号：DE102018110985A1
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：DE102018110985
申请日：2018-05-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD SVEN , ALI MUHAMMAD , LELL ALFRED , EICHLER CHRISTOPH
IPC: H01S5/20
Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (2) angegeben mit:- einer Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb Laserstrahlung von einer Facette aussendet, und- einer ersten Passivierungsschicht (11), wobei- die Halbleiterschichtenfolge (3) einen Stegwellenleiter (5) aufweist, der eine Deckfläche (7) und daran angrenzende Seitenflächen (6) aufweist,- die erste Passivierungsschicht (11) die Seitenflächen (6) des Stegwellenleiters (5) bereichsweise bedeckt, und- die Seitenflächen (6) des Stegwellenleiters (5) bereichsweise frei von der ersten Passivierungsschicht (11) sind.Außerdem werden ein Laserbauteil und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode angegeben.
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公开(公告)号：DE102018106685A1
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：DE102018106685
申请日：2018-03-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MARFELD JAN , SOMERS ANDRÉ , LÖFFLER ANDREAS , GERHARD SVEN
Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich eine aktive Zone (22) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) befindet. Mehrere elektrische Kontaktflächen (5) dienen zur externen elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (2). Mehrere parallele Stegwellenleiter (3) sind aus der Halbleiterschichtenfolge (2) geformt und zu einer Führung der Laserstrahlung (L) entlang einer Resonatorachse eingerichtet, sodass zwischen benachbarten Stegwellenleiter je ein Trenngraben (6) vorliegt. Mindestens eine elektrische Zuführung (4) dient von wenigstens einer der elektrischen Kontaktflächen (5) aus zu einer Stromführung hin zu zumindest einem der Stegwellenleiter (3). Ein Abstand (A4) zwischen den Stegwellenleitern beträgt höchstens 50 µm. Die Stegwellenleiter (3) sind einzeln oder in Gruppen unabhängig voneinander elektrisch ansteuerbar und/oder für einen Monomodenbetrieb eingerichtet.
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公开(公告)号：DE112017003107A5
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：DE112017003107
申请日：2017-06-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EICHLER CHRISTOPH , GERHARD SVEN , LELL ALFRED , STOJETZ BERNHARD
IPC: H01S5/22
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102016125857A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：DE102016125857
申请日：2016-12-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD SVEN , EICHLER CHRISTOPH , LELL ALFRED , STOJETZ BERNHARD
Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die eine Haupterstreckungsebene aufweist und die dazu eingerichtet ist, im Betrieb in einem aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen und über eine Lichtauskoppelfläche (6) abzustrahlen, wobei sich der aktive Bereich (5) von einer der Lichtauskoppelfläche (6) gegenüberliegenden Rückseitenfläche (7) zur Lichtauskoppelfläche (6) entlang einer longitudinalen Richtung (93) in der Haupterstreckungsebene erstreckt, wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) einen Oberflächenbereich (20) aufweist, auf dem in unmittelbarem Kontakt eine zusammenhängende Kontaktstruktur (4) aufgebracht ist, wobei die Kontaktstruktur (4) in zumindest einem ersten Kontaktbereich (241) ein erstes elektrisches Kontaktmaterial (41) in unmittelbarem Kontakt mit dem Oberflächenbereich (20) und in zumindest einem zweiten Kontaktbereich (242) ein zweites elektrisches Kontaktmaterial (42) in unmittelbarem Kontakt mit dem Oberflächenbereich (20) aufweist und wobei der erste und zweite Kontaktbereich (241, 242) aneinander angrenzen.
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公开(公告)号：DE112015004757A5
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：DE112015004757
申请日：2015-09-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RUMBOLZ CHRISTIAN , GERHARD SVEN
IPC: H01S5/20 , H01L21/762
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公开(公告)号：DE102015116712A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：DE102015116712
申请日：2015-10-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD SVEN , LELL ALFRED , VIERHEILIG CLEMENS , LÖFFLER ANDREAS
IPC: H01S5/22
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Schichtstruktur mit einer aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone in einer Ebene angeordnet ist, wobei die Schichtstruktur eine Oberseite und vier Seitenflächen aufweist, wobei eine streifenförmige Ridgestruktur auf der Oberseite der Schichtstruktur angeordnet ist, wobei sich die Ridgestruktur zwischen der ersten Seitenfläche und der dritten Seitenfläche erstreckt, wobei die erste Seitenfläche eine Abstrahlfläche für elektromagnetische Strahlung darstellt, wobei seitlich neben der Ridgestruktur in die Oberseite der Schichtstruktur (2) eine erste Ausnehmung eingebracht ist, wobei eine zweite Ausnehmung in die erste Ausnehmung eingebracht ist, und wobei die zweite Ausnehmung sich bis zu der zweiten Seitenfläche erstreckt.
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公开(公告)号：DE102015116335A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：DE102015116335
申请日：2015-09-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD SVEN , LELL ALFRED , VIERHEILIG CLEMENS , LÖFFLER ANDREAS , EICHLER CHRISTOPH
IPC: H01S5/34
Abstract: Es umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem n-leitenden n-Bereich (21), einem p-leitenden p-Bereich (23) und einer dazwischenliegenden aktive Zone (22) zur Erzeugung von Laserstrahlung. Zur Stromeinprägung befindet sich direkt an dem p-Bereich (23) eine für die Laserstrahlung durchlässige p-Kontaktschicht (3). Direkt an der p-Kontaktschicht (3) ist eine elektrisch leitende und metallische p-Kontaktstruktur (4) angebracht. Die p-Kontaktschicht (3) ist ein Teil einer Mantelschicht. Zwei Facetten (25) der Halbleiterschichtenfolge (2) bilden Resonatorendflächen für die Laserstrahlung. In wenigstens einem Stromschutzbereich (5) direkt an zumindest einer der Facetten (25) ist eine Stromeinprägung in den p-Bereich (23) unterdrückt. Der Stromschutzbereich weist in Richtung senkrecht zur zugehörigen Facette (25) eine Ausdehnung von mindestens 0,5 µm und von höchstens 100 µm und zusätzlich von höchstens 20 % einer Resonatorlänge für die Laserstrahlung auf.
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公开(公告)号：DE102014117510A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：DE102014117510
申请日：2014-11-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GERHARD SVEN , LELL ALFRED
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Schichtstruktur mit einer aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone in einer ersten Ebene angeordnet ist, wobei in die Oberfläche der Schichtstruktur eine Ausnehmung eingebracht ist, wobei die Ausnehmung an eine Endfläche des Bauelementes angrenzt, wobei die Endfläche in einer zweiten Ebene angeordnet ist, wobei die zweite Ebene im Wesentlichen senkrecht zur ersten Ebene angeordnet ist, wobei die Ausnehmung eine Bodenfläche und eine Seitenfläche aufweist, wobei die Seitenfläche im Wesentlichen senkrecht zur Endfläche angeordnet ist, wobei die Seitenfläche in einem Winkel geneigt ungleich 90° zu der ersten Ebene der aktiven Zone angeordnet ist, wobei die Bodenfläche im Bereich der ersten Ebene der aktiven Zone angeordnet ist.
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