公开(公告)号：KR2019940023715U

公开(公告)日：1994-10-22

申请号：KR2019930003494

申请日：1993-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김윤수 ,  김재호

IPC: H04N1/028 ,  H04N1/04

公开(公告)号：KR1019930008837A

公开(公告)日：1993-05-22

申请号：KR1019910018838

申请日：1991-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양승범 ,  김재호

IPC: G11C7/00

Abstract: 중앙처리장치 등과 같은 제어부로부터 인가되는 제어신호에 응답하여 롬 및 램등과 같은 메모리를 억세스하기 위한 출력 뱅크신호를 도출하는 제안된 회로는 상기 CPU의 제어 신호에 응답하여 제1 및 제2뱅크 신호를 생성하는 수단과, 상기 수단의 제1 및 제2뱅크 신호중 어느 하나를 상기 CPU의 제어신호에 포함된 어드레스에 따라 선택하여 상기 출력 뱅크 신호를 상기 메모리로 출력하는 선택 수단되어 있다.
본 발명에 따르면 롬 및 램의 뱅크를 통합적으로 제어하며, 출력 포트의 수를 줄일 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019930006971A

公开(公告)日：1993-04-22

申请号：KR1019910017127

申请日：1991-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재호

IPC: H01L21/335

Abstract: 이중 스페이서를 사용하여 다중의 불순물 확산층을 형성하는 모스트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로 종래의 심중 불순물 분포층을 갖는 모스트랜지스터 형성에서 전류 구동력 향상을 위해 긴 스페이스와 반도체 기판과의 경사각 이온 주입 공정을 실시하는 어려운 제조방법을 탈피하여 ITLDD구조에서 이중 스페이서 공정으로 스페이서에 의하여 셀프 얼라인된 구조로 이온 주입을 실시할 수 있어서 보다 드레인 전류를 증가시키고 기판 전류를 감소시킬수 있으며 단체널 효과를 개선시킴으로써 ITLDD구조에서 갖는 우수한 전류 구동력 및 신뢰성을 확보할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019920022822A

公开(公告)日：1992-12-19

申请号：KR1019910008608

申请日：1991-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강구수 ,  이수열 ,  김서규 ,  김재호

IPC: H04N1/411

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR102240024B1

公开(公告)日：2021-04-15

申请号：KR1020140109921

申请日：2014-08-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이웅 ,  김재호 ,  안경원 ,  이준석 ,  이우성 ,  임헌형

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

Abstract: 본발명의실시예에따른반도체장치의제조방법은, 기판상에층간절연층들및 희생층들을교대로적층하는단계, 층간희생층들및 희생층들을관통하여기판을리세스시키는개구부들을형성하는단계, 기판의리세스영역내에, 기판의리세스된면을따라제1 에피택시얼층을형성하는단계, 및제1 에피택시얼층을시드층으로이용하여, 기판의리세스영역을채우고기판의상부로연장되는제2 에피택시얼층을형성하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR102170761B1

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：KR1020130086211

申请日：2013-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  김명선 ,  김재호 ,  김형희 ,  최남욱 ,  최정식

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

公开(公告)号：KR101983672B1

公开(公告)日：2019-05-30

申请号：KR1020120125596

申请日：2012-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  후지필름 가부시키가이샤

Inventor： 이형래 ,  카토케이타 ,  나카무라아츠시 ,  강율 ,  홍석구 ,  김재호 ,  이동준 ,  이시영

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：KR1020160020019A

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：KR1020140104417

申请日：2014-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유동철 ,  김재호 ,  안재영 ,  이웅

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11597

Abstract: 3차원반도체장치는셀 어레이영역, 워드라인콘택영역및 주변회로영역을포함하는기판, 상기셀 어레이영역에서워드라인콘택영역으로연장되어상기기판상에적층된게이트전극들, 상기셀 어레이영역의게이트전극들을관통하여상기기판의활성영역을노출하는채널홀, 상기워드라인콘택영역의게이트전극들을관통하여기판의소자분리막을노출하는더미홀을포함하되, 상기더미홀을제외한상기채널홀 내에만반도체패턴이형성될수 있다.

Abstract translation: 三维半导体器件包括：衬底，其包括单元阵列区域，字线接触区域和外围电路区域; 栅极电极，其从单元阵列区域延伸到字线接触区域，并且堆叠在基板上; 通孔，其穿透电池阵列区域的栅电极以暴露衬底的有源区; 以及穿透字线接触区域的栅电极以露出衬底的器件隔离层的虚拟孔。 半导体图案只能在除了虚拟孔之外的通道孔中形成。

公开(公告)号：KR1020150061395A

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：KR1020130145469

申请日：2013-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재호 ,  황기현 ,  김동우 ,  이웅 ,  지정근

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926 ,  H01L27/11521

Abstract: 본발명은 3차원반도체메모리장치및 그제조방법에관한것으로, 기판상에희생막들및 절연막들을번갈아반복적으로적층하여박막구조체를형성하는것, 상기박막구조체를관통하여상기기판과접속되는채널구조체를형성하는것, 상기채널구조체와이격되어상기박막구조체를관통하는트렌치를형성하는것, 상기트렌치는상기트렌치하부로연장되는리세스영역을포함하고, 선택적에피택시얼성장(selective epitaxial growth) 공정을수행하여상기리세스영역을채우는반도체패턴을형성하는것 및상기트렌치에노출된상기희생막들을게이트패턴들로교체하는것을포함하는 3차원반도체메모리장치의제조방법을제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及3D半导体存储器件及其制造方法。 提供了用于制造3D半导体存储器件的方法，其包括以下步骤：通过在衬底上交替重复堆叠绝缘层和牺牲层来形成薄膜结构; 形成通过所述薄膜结构连接到所述基板的沟道结构; 形成穿过所述薄膜结构以与所述沟道结构分离的沟槽，其中，所述沟槽包括延伸到所述沟槽的下侧的凹陷区域; 形成通过进行选择性外延生长工序填充所述凹部区域的半导体图案; 并用栅极图案代替暴露在沟槽上的牺牲层。

公开(公告)号：KR101518830B1

公开(公告)日：2015-05-12

申请号：KR1020080086390

申请日：2008-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재호 ,  노유미 ,  한재희 ,  표종선

IPC: H04B1/40 ,  H04W4/02

Abstract: 본 발명은 휴대 단말기 수집 정보 표시 방법 및 장치에 관한 것이다.
이러한 본 발명은 휴대 단말기의 메시지 기능, 통화 기능, 카메라 기능 등의 이용에 따라 수집되는 다양한 수집 정보를 지도정보 상에 표시하도록 제어함과 아울러, 휴대 단말기의 활동 정보 및 환경 정보를 수집하여 외부 환경 및 이동 수단 등을 결정하여, 상술한 메시지 기능, 통화 기능, 카메라 기능에 따른 아이콘 또는 이미지와 함께 표시하도록 할 수 있다.
매쉬 업, 정보, 지도, 위치, 환경, 연계, 활동