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公开(公告)号：KR101663638B1
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020140150213
申请日：2014-10-31
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 분리된흡수층및 증폭층(separate absorption and multiplication)을갖는애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑된흡수층의조합으로변형형성되고, 상기도핑된흡수층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지는도핑층으로이루어진것을특징으로하는변형된도핑흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 기존의흡수층에도핑층을추가하여변형된도핑흡수층을형성하여, 주파수특성을유지하면서효율은증가시키는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101642506B1
公开(公告)日：2016-07-26
申请号：KR1020140184731
申请日：2014-12-19
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 본발명은반사광을이용한집광형태양전지모듈에관한것으로서, 태양광을집광하는광학시스템과, 상기광학시스템에의해집광된태양광이입사되는태양전지셀을포함하여구성되어, 태양광발전을일으키는태양전지모듈에있어서, 내부에반사공간이형성되고, 내측면에복수개의태양전지셀이장착되는케이스와, 상기케이스의일측이오픈형성되어, 상기광학시스템에의해집광된태양광이상기케이스내부로입사되도록형성된광입사부와, 상기케이스의내부저면부에형성되어, 상기광입사부에의해입사된태양광을상기반사공간으로반사시키도록형성된반사부및 상기케이스의내부표면에형성되어, 상기반사부에의해반사광을확산반사시켜태양전지셀에제공하는확산반사부를포함하여구성되는것을특징으로하는반사광을이용한집광형태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해단일광학시스템외에별도의광학시스템이필요하지않으며, 트래킹시스템의오차에의해초점이어긋나는경우에도입사하는태양광을반사시켜태양전지셀로제공하도록하며, 다수의태양전지셀을단일모듈로제공하여장치의구성이간단하고, 설치가편리한이점이있다.
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63.发明公开
公开(公告)号：KR1020160084966A
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020150001431
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/0047
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체및 그제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는도즈보다낮고임계경화되는도즈보다높은도즈로광경화를수행하는메타-광경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-광경화임프린팅공정과완전경화포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법및 그에의해제조된금속산화물복합구조체를기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의도즈에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
Abstract translation: 金属氧化物复合结构及其制备方法技术领域本发明涉及金属氧化物复合结构体及其制备方法，更具体地说，涉及通过间光光固化印刷法和光刻法制备金属氧化物复合结构体的方法和由其制备的金属氧化物复合结构体。 根据本发明，该方法包括：在晶片或薄膜的顶部形成光敏金属 - 有机材料前体层的步骤; 光固化印刷步骤，其中光固化在低于完全固化光敏金属 - 有机材料前体层并且高于其固化所需的临界剂量的剂量下的剂量下进行，并且使用具有第一图案的印记印模 以向感光金属 - 有机材料前体层施加压力; 从感光金属 - 有机材料前体层去除印记印模的步骤; 完全固化光刻步骤，其中将具有第二图案的光掩模放置在上述图案化的感光金属 - 有机材料前体层上，然后以足够高的剂量进行UV辐射或加热以诱导完全固化，以产生金属氧化物 薄膜图案层; 以及将上述固化的金属氧化物薄膜图案层显影以产生具有第一和第二图案的金属氧化物复合结构的步骤。 根据本发明，可以容易地制备具有两种不同图案的金属氧化物结构，通过以不引起完全固化的剂量进行压印加工，随后进行完全固化，可以简化和降低工艺和成本 通过光刻工艺，并且通过执行除了蚀刻工艺之外的中间固化工艺以减少蚀刻工艺的数量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160075968A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：KR1020140184731
申请日：2014-12-19
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은반사광을이용한집광형태양전지모듈에관한것으로서, 태양광을집광하는광학시스템과, 상기광학시스템에의해집광된태양광이입사되는태양전지셀을포함하여구성되어, 태양광발전을일으키는태양전지모듈에있어서, 내부에반사공간이형성되고, 내측면에복수개의태양전지셀이장착되는케이스와, 상기케이스의일측이오픈형성되어, 상기광학시스템에의해집광된태양광이상기케이스내부로입사되도록형성된광입사부와, 상기케이스의내부저면부에형성되어, 상기광입사부에의해입사된태양광을상기반사공간으로반사시키도록형성된반사부및 상기케이스의내부표면에형성되어, 상기반사부에의해반사광을확산반사시켜태양전지셀에제공하는확산반사부를포함하여구성되는것을특징으로하는반사광을이용한집광형태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해단일광학시스템외에별도의광학시스템이필요하지않으며, 트래킹시스템의오차에의해초점이어긋나는경우에도입사하는태양광을반사시켜태양전지셀로제공하도록하며, 다수의태양전지셀을단일모듈로제공하여장치의구성이간단하고, 설치가편리한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用包含收集太阳光的光学系统和由光学系统收集的太阳光入射的太阳能电池单元的反射光的集光太阳能电池模块，其包括：形成有反射空间的壳体 并且允许多个太阳能电池单元安装在其内表面上; 光入射部分，通过打开壳体的一侧并允许由光学系统收集的阳光入射到壳体的内部; 反射部分形成在壳体内的下表面部分上，并且允许入射部分的入射太阳光反射到反射空间; 以及形成在壳体的内表面上的扩散和反射部分，并且漫射和反射由反射部分反射的光，以向太阳能电池单元提供漫射和反射的光。 根据本发明，不需要除了单一光学系统之外的任何额外的光学系统，并且即使由于跟踪系统的误差而导致误聚焦的情况下，入射的太阳光也可被反射并提供给太阳能电池单元 。 此外，由于多个太阳能电池单元被提供为单个模块，因此简化了设备配置并且其安装容易。
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公开(公告)号：KR1020160053179A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140150214
申请日：2014-10-31
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/03044 , H01L31/03046 , H01L31/03529
Abstract: 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 분리된흡수층및 증폭층(separate absorption and multiplication)을갖는애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑및 조성변화층의조합으로이루어지되, 상기도핑및 조성변화층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지면서, 상기화합물반도체의조성을기판에대해 10% 오차범위내에서의격자부정합또는정합이유지되도록변형하여형성되는것을특징으로하는변형된도핑및 조성흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 도핑이되어있으면서조성변화가이루어진도핑및 조성변화층은소수캐리어의에너지밴드를가변함으로써전계를인가하여캐리어이동을돕게되어, 캐리어가증폭층으로도달하는속도를가속할수 있도록하여, 효율특성및 응답속도를더욱개선시키는이점이있다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种使用调制掺杂和组合物吸收层的雪崩光电二极管，以通过将掺杂和组成改性层添加到吸收层来保持频率特性并提高效率。 为了实现该目的，雪崩光电二极管包括分离的吸收层和放大层。 吸收层通过组合形成电子场的吸收层与组合物改性层而形成。 掺杂和组成改性层形成在其中形成电子场的吸收层和非吸收层之间。 掺杂和组成改性层具有比形成电子场的吸收层的掺杂浓度更高的掺杂浓度。 修改化合物半导体的组成以在基板的±10％的误差范围内维持晶格不整合或一致性。 因此，通过改变小载体的能带，施加掺杂的掺杂和其中组成改变的组成改性层有助于载流子的移动，并且更好地提高了效率特性和响应速度 通过增加使载波到达修改层的速度。
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公开(公告)号：KR101587430B1
公开(公告)日：2016-01-22
申请号：KR1020140174002
申请日：2014-12-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본발명은실리콘기판상에고품위의반도체소자를형성하는방법에관한것으로서, 실리콘(001) 기판상에패터닝공정을통해실리콘(001)면이노출되도록절연물에의한 ART(Aspect Ratio Trapping)패턴을형성하는제1단계와, 상기 ART패턴하부에습식식각을통해실리콘(111)면이노출되도록 AART(Arrow Aspect Ratio Trapping) 패턴을형성하는제2단계와, 상기절연물하측에실리콘(111)면의노출이진행됨에따른절연물과실리콘계면상에언더컷을형성하는제3단계및 상기 ART패턴영역과 AART패턴영역상측으로반도체층을성장시키는제4단계를포함하여이루어진것을특징으로하는실리콘(001) 기판상에반도체에피층성장방법을기술적요지로한다. 이에의해, 실리콘기판상에실리콘(111)면이노출된화살표형태의트랩핑패턴을형성하여, 실리콘과반도체층간의계면에서발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는(defect free) 반도체소자를제공할수 있으며, 결함이없는(defect free) 에피층을더욱낮은두께에서얻을수 있어소자의제조가용이한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种在硅衬底上形成高级半导体器件的方法。 在硅（001）衬底上的半导体外延层生长方法包括：通过绝缘材料形成纵横比捕获（ART）图案的第一步骤，以通过图案化在硅（001）衬底上暴露硅（001）侧 处理; 形成箭头纵横比捕获（AART）图案以通过湿蚀刻暴露在ART图案的下侧上的硅（111）侧的第二步骤; 在绝缘材料的下侧的硅（111）侧的曝光进行时，在绝缘材料和硅之间的界面上形成底切的第三步骤; 以及在ART图案区域和AART图案区域的上侧生长半导体层的第四步骤。 因此，可以通过形成箭头形状的捕获图案来提供无缺陷的半导体器件，其中硅（111）侧暴露在硅衬底上并捕获在硅和半导体层之间的界面中产生的穿透电位，以及 可以容易地制造器件，因为可以获得厚度较薄的无缺陷外延层。
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公开(公告)号：KR101581437B1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：KR1020130161605
申请日：2013-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위한압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계를포함하여구성되는것을특징으로하는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체의형성방법을기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101547535B1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：KR1020140174005
申请日：2014-12-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/20 , H01L27/12 , H01L21/306
CPC classification number: H01L27/1203
Abstract: 본 발명은 SOI 기판 상에 다종의 반도체 에피층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, SOI(상부 실리콘층/절연물/하부 실리콘층) 기판 상에 반도체 에피층을 성장하는 방법에 있어서, SOI(001) 기판 상에 에피 성장이 필요한 부위의 패터닝 공정을 통한 상부 실리콘층을 제거하는 제1단계와, 상기 상부 실리콘층을 제거하고 그 상층에 보호막을 증착하는 제2단계와, 에피 성장이 필요한 부위의 패터닝 공정을 통해 하부 실리콘층의 일부 영역이 노출되는 ART(Aspect Ratio Trapping)패턴을 형성하는 제3단계와, 상기 ART패턴 하부에 습식 식각을 통해 하부 실리콘층의 (111)면이 노출되도록 AART(Arrow Aspect Ratio Trapping) 패턴을 형성하는 제4단계와, 상기 절연물 하측에 상기 하부 실리콘층의 (111)면의 노출이 진행됨에 따른 절연물과 하부 실리콘층과의 계면 상에 언더컷을 형성하는 제5단계 및 상기 ART패턴 영역과 AART패턴 영역 상측으로 반도체층을 성장시키는 제6단계를 포함하여 이루어지되, 상기 ART패턴 영역과 AART 패턴 영역 그리고 상기 상부 실리콘층 전면에 마스킹 절연막을 형성하고, 상기 ART패턴과 AART패턴 영역 외의 상기 실리콘 기판 상에 상기 제1단계 내지 제6단계를 반복수행하여 다종의 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 다종의 반도체 에피층 성장방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해, SOI 기판 상에 실리콘(111)면이 노출된 화살표 형태의 트랩핑 패턴을 형성하여, 실리콘과 반도체층 간의 계면에서 발생하는 관통전위를 트랩시켜 결함이 없는(defect free) 반도체 소자를 제공할 수 있으며, 결함이 없는(defect free) 에피층을 더욱 낮은 두께에서 얻을 수 있어 소자의 제조가 용이하고, 이를 반복적으로 수행함으로써 동일한 SOI 기판 상에서 결함이 없는 다종의 반도체 에핑층을 용이하게 얻을 수 있는 이점이 있다.
Abstract translation: 本发明涉及在SOI衬底上形成各种半导体外延层的方法。 根据本发明的在SOI衬底上制造各种半导体外延层的方法包括去除顶部硅层的第一步骤，沉积保护层的第二步骤，形成纵横比捕获（ART）的第三步骤 ）图案，形成箭头纵横比捕获（AART）图案的第四步骤，形成底切的第五步骤以及在ART图案和AART图案的上侧上生长半导体层的第六步骤。 本发明容易获得在SOI衬底上没有缺陷的各种半导体外延层。
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