公开(公告)号：CN105103031A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480015234.1

申请日：2014-03-13

Applicant: 拉维夫·埃尔里奇 ,  尤瓦尔·格尔森

Inventor： 拉维夫·埃尔里奇 ,  尤瓦尔·格尔森

IPC: G02B26/08

CPC classification number: F16C11/12 ,  B81B3/0043 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/034 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0163 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00198 ,  B81C1/00523 ,  B81C2201/013 ,  E05D1/02 ,  E05D7/00 ,  E05D11/0081 ,  F16F1/48 ,  F16F2224/025 ,  F16F2226/00 ,  F16F2226/042 ,  G01C19/02 ,  G01P15/09 ,  G01P15/093 ,  G01P15/125 ,  G02B26/0833 ,  G02B26/105 ,  Y10T16/522 ,  Y10T16/525 ,  Y10T29/24 ,  Y10T29/25

Abstract: 本发明公开了一种机械设备(20、50、70、80、120)，其包括由刚性的弹性材料制成的窄长元件(26、54、66、90、122)。刚性框架(28、52、64、92)被配置为锚定所述元件的与框架附接的至少一个端部，并被配置为限定在梁和所述框架之间沿所述元件纵向延伸的间隙，使得所述元件在间隙内自由地移动。不同于刚性的弹性材料的固体填充材料(30、56、68、94、102、124)填充所述元件和所述框架之间的间隙的至少一部分，以允许元件在间隙内的第一运动模式，而抑制不同的第二运动模式。

公开(公告)号：CN105073280A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480009849.3

申请日：2014-02-27

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： P·B·约翰逊 ,  I·O·伍感特

IPC: B06B1/02

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B06B2201/76 ,  B81B7/007 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/036 ,  H02N1/006 ,  H04R19/005 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/09863

Abstract: 一种电容式微机械超声换能器(CMUT)装置100包括至少一个CMUT单元100a，其包括：单晶材料的第一衬底101，第一衬底101具有包括在其上的图形化介电层的顶侧，图形化介电层包括厚介电区域106和薄介电区域107；和延伸第一衬底的整个厚度的贯穿衬底通孔(TSV)111。TSV由单晶材料形成、并且由单晶材料中的隔离区域131电气隔离，而且位于第一衬底的顶侧接触区域102a下方。膜层120b接合到厚介电区域并且在薄介电区域上方，以在微机电系统(MEMS)腔体114上方提供可移动膜。金属层161在顶侧衬底接触区域上方并且在可移动膜上方，其包括顶侧衬底接触区域到可移动膜的耦合件。

公开(公告)号：CN105026905A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480010876.2

申请日：2014-02-27

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： I·O·伍感特 ,  P·B·约翰逊

IPC: G01L9/04

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/036 ,  H02N1/006 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/2468 ,  H03H9/2489 ,  H04R19/005 ,  Y10T29/49165

Abstract: 一种封装的容性MEMS传感器装置100包括具有至少一个容性MEMS传感器单元100a的至少一个容性MEMS传感器元件，所述容性MEMS传感器单元100a包括具有厚电介质区域106和薄电介质区域107的第一衬底101。具有膜层120的第二衬底键合到厚电介质区域并在薄电介质区域上方以提供MEMS空腔114。膜层在MEMS空腔上方提供固定电极120a和释放的MEMS电极120b。第一穿透衬底通孔(TSV)111延伸通过MEME电极的顶侧并且第二TSV 112通过固定电极的顶侧。金属盖件132在第一TSV和第二TSV的顶部上。包括内部空腔144和给内部空腔加框的外部突出部分146的第三衬底140键合到厚电介质区域。第三衬底与第一衬底一起密封MEMS电极。

公开(公告)号：CN102295263B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201110173720.4

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 乔治.A.邓巴三世 ,  杰弗里.C.马林 ,  威廉.J.莫菲 ,  安东尼.K.斯塔姆珀

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括形成下牺牲材料，用于形成下腔体。该方法还包括形成将下腔体连接到上腔体的腔体通孔。该腔体通孔形成有圆形或倒角边缘的俯视外形。该方法还包括在腔体通孔内及其上方形成上牺牲材料，其具有基于该腔体通孔的外形的生成表面。该上腔体形成有顶盖，该顶盖具有不妨碍MEMS梁的结构，包括：在上牺牲材料的生成表面上沉积顶盖材料；以及排出该上牺牲材料以形成上腔体，从而该顶盖材料形成与该上牺牲材料的生成表面保形的顶盖。

公开(公告)号：CN104418289A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410423786.8

申请日：2014-08-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S.巴尔岑 ,  A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R31/003 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/013 ,  H04R1/08 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003

Abstract: 公开了一种MEMS器件，包括背板电极以及被部署为与所述背板电极间隔开的隔膜。所述隔膜包括可移位部分和固定部分。布置所述背板电极和所述隔膜，以使得所述隔膜的所述固定部分与所述背板电极的重叠区域小于最大重叠。

公开(公告)号：CN104370272A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410599134.X

申请日：2014-10-30

Applicant: 无锡微奥科技有限公司

Inventor： 陈巧 ,  谢会开

IPC: B81C3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0037 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/013 ,  H01G5/16

Abstract: 本发明公开了一种MEMS自对准高低梳齿及其制造方法，属于MEMS技术领域。自对准高低梳齿包括一端固定在衬底上而另一端与活动梳齿或者固定梳齿连接的抬升结构，抬升结构在生长应力作用下产生垂直方向的位移带动其连接的活动梳齿或者固定梳齿移动。采用SOI硅片，SOI的正面单晶硅器件层即为MEMS结构的机械结构层，引入的抬升机构与梳齿对依次形成于机械结构层上，由同一步刻蚀工艺形成固定梳齿和活动梳齿，由抬升结构中的应力将固定梳齿与活动梳齿在垂直方向上产生一定位移，从而形成了自对准高低梳齿，相对于多层机构的MEMS省去了多次键合的工艺，简化了制造工艺，大大降低加工成本和加工难度，提高成品率。

公开(公告)号：CN104045050A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310359584.7

申请日：2013-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  郑钧文

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00238 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有各向同性腔的MEMS集成压力传感器及其制造方法，其中该方法实施例包括提供具有氧化物层、MEMS衬底、多晶硅层的MEMS晶圆。将包括使用各向同性蚀刻形成的第一腔的载体晶圆接合至MEMS，第一腔与多晶硅层暴露的第一部分对准。图案化MEMS衬底，并且去除部分牺牲氧化层以形成第一和第二MEMS结构。将包括第二腔的帽晶圆接合至MEMS晶圆，这种接合生成包括与第一MEMS结构对准的第二腔的第一密封腔，并且第二MEMS结构设置在多晶硅层的第二部分与帽晶圆之间。去除部分帽晶圆，以使第一腔用作第一MEMS结构的环境压力的通道。

公开(公告)号：CN103922269A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410019257.1

申请日：2014-01-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  H04R27/00

CPC classification number: B81C1/00325 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0198

Abstract: MEMS器件、MEMS器件的系统、制作MEMS器件的方法。一种MEMS器件、制作MEMS器件的方法和MEMS器件的系统被示出。在一个实施例中，MEMS器件包括第一聚合物层，设置在第一聚合物层上的MEMS衬底和由MEMS衬底支撑的MEMS结构。该MEMS器件进一步包括在MEMS衬底中设置的第一开口和在第一聚合物层中设置的第二开口。

公开(公告)号：CN102906871A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025549.0

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G.A.邓巴 ,  何忠祥 ,  J.C.马林 ,  W.J.墨菲 ,  A.K.斯坦珀

IPC: H01L23/48 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括：在衬底上形成下布线层。该方法还包括：自下布线层形成多个分离布线（14）。该方法还包括：在多个分离布线之上形成电极梁（38）。电极梁和多个分离布线的形成的至少之一形成有最小化后续硅沉积（50）中的小丘和三相点的布局。

公开(公告)号：CN102906011A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025557.5

申请日：2011-06-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.斯坦珀 ,  C.V.扬斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体的方法包括在下布线层之上形成第一牺牲腔体层。该方法还包括形成一层。该方法还包括在第一牺牲层之上形成第二牺牲腔体层并且该第二牺牲腔体层与该层接触。该方法还包括在第二牺牲腔体层上形成顶盖。该方法还包括在顶盖中形成至少一个排放孔，暴露第二牺牲腔体层的一部分。该方法还包括在排放或剥离第一牺牲腔体层之前，排放或剥离第二牺牲腔体层，使第二牺牲腔体层的顶表面不再接触顶盖的底表面，从而分别形成第一腔体和第二腔体。