公开(公告)号：WO2014119520A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：PCT/JP2014/051703

申请日：2014-01-27

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 山口　洋志 ,  中山　肇 ,  荻野　晴夫 ,  栗原　清一

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H01P5/085 ,  H01P3/06 ,  H01P3/08 ,  H01P11/003 ,  H01P11/005 ,  H05K1/0237 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09581 ,  H05K2201/09809 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2201/10356 ,  Y10T29/49167

Abstract: 信号線と絶縁被覆と外周導体とを有する同軸ワイヤが内層に配置され、この同軸ワイヤよりも内層側又は外層側に絶縁層が配置され、この絶縁層を介して金属膜回路が配置され、この金属膜回路と前記同軸ワイヤの外周導体及び信号線とが接続される多層配線板であって、前記同軸ワイヤの信号線と金属膜回路とを接続する信号線接続部が、前記絶縁層及び同軸ワイヤの外周導体を貫通する貫通孔Ａと、この貫通孔Ａ内に、前記外周導体を除去された同軸ワイヤと、前記貫通孔Ａ内に充填される孔埋め樹脂と、この孔埋め樹脂及び前記同軸ワイヤの信号線を貫通する貫通孔Ｂと、この貫通孔Ｂの内壁に配置されるめっき層と、を備える多層配線板及びその製造方法。

Abstract translation: 提供了一种多层布线板，其中具有信号线，绝缘涂层和外周导体的同轴线位于内层中，绝缘层位于内层侧或进一步朝外侧 该金属膜电路被插入该绝缘层，并且该金属膜电路与外周导体和同轴线的信号线连接，其中多层电路基板包括：通孔（ A）其中连接同轴线的信号线和金属膜电路的信号线连接部分穿过同轴线的绝缘层和外周导体; 一个同轴线，其中外周导体在这些通孔（A）内被去除; 插入通孔（A）的内部的插塞树脂; 通过该插头树脂和同轴线的信号线通过的通孔（B）通过; 以及位于这些通孔（B）的内壁上的镀层。 还提供了一种制造多层布线板的方法。

公开(公告)号：WO2013150940A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：PCT/JP2013/059051

申请日：2013-03-27

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 高橋　晋太郎

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/32 ,  H05K1/11 ,  H05K3/40

CPC classification number: H01L23/15 ,  H01L23/49827 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/115 ,  H05K3/386 ,  H05K3/422 ,  H05K2201/09581 ,  H01L2924/00

Abstract: 　第１および第２の表面を有し、前記第１の表面から前記第２の表面まで貫通した複数の貫通孔を有するガラス基板と、該ガラス基板の前記第１の表面から前記第２の表面まで電気的に接続された金属層と、を有する貫通電極付きガラス基板であって、前記金属層は、前記貫通孔の側壁側に配置された第１の部分を有し、該第１の部分と前記貫通孔の前記側壁の間には、樹脂層が配置されていることを特徴とする貫通電極付きガラス基板。

Abstract translation: 一种具有贯通电极的玻璃基板，包括：玻璃基板，其具有第一表面和第二表面;以及多个通孔，从所述第一表面穿透到所述第二表面; 以及从玻璃基板的第一面到第二面电连接的金属层。 具有贯通电极的玻璃基板的特征在于：金属层具有设置在贯通孔的侧面的第一部分， 并且树脂层布置在通孔的第一部分和侧表面之间。

公开(公告)号：WO2011118572A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/JP2011/056817

申请日：2011-03-22

Applicant: 日本電気株式会社 ,  山道 新太郎 ,  菊池 克 ,  中島 嘉樹 ,  森 健太郎

Inventor： 山道　新太郎 ,  菊池　克 ,  中島　嘉樹 ,  森　健太郎

IPC: H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/66 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/4605 ,  H05K2201/09581 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1469 ,  H01L2924/00

Abstract: 　複数の配線層と絶縁層からなる多層配線構造に半導体素子を内蔵してなる半導体装置の製造方法において、所望の薄化するとともに、厚さ方向に貫通する複数の貫通ビアを形成してなるシリコン支持体の上に半導体素子を搭載し、その半導体素子を内蔵するように絶縁層を形成し、シリコン支持体の両面側に複数の配線層を形成して半導体素子と接続する。これにより、製造時に半導体素子近傍に発生する反りを抑制し、半導体装置全体の反りプロファイルを改善する。また、半導体素子が無駄になるのを防ぎ、歩留まりを改善し、薄型で高密度実装の半導体装置を製造することができる。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件的制造方法，其中半导体元件结合在由多个布线层和多​​个绝缘层构成的多层布线结构中。 半导体元件安装在硅支撑体上，该硅支撑体通过将厚度减小到期望的厚度并形成穿过厚度方向的多个通孔而形成，绝缘层形成为结合半导体元件， 布线层形成在硅支撑体的两侧，并且布线层与半导体元件连接，从而抑制半导体器件制造时靠近半导体元件产生的翘曲，并且改善整体的翘曲轮廓 半导体器件。 此外，防止了半导体元件的浪费，提高了产量，并且制造了薄型和高密度半导体器件。

公开(公告)号：WO03019651A3

公开(公告)日：2003-05-22

申请号：PCT/US0227013

申请日：2002-08-23

Applicant: MCNC ,  PALMER WILLIAM DEVEREUX ,  BONAFEDE SALVATORE ,  TEMPLE DOROTA ,  STONER BRIAN R

Inventor： PALMER WILLIAM DEVEREUX ,  BONAFEDE SALVATORE ,  TEMPLE DOROTA ,  STONER BRIAN R

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01S5/02 ,  H01S5/042 ,  H01S5/42 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00

CPC classification number: H05K3/0055 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01S5/02 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/042 ,  H01S5/423 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09581 ,  H01L2924/014

Abstract: An improved through-via vertical interconnect, through-via heat sinks and associated fabrication techniques are provided for. The devices benefit from an organic dielectric layer 18 that allows for low-temperature deposition processing. The low-temperature processing used to form the through-via interconnects and heat sinks allows for the formation of the interconnects and heat sinks at any point in the fabrication of the semiconductor device, including post-formation of active devices and associated circuitry. The through-via vertical interconnects of the present invention are fabricated so as to insure conformal thickness of the various layers that form the interconnect constructs. As such, the interconnects can be formed with a high aspect ratio, in the range of about 4:1 to about 10:1, substrate thickness to interconnect diameter.

Abstract translation: 提供改进的通孔垂直互连，通孔散热器和相关的制造技术。 这些器件受益于允许低温沉积处理的有机介电层18。 用于形成通孔互连和散热器的低温处理允许在半导体器件的制造中的任何点处形成互连和散热器，包括有源器件和相关电路的形成。 制造本发明的通孔垂直互连件以确保形成互连结构的各种层的适形厚度。 因此，互连可以以约4:1至约10:1的高纵横比形成，使基板厚度互连直径。

公开(公告)号：WO1998002023A1

公开(公告)日：1998-01-15

申请号：PCT/SE1997001189

申请日：1997-07-01

Applicant: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ)

Inventor： TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) ,  BERGSTEDT, Leif

IPC: H05K03/34

CPC classification number: H05K3/0094 ,  H05K1/0237 ,  H05K1/113 ,  H05K3/0082 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/09581 ,  H05K2203/0759

Abstract: The present invention relates to a solder stop in through-plated through-holes in micro strip boards (8). A solder resist lacquer (18) with a certain viscosity is applied on a micro strip board (8) wherein the solder resist lacquer (18) flows out over the micro strip board (8) and down into a number of through-holes (14) before the solder resist lacquer is dried. A mask is placed over the dried solder resist lacquer (18), whereby transparent center surfaces on the mask are centered over respective openings in the through-holes (14). The micro strip board (8) is exposed to UV-light so that certain parts of the solder resist lacquer (18) on the micro strip board (8) and in the through-holes (14) are reached by the UV-light, whereby the exposed parts of the solder resist lacquer (18) can cure a first time. The micro strip board (8) is cleaned so that the parts of the solder resist lacquer (18) which have not cured are removed from the micro strip board (8). The micro strip board (8) is then placed in a heat oven, whereby the solder resist lacquer is cured completely by the heat in the oven a last time. The remaining completely cured solder resist lacquer has in this way formed a solder stop (61) in the respective through-hole (14).

Abstract translation: 本发明涉及微带板（8）中的通孔中的焊料停止。 具有一定粘度的阻焊漆（18）被施加在微带板（8）上，其中阻焊漆（18）流出微带板（8）并且向下流入许多通孔（14） ）在阻焊漆干燥之前。 将掩模放置在干燥的阻焊漆（18）上，由此掩模上的透明中心表面在通孔（14）中的相应开口上居中。 微带板（8）暴露于紫外光，使得微带板（8）上的阻焊漆（18）和通孔（14）中的某些部分被UV光抵达， 由此阻焊漆（18）的暴露部分可以第一次固化。 对微带板（8）进行清洁，使得从微板（8）去除未固化的阻焊漆（18）的部分。 然后将微带板（8）放置在热烘箱中，由此最后一次通过烘箱中的热量完全固化阻焊漆。 剩余的完全固化的阻焊漆以这种方式在相应的通孔（14）中形成了一个焊料停止（61）。

公开(公告)号：WO1996039012A1

公开(公告)日：1996-12-05

申请号：PCT/US1996008223

申请日：1996-05-31

Applicant: THE WHITAKER CORPORATION

Inventor： THE WHITAKER CORPORATION ,  DOYLE, Scott, B.

IPC: H05K01/18

CPC classification number: H05K1/18 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/4823 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0243 ,  H05K1/0272 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/3447 ,  H05K2201/09581 ,  H05K2201/09809 ,  H05K2201/10689 ,  H05K2201/10969 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399

Abstract: An electrical connection between a transmission line and an integrated circuit package comprises, a circuit board (12) on which are mounted a transmission line (28, 402, 202, 503, 505) and an integrated circuit package (10), a projecting portion of a pin (14, 14A, 14B) projecting from an integrated circuit package (10), a transmission line feed (32, 404) that further comprises a waveguide cavity (204, 504, 506) connected to the pin (14, 14A, 14B) and a dielectric material (106) surrounding the pin (14, 14A, 14B), the dielectric material being between the pin and a ground feed (92, 412, 414, 208, 508, 510) of the transmission line (28, 402, 202, 503, 505).

Abstract translation: 传输线和集成电路封装之间的电连接包括：电路板（12），其上安装有传输线（28,402,202,503,505）和集成电路封装（10），突出部分 从集成电路封装（10）突出的引脚（14,14A，14B），还包括连接到所述引脚（14,14A）的波导腔（204,504,506）的传输线馈送（32,404） ，14B）和围绕所述销（14,14A，14B）的电介质材料（106），所述电介质材料位于所述引脚和所述传输线的接地馈电（92,412,414,208,508,510）之间 28，402，202，503，505）。

公开(公告)号：KR1020150136030A

公开(公告)日：2015-12-04

申请号：KR1020150073224

申请日：2015-05-26

Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨

Inventor： 코즈크줄리아 ,  니아짐베토바주흐라아이. ,  밀럼크리스텐엠.

IPC: C08F283/12 ,  C08G65/26 ,  H05K3/18

CPC classification number: C23C18/31 ,  C08G77/388 ,  C08L83/08 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  C23C18/18 ,  G03F7/0751 ,  H05K1/03 ,  H05K3/181 ,  H05K3/422 ,  H05K3/427 ,  H05K2201/09581

Abstract: 디글리시딜에테르종결폴리실록산화합물과비방향족폴리아민의코폴리머는무전해금속도금용유전체물질의제조에사용된다. 이코폴리머는무전해금속화전에관통홀(through-hole)의세정및 컨디셔닝에서와같이인쇄회로기판의제조시에사용될수 있다.

Abstract translation: 在制造用于电镀化学金属的电介质材料中使用二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和非芳族多胺的共聚物。 共聚物用于制造印刷电路板，例如在化学镀金属化之前清洁和调节通孔。

公开(公告)号：KR1020040060919A

公开(公告)日：2004-07-06

申请号：KR1020047002596

申请日：2002-08-23

Applicant: 리써치트라이앵글인스티튜트

Inventor： 팔머윌리엄데버룩스 ,  보나페드살바토르 ,  템플도로타 ,  스토너브라이언알.

IPC: H05K1/11 ,  H05K3/46 ,  H01L21/768

CPC classification number: H05K3/0055 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01S5/02 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/042 ,  H01S5/423 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09581 ,  H01L2924/014

Abstract: 개선된 관통 바이어형 수직 상호접속부, 관통 바이어형 열 싱크 및 이와 관련된 제작 기술이 제공된다. 이러한 장치들은 저온 증착 처리를 가능하게 하는 유기 유전층으로부터 이점을 얻는다. 관통 바이어형 상호접속부 및 열 싱크를 형성하기 위해 사용되는 저온 처리는 능동 소자 및 이와 관련된 회로 소자의 형성 이후를 포함하여, 반도체 장치의 제작의 임의의 시점에서 상호접속부 및 열 싱크의 형성을 가능하게 한다. 본 발명의 관통 바이어형 수직 상호접속부는 상호접속부 구성을 형성하는 다양한 층의 균일한 두께를 보장하도록 제작된다. 이에 따라, 상호접속부는 기판 두께 대 상호접속부 직경이 약 4:1 내지 약 10:1의 높은 종횡비를 갖도록 형성된다.

公开(公告)号：KR1019970004024B1

公开(公告)日：1997-03-24

申请号：KR1019900001687

申请日：1990-02-12

Applicant: 가부시끼가이샤오오꾸세이사꾸쇼

Inventor： 와다누끼미노루

IPC: H05K3/06

CPC classification number: H05K3/0082 ,  G03F7/2022 ,  H05K3/0094 ,  H05K2201/09581 ,  H05K2203/135

Abstract: 요약 없음

公开(公告)号：WO2015055480A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：PCT/EP2014/071560

申请日：2014-10-08

Applicant: AMS AG

Inventor： KRAFT, Jochen ,  ROHRACHER, Karl ,  TEVA, Jordi

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/43 ,  H05K1/02 ,  H05K3/46 ,  H01L23/48

CPC classification number: G02B6/4283 ,  G02B6/12002 ,  G02B6/13 ,  G02B6/4274 ,  G02B6/428 ,  G02B6/43 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12123 ,  G02B2006/12147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L31/16 ,  H01L2224/16225 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/115 ,  H05K1/116 ,  H05K1/181 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4605 ,  H05K2201/0939 ,  H05K2201/09518 ,  H05K2201/09581 ,  H05K2201/10174

Abstract: The method comprises providing a semiconductor substrate (1), which has a main surface (12) and an opposite further main surface (13), arranging a contact pad (19) above the further main surface, forming a through-substrate via (4) from the main surface to the further main surface at a distance from the contact pad and, by the same method step together with the through-substrate via, forming a further through- substrate via (14) above the contact pad, arranging a hollow metal via layer (5) in the through-substrate via and, by the same method step together with the metal via layer, arranging a further metal via layer (15) in the further through- substrate via, the further metal via layer contacting the contact pad, and removing a bottom portion of the metal via layer to form an optical via laterally surrounded by the metal via layer.

Abstract translation: 该方法包括提供具有主表面（12）和相对的另外的主表面（13）的半导体衬底（1），在另一主表面上方布置接触焊盘（19），通过（4） ）从主表面到另一个主表面，距离接触焊盘一定距离，并且通过与通孔基板通孔相同的方法步骤，在接触焊盘上方通过（14）形成另外的通孔基板， 金属通孔层（5），并且通过与金属通孔层一起的相同方法步骤，在另外的通孔中经由另外的金属通孔层（15），将另外的金属通孔层 接触垫，并且去除金属通孔层的底部以形成由金属通孔层横向包围的光学通孔。