公开(公告)号：CN104764558A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510004118.6

申请日：2015-01-06

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： C.斯图尔特 ,  R.戴维斯 ,  G.莫拉莱斯

IPC: G01L9/06 ,  G01L1/18

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0198 ,  B81C2203/0728 ,  G01L7/08 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0044 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0055

Abstract: 具有具凸起的膜片的压力传感器。一种具有膜片的压力传感器，膜片具有带有图案的凸起部。具有凸起部的膜片可被视为具凸起的膜片。具凸起的膜片可具有比具有与具凸起的膜片相同面积的平板膜片更高的灵敏度。具凸起的膜片可并入可在低压力下进一步改进膜片的压力响应的灵敏度和线性度的简单十字图案。凸起部和在膜片的周边周围的其腿的尖锐边缘和角的减少可减少高应力点并因而增加具凸起的膜片的破裂压力额定值。

公开(公告)号：CN104071741A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410123288.1

申请日：2014-03-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 吉泽隆彦

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03B5/30 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0764 ,  H01L21/76802 ,  H03B5/32

Abstract: 本发明提供一种电子装置及其制造方法、以及振荡器，本发明所涉及的电子装置包括：基板；基底层，其被形成在所述基板上且具有开口；功能元件，其被设置在所述基底层上；包围壁，其为形成对所述功能元件进行收纳的空腔的包围壁，并且至少一部分被配置于所述开口内。

公开(公告)号：CN103443020A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280005251.8

申请日：2012-01-13

Applicant: 卡文迪什动力有限公司

Inventor： 迈克·雷诺 ,  约瑟夫·达米安·戈登·拉西 ,  维克拉姆·乔希 ,  托马斯·L·麦圭尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00039 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714

Abstract: 本发明一般涉及生产MEMS或NEMS器件的方法及器件本身。具有比悬臂结构体低的复合系数的材料的薄层可沉积于悬臂结构体、RF电极和拉拔电极上。该薄层允许引入至空腔的蚀刻气体降低空腔内的总蚀刻剂复合速率，因此增加空腔内牺牲材料的蚀刻速率。蚀刻剂本身可经由与悬臂结构体的锚定部分线性对准的包封层中的开口引入，使得牺牲材料的最顶层首先得以蚀刻。此后，密封材料可密封空腔并在空腔中一直延伸至锚定部分以为锚定部分提供额外的强度。

公开(公告)号：CN103420321A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310176308.7

申请日：2013-05-14

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·弗兰克 ,  P·韦尔纳 ,  L·特布耶

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0075 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00674 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0109

Abstract: 本发明涉及混合集成的构件和用于其制造的方法。本发明提出一种措施，通过该措施明显提高在实现构件（100）的MEMS结构元件（10）的微机械结构时的设计自由度，所述构件包括用于MEMS结构元件（10）的载体（20）和用于MEMS结构元件（10）的微机械结构的盖（30），其中，所述MEMS结构元件（10）通过托脚结构（21）装配在载体（20）上。根据本发明，所述MEMS结构元件（10）以层结构的形式实现并且所述MEMS结构元件（10）的微机械结构（11）延伸经过该层结构的至少两个功能层（3，5），所述至少两个功能层通过至少一个中间层（4）相互分开。

公开(公告)号：CN101341590B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200680047950.3

申请日：2006-12-18

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 简·桑斯基 ,  韦伯·D·范诺尔特

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76229 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/014

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，其中采用分层结构来提供钻蚀结构，所述分层结构包括牺牲层，该牺牲层被夹在两个刻蚀停止层(8，11)之间，并且将半导体薄膜(9)从体衬底(1)分开。在分层结构中形成了穿过半导体层(9)厚度和穿过上刻蚀停止层(8)的访问沟槽(4)和支撑沟槽(5)。支撑沟槽在牺牲层(12)和下刻蚀停止层中延伸得更深，并且被填充。牺牲层被暴露并且通过对刻蚀停止层具有选择性的刻蚀被刻蚀掉，以形成空腔(30)，并且牺牲层实现了经由包括填充的支撑沟槽的垂直支撑结构而被附着在体衬底上的半导体薄膜。

公开(公告)号：CN100567581C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN03816039.0

申请日：2003-05-07

Applicant: 微制造公司

Inventor： A·L·科恩 ,  M·S·洛卡德 ,  D·S·麦克弗森

IPC: C25D1/00 ,  H01P1/202 ,  H01P3/06 ,  H01P11/00

CPC classification number: B81C1/00126 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/014 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1651 ,  C25D1/003 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01P1/202 ,  H01P3/06 ,  H01P5/183 ,  H01P11/00 ,  H01P11/005 ,  H05K3/4647

Abstract: 多层结构是由至少一种结构材料(例如，铜)和至少一种牺牲材料(例如，铜)电化学制造而成的，该至少一种结构材料构造为定义所期望的结构，且粘结到衬底上，该至少一种牺牲材料包围该所期望的结构。在形成该结构之后，通过多阶段蚀刻操作去除牺牲材料。在一些实施例中，要被去除的牺牲材料可以位于通道等中，或位于衬底上或位于附加的部件中。多阶段蚀刻操作可被清洁操作或屏障材料去除操作等分离开。通过与结构材料或衬底相接触可适当地固定多个屏障，或通过牺牲材料适当地单独固定它们，因此在去除了所有剩余的牺牲材料之后能自由地去除它们。

公开(公告)号：CN1977362A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200580021792.X

申请日：2005-06-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森川泰宏 ,  林俊雄 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/014 ,  H01J37/3255 ,  H01J2237/334

Abstract: 一种适用于产生对于掩膜的高选择性、出色的各向异性外形和大的蚀刻深度的蚀刻方法和蚀刻系统。依据本发明的蚀刻系统包括：设置成对着真空室内的基片电极并且在电势方面保持浮动状态的浮动电极，设置在该浮动电极面对着基片电极的一侧上的用来形成抗蚀刻膜的材料，以及用于间歇地对该浮动电极施加高频功率的控制单元。依据本发明的蚀刻方法使用设置在浮动电极对着基片电极一侧上的用来形成做为靶的抗蚀刻膜的材料，并且只把稀有气体作为主气体，该方法适用于按预定顺序重复地进行借助于对该浮动电极施加高频功率通过溅射在基片上形成膜的步骤，以及接着随后的通过暂停对该浮动电极施加高频功率并把蚀刻气体引入到真空室中而蚀刻基片的步骤。

公开(公告)号：EP3174825A1

公开(公告)日：2017-06-07

申请号：EP15739302.6

申请日：2015-07-24

Applicant: ams International AG

Inventor： BESLING, Willem Frederik Adrianus ,  PIJNENBURG, Remco Henricus Wilhelmus ,  VAN DER AVOORT, Casper ,  OLDSEN, Marten ,  GOOSSENS, Martijn

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/014 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/0073 ,  G01L9/12 ,  H01L29/84

Abstract: Embodiments of a method for forming a suspended membrane include depositing a first electrically conductive material above a sacrificial layer and within a boundary trench. The first electrically conductive material forms a corner transition portion above the boundary trench. The method further includes removing a portion of the first electrically conductive material that removes at least a portion of uneven topography of the first electrically conductive material. The method further includes depositing a second electrically conductive material. The second electrically conductive material extends beyond the boundary trench. The method further includes removing the sacrificial layer through etch openings and forming a cavity below the second electrically conductive material. The first electrically conductive material defines a portion of a sidewall boundary of the cavity.

Abstract translation: 用于形成悬浮膜的方法的实施例包括在牺牲层上方和边界沟槽内沉积第一导电材料。 第一导电材料在边界沟槽上方形成拐角过渡部分。 该方法还包括去除去除第一导电材料的不平坦形貌的至少一部分的第一导电材料的一部分。 该方法还包括沉积第二导电材料。 第二导电材料延伸超过边界沟槽。 该方法还包括通过蚀刻开口去除牺牲层并在第二导电材料下方形成空腔。 第一导电材料限定了空腔的侧壁边界的一部分。

公开(公告)号：EP2138454A1

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：EP09290474.7

申请日：2009-06-22

Applicant: Commissariat à l'Energie Atomique

Inventor： Perruchot, François ,  Diem, Bernard ,  Larrey, Vincent ,  Clavelier, Laurent ,  Defay, Emmanuel

IPC: B81C1/00 ,  H03H3/007

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014

Abstract: L'Invention se rapporte à un procédé de réalisation d'un composant à partir d'un substrat hétérogène comportant une première et une deuxième parties en au moins un matériau monocristallin, et une couche sacrificielle constituée par au moins un empilement d'au moins une couche de Si monocristallin située entre deux couches de SiGe monocristallin, cet empilement étant disposé entre lesdites première et deuxième partie en matériau monocristallin, caractérisé en ce qu'il consiste à graver ledit empilement en réalisant :
e) au moins une ouverture (20) dans la première et/ou la deuxième parties et la première et/ou la deuxième couche de SiGe de façon à déboucher sur la couche de Si,
f) une élimination de toute ou partie de la couche de Si.

Abstract translation: 基板具有由位于单晶硅 - 锗层之间的单晶硅层（3）的叠层构成的牺牲层。 堆栈是位于两个单晶部分之间。 一个单晶的部分之一是含有一个硅 - 锗材料的外延相容。 另一单晶硅部分是硅，钛酸锶/锆钛酸铅，或锶/钌酸锶/锆钛酸铅中选择。 因此独立权利要求中包括了以下内容：为了实现异质衬底（2）的方法，用于从异质衬底实现一个部件（1）的方法。

公开(公告)号：EP2121515A2

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：EP08734374.5

申请日：2008-03-13

Applicant: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung e.V.

Inventor： MERZ, Peter ,  REIMER, Klaus ,  SENGER, Frank

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81C2201/014

Abstract: The invention relates to a method for producing a micromechanical component comprising at least one self-supporting structure. According to said method a conductor track plane (11) and a sacrificial layer (4) consisting of an electrically non-conductive material are applied to a substrate (2) in such a way that the conductor track plane (11) lies between the substrate (2) and the sacrificial layer (4) or inside the sacrificial layer (4), and a layer (3) that forms the self-supporting structure is deposited on the sacrificial layer (4), the latter (4) being partially removed by etching in order to complete the self-supporting structure. An electrically conductive protective layer (15) is embedded in the sacrificial layer (4) above a region on the conductor plane (11) that is to be protected, said protective layer acting as an etching barrier during the etching process for the removal of the sacrificial layer (4). The protective layer (15) is removed again in a subsequent process, leaving a thin sacrificial layer (17) as a passivation layer lying below on the conductor tracks. The method permits sensitive areas of the conductor track plane to be protected and can be simply achieved with existing surface micromechanical processes.