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公开(公告)号：KR100505371B1
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：KR1020020084147
申请日：2002-12-26
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H03K19/0185
Abstract: 본 발명은 저전력 인버터 및 레벨 쉬프터에 관한 것으로, 특히 능동구동 디스플레이의 구동회로 집적을 위해 P-타입 트랜지스터 또는 N-타입 트랜지스터만으로 구현한 저전력 인버터 및 이를 이용한 레벨 쉬프터에 관한 것이다.
본 발명의 저전력 인버터 및 이를 이용한 레벨 쉬프터는 동일한 도전형의 트랜지스터들로 구성되며, 각 트랜지스터의 채널 길이와 폭을 조절하여 클럭 피드-스루 효과가 서로 다르게 나타나도록 함으로써 트랜지스터의 게이트와 소스 사이의 전압 차를 조절하여 클럭신호에 대해 반전된 신호를 출력하는 것을 특징으로 한다. 또한 이러한 반전 신호 출력 특성을 이용하여 저전력 레벨 쉬프터를 구성할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100463029B1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：KR1020020016135
申请日：2002-03-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/74
Abstract: PURPOSE: A horizontal type thyristor is provided to be capable of improving forward current saturation characteristics and obtaining fast switching characteristics for reducing power consumption at turn-off state. CONSTITUTION: A horizontal type thyristor is provided with a substrate(430), an anode and a cathode formed at the upper portion of the substrate, the first N+ type region(402) formed at the lower portion of the anode, a P+ type region(404a) formed at the lower portion of an FOC(Floating Ohmic Contact), and the second N+ type region(404b) formed at the lower portion of the anode for being electrically connected with the P+ region formed at the lower portion of the FOC. At this time, electrons are flowed from the second N+ type region by flowing holes having the same quantity of the electrons into the P+ type region, according to the principle of charge neutrality.
Abstract translation: 目的：提供一种水平型晶闸管，能够改善正向电流饱和特性并获得快速开关特性，以降低关断状态下的功耗。 本发明公开了一种水平型晶闸管，其包括衬底（430），形成在衬底上部的阳极和阴极，形成在阳极下部的第一N +型区域（402），形成在衬底上的P +型区域 在FOC（浮动欧姆接触）的下部形成的第一N +型区域（404a）和形成在阳极下部的第二N +型区域（404b），用于与在FOC的下部形成的P +区域电连接 。 此时，根据电荷中性原理，通过使具有相同量的电子的空穴流入P +型区域，电子从第二N +型区域流动。
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公开(公告)号：KR1020040057407A
公开(公告)日：2004-07-02
申请号：KR1020020084147
申请日：2002-12-26
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K19/018521 , H03K3/356113 , H03K19/0013
Abstract: PURPOSE: A low-power inverter and a level shifter using the same are provided to form a level shifter circuit by using only N-type transistors or P-type transistors. CONSTITUTION: A low-power inverter includes a first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, and a fifth transistor. The first transistor includes a source for receiving the first power and a gate for receiving a clock signal. The second transistor includes a gate connected to a drain of the first transistor and receives the second power. The third transistor includes a gate for receiving the clock signal and a current path formed between the current path of the second transistor and the first power. The fourth transistor includes a gate connected to a connection node between the second and the third transistors and receives the third power. The fifth transistor includes a gate for receiving the clock signal and the current path formed between the first power and the current path of the fourth transistor. A voltage difference between a gate and a source of the second transistor is controlled by forming differently each clock feed-through effect of the first and the third transistors.
Abstract translation: 目的：提供低功率逆变器和使用其的电平移位器，以通过仅使用N型晶体管或P型晶体管形成电平移位器电路。 构成：低功率逆变器包括第一晶体管，第二晶体管，第三晶体管，第四晶体管和第五晶体管。 第一晶体管包括用于接收第一功率的源和用于接收时钟信号的栅极。 第二晶体管包括连接到第一晶体管的漏极并接收第二功率的栅极。 第三晶体管包括用于接收时钟信号的栅极和形成在第二晶体管的电流路径与第一功率之间的电流路径。 第四晶体管包括连接到第二和第三晶体管之间的连接节点的栅极，并接收第三功率。 第五晶体管包括用于接收时钟信号的栅极和形成在第四晶体管的第一功率和电流路径之间的电流路径。 通过不同地形成第一和第三晶体管的每个时钟馈通效应来控制第二晶体管的栅极和源极之间的电压差。
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公开(公告)号：KR1020040025344A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：KR1020020057281
申请日：2002-09-19
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G09G3/20
CPC classification number: G09G3/3225 , G09G3/3266 , G09G3/3283
Abstract: PURPOSE: A pixel structure of an active matrix O-LED(Organic Light Emitting Device) is provided to have a uniform light emission characteristics by compensating nonuniform electrical characteristics of a TFT device between pixels. CONSTITUTION: The first and the second switching device select a driving pixel by a scan signal applied from the external, and receive a data current. A capacitor(65) stores charges by a control current applied by the first and the second switching device. The third switching device is selected by the first and the second switching device and writes a data current, and an external power is applied to the third switching device. And a driving device is constituted with a mirror structure with the third switching device, and receives a voltage by the charges stored in the capacitor and applies a current to a corresponding pixel.
Abstract translation: 目的：提供有源矩阵O-LED（有机发光器件）的像素结构，以通过补偿像素之间的TFT器件的不均匀电特性来具有均匀的发光特性。 构成：第一和第二开关器件通过从外部施加的扫描信号来选择驱动像素，并接收数据电流。 电容器65通过由第一和第二开关器件施加的控制电流来存储电荷。 第三开关装置由第一开关装置和第二开关装置选择，并写入数据电流，并且向第三开关装置施加外部电力。 并且驱动装置由具有第三开关装置的反射镜结构构成，并且通过存储在电容器中的电荷接收电压并向相应的像素施加电流。
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公开(公告)号：KR100409233B1
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：KR1020000064166
申请日：2000-10-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G02F1/136
Abstract: PURPOSE: A method of fabricating a polysilicon thin film transistor using excimer laser annealing is provided to increase the grain size of a channel of a polysilicon thin film transistor and orderly arrange grain boundaries in order to reduce grain boundary density in the channel. CONSTITUTION: An amorphous silicon thin film is formed on a wafer on which an oxide layer is formed or a glass substrate. A photoresist pattern is formed on a portion of the amorphous silicon thin film, corresponding to a channel region, and impurity ions are implanted into the amorphous silicon thin film. An aluminum thin film pattern is selectively formed on the portion of the amorphous silicon thin film other than the channel region. Excimer laser is irradiated on the amorphous silicon thin film to change the film into a polysilicon thin film. The aluminum pattern is removed and excimer laser is irradiated on the polysilicon thin film to activate the implanted impurity ions. A gate insulating layer is formed on the polysilicon active layer. A gate is formed on the gate insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用准分子激光退火制造多晶硅薄膜晶体管的方法，以增加多晶硅薄膜晶体管的沟道的晶粒尺寸并有序地排列晶界，以便降低沟道中的晶界密度。 构成：在其上形成氧化物层的晶片或玻璃衬底上形成非晶硅薄膜。 在对应于沟道区的部分非晶硅薄膜上形成光致抗蚀剂图案，并将杂质离子注入到非晶硅薄膜中。 在沟道区以外的部分非晶硅薄膜上选择性地形成铝薄膜图案。 准分子激光照射在非晶硅薄膜上以将薄膜变成多晶硅薄膜。 去除铝图案并在多晶硅薄膜上照射准分子激光以激活注入的杂质离子。 在多晶硅有源层上形成栅极绝缘层。 栅极形成在栅极绝缘层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020071574A
公开(公告)日：2002-09-13
申请号：KR1020010011687
申请日：2001-03-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/78
Abstract: PURPOSE: An SOI(Silicon On Insulator) LDMOSFET(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) is provided to improve trade-off characteristics of a breakdown voltage and an on-resistance by using a vacuum layer as a buried layer. CONSTITUTION: An SOI LDMOSFET comprises a source electrode(41), a drain electrode(43), a gate electrode(42), a P-body(32) and an N-drift region(30). At this time, a buried layer having a vacuum layer in a defined portion is formed under the P-body(32) and the N-drift region(30). At this time, the buried layer comprises a buried vacuum layer(61) formed with the vacuum layer and a buried oxidation layer(62) formed with an oxidation layer.
Abstract translation: 目的：提供SOI（绝缘体上硅）LDMOSFET（横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管），通过使用真空层作为掩埋层来提高击穿电压和导通电阻的折衷特性。 构成：SOI LDMOSFET包括源电极（41），漏电极（43），栅电极（42），P体（32）和N漂移区（30）。 此时，在P体（32）和N漂移区（30）的下方形成具有限定部分的真空层的掩埋层。 此时，埋层包括由真空层形成的掩埋真空层（61）和形成有氧化层的掩埋氧化层（62）。
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公开(公告)号：KR101142994B1
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：KR1020040035944
申请日：2004-05-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 삼성전자주식회사
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/043 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/043
Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는 복수의 화소를 포함하며, 각 화소는, 발광 소자, 축전기, 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터, 주사 신호에 따라 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키며 데이터 전압을 구동 트랜지스터에 공급하는 제1 스위칭부, 그리고 발광 신호에 따라 구동 전압을 구동 트랜지스터에 공급하고 발광 소자와 축전기를 구동 트랜지스터에 연결하는 제2 스위칭부를 포함한다. 이때 축전기는 제1 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 데이터 전압과 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 의존하는 제어 전압을 저장하고 제2 스위칭부를 통하여 구동 트랜지스터에 연결되어 제어 전압을 구동 트랜지스터에 다시 공급한다. 본 발명에 의하면 구동 트랜지스터와 유기 발광 소자의 문턱 전압이 열화되더라도 이를 보상하여 화질 열화를 방지할 수 있다.
표시 장치, 유기 발광 소자, 박막 트랜지스터, 축전기, 문턱 전압, 열화Abstract translation: 每个像素包括：发光元件; 电容器; 驱动晶体管，其具有控制端子，输入端子和输出端子，并且将驱动电流提供给发光元件以发光; 第一开关单元，所述第一开关单元响应于扫描信号二极管连接所述驱动晶体管并向所述驱动晶体管提供数据电压; 以及第二开关单元，所述第二开关单元响应于发射信号向所述驱动晶体管提供驱动电压并且将所述发光元件和所述电容器连接到所述驱动晶体管，其中，所述电容器通过所述第一开关单元连接到所述驱动晶体管， 控制电压是数据电压和驱动晶体管的阈值电压的函数，并且通过第二开关单元连接到驱动晶体管，以将控制电压提供给驱动晶体管。
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公开(公告)号：KR100878066B1
公开(公告)日：2009-01-13
申请号：KR1020070050848
申请日：2007-05-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/3225 , G02F1/13624 , G09G3/3648 , G09G2300/0814 , G09G2320/0233
Abstract: 본 발명은 평판 표시 장치에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 평판 표시장치의 유기전계발광소자 또는 액정소자에 전달되는 전류가 누설전류로 인하여 변동되는 것을 방지하고 안정적으로 유지하여, 표시 패널의 화질 열화 현상을 방지하는 데 있다.
이를 위해 본 발명은 주사선에 제어전극이 전기적으로 연결되고, 데이터선과 제1전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 제1스위칭 소자와 주사선에 제어전극이 전기적으로 연결되고, 제1스위칭 소자와 제1전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 제2스위칭 소자와 제1스위칭 소자와 제2스위칭 소자 사이에 제1전극이 전기적으로 연결된 용량성소자와 제2스위칭 소자에 제어전극이 전기적으로 연결되고, 제1전원전압선과 제2전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 구동트랜지스터 및 구동트랜지스터와 제2전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 유기전계발광소자를 포함하는 평판 표시 장치를 개시한다.
평판표시장치, OLED, LCD, 누설전류Abstract translation: 本发明中，所要解决的技术问题是，防止传递到有机发光元件或平板显示器变形例的液晶装置的电流，由于泄漏电流和稳定地保持，平板显示装置的显示面板的图像质量 从而防止降解。
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公开(公告)号：KR1020080112621A
公开(公告)日：2008-12-26
申请号：KR1020070061234
申请日：2007-06-21
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: An organic light emitting diode display is provided to allow organic electro luminescence device of each pixel circuit to radiate the same brightness in response to the same data regardless of the threshold voltage. In an organic light emitting diode display, a control electrode is electrically connected to the scanning line(Scan(1),Scan(2), ...Scan(n)). A switching element(SW) electrically is connected between data line(Data(1),Data(2), ...Data(m)) and the first regular voltage line. A capacitive element(CST) is electrically connected between the switching element and the first regular voltage line. A comparator(COMP) compares the voltage supplied to the switching element with the voltage(VP) applied from the second ground level voltage line(VREF2). The organic electro luminescence device(OLED) is electrically connected between the comparator and the first supply voltage(VSS).
Abstract translation: 提供了一种有机发光二极管显示器，以允许每个像素电路的有机电致发光器件响应于相同的数据而辐射相同的亮度，而不管阈值电压。 在有机发光二极管显示器中，控制电极与扫描线（Scan（1），Scan（2），... Scan（n））电连接。 电连接在数据线（Data（1），Data（2），... Data（m））和第一规则电压线之间的开关元件（SW）。 电容元件（CST）电连接在开关元件和第一正常电压线之间。 比较器（COMP）将提供给开关元件的电压与从第二接地电平电压线（VREF2）施加的电压（VP）进行比较。 有机电致发光器件（OLED）电连接在比较器和第一电源电压（VSS）之间。
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公开(公告)号：KR100841398B1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：KR1020070020391
申请日：2007-02-28
Applicant: 한국원자력연구원 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/73
Abstract: A method and an apparatus for improving an electrical characteristic of a BRT device are provided to manufacture the BRT device having a high performance switching by irradiating an optimized electron beam on the BRT device. An electron beam is irradiated on a BRT(Base Resistance controlled Thyristor) device to extract a first specific condition value of the electron beam which shortens a lifespan of minor carrier. The electron beam of the extracted first specific condition value is irradiated on other BRT device. The other BRT device is subjected to a thermal annealing process to extract a second specific condition value which increases a threshold voltage. Another BRT device is subjected to the thermal annealing process of the extracted specific condition value.
Abstract translation: 提供一种用于改善BRT装置的电气特性的方法和装置，以通过在BRT装置上照射优化的电子束来制造具有高性能切换的BRT装置。 电子束照射在BRT（基极电阻控制晶闸管）器件上，以提取缩短次要载流子寿命的电子束的第一特定条件值。 提取的第一特定条件值的电子束照射在其他BRT装置上。 对其他BRT器件进行热退火处理，以提取增加阈值电压的第二特定条件值。 对另一BRT装置进行提取的特定条件值的热退火处理。
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