公开(公告)号：KR1020100124807A

公开(公告)日：2010-11-29

申请号：KR1020107022362

申请日：2009-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  고미아츠시 ,  조멘미호

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 상에서 구리 응집을 제어하고 집적 회로 내의 오목부를 공극 없이 벌크 구리 금속으로 충전하기 위한 방법을 제공한다. 일 실시형태에 있어서, 본 방법은 적어도 측벽면과 바닥면을 포함하는 하나 이상의 오목부 및 상면을 포함하는 토포그래피를 갖는 기판을 제공하는 단계와, 그 기판 토포그래피 상에 장벽막을 증착하는 단계와, 상기 장벽막 상에 금속을 함유한 습윤막을 증착하는 단계를 포함한다. 본 방법은 금속 함유 습윤막 상에 구리 금속을 증착하는 단계를 더 포함하고, 기판 온도는 금속 함유 습윤막 상에 매끄러운 구리 금속 시드층을 형성하기에 충분히 높다. 하나 이상의 오목부에는 공극 없는 벌크 구리 금속이 도금된다.

公开(公告)号：KR1020080106578A

公开(公告)日：2008-12-08

申请号：KR1020087025052

申请日：2007-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  고미아츠시 ,  하라마사미치 ,  미즈사와야스시

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45574

Abstract: A method and system is described for reducing particle contamination of a substrate (25) in a deposition system (1). The deposition system comprises one or more particle diffusers (47) disposed therein and configured to prevent or partially prevent the passage of film precursor particles, or break-up or partially break-up film precursor particles. The particle diffuser may be installed in the film precursor evaporation system (50), or the vapor delivery system (40), or the vapor distribution system (30), or two or more thereof. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 描述了用于减少沉积系统（1）中的基底（25）的颗粒污染的方法和系统。 沉积系统包括设置在其中的一个或多个粒子扩散器（47），并构造成防止或部分地阻止膜前体颗粒的通过，或破坏或部分破坏膜前体颗粒。 粒子扩散器可以安装在膜前体蒸发系统（50）或蒸汽输送系统（40）或蒸气分配系统（30）中，或者其两个或多个。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR100674279B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020057017183

申请日：2004-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  요시이나오키 ,  가와무라고헤이 ,  후쿠다유키오 ,  시게오카다카시 ,  고지마야스히코 ,  오시마야스히로 ,  아라미주니치 ,  고미아츠시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/86558 ,  Y10T137/86566 ,  Y10T137/86638 ,  Y10T137/86726 ,  Y10T137/86743 ,  Y10T137/86751 ,  Y10T137/86871

Abstract: 처리장치는, 환원가스의 플라즈마를 연속하여 생성하면서, 원료가스와 환원가스의 공급을 교대로 전환하면서 공급할 수 있다. 여기장치(12)는 공급된 환원가스를 여기한다. 여기된 환원가스는 처리용기(2)에 공급된다. 전환기구(20)가, 여기장치(12)와 처리용기(2)의 사이에 마련된다. 바이패스라인(22)이, 전환기구(20)에 접속된다. 전환기구(20)는, 여기된 환원가스의 여기장치(12)로부터의 흐름을, 처리용기(2)와 바이패스라인(22) 중 어느 한쪽으로 전환한다.

Abstract translation: 处理装置可以在连续产生还原气体的等离子体的同时交替地切换源气体和还原气体的供应的同时供应源气体和还原气体。 激励装置12激励供应的还原气体。 被激发的还原气体被供给到处理容器2。 在励磁装置12与处理容器2之间设置有切换机构20。 旁路线路22连接到切换机构20。 切换机构20将被激励的还原气体激励装置12的流量切换到处理容器2或旁通管路22。

公开(公告)号：KR1020060090676A

公开(公告)日：2006-08-14

申请号：KR1020067006035

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 야마사키히데아키 ,  마츠다츠카사 ,  고미아츠시 ,  하타노다츠오 ,  다치바나,미츠히로 ,  마츠자바고우메이 ,  가와노유미코 ,  레우싱크게르트제이. ,  멕펠리펜톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치. ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: A method is provided for forming a metal layer on a substrate using an intermittent precursor gas flow process. The method includes exposing the substrate to a reducing gas while exposing the substrate to pulses of a metal-carbonyl precursor gas. The process is carried out until a metal layer with desired thickness is formed on the substrate. The metal layer can be formed on a substrate, or alternately, the metal layer can be formed on a metal nucleation layer.

Abstract translation: 提供了一种使用间歇式前体气体流动方法在基板上形成金属层的方法。 该方法包括将衬底暴露于还原气体，同时将衬底暴露于羰基金属前体气体的脉冲。 进行该过程，直到在基底上形成具有所需厚度的金属层。 金属层可以形成在基板上，或者可以在金属成核层上形成金属层。