-
-
-
-
-
-
公开(公告)号:KR101818507B1
公开(公告)日:2018-01-15
申请号:KR1020120003453
申请日:2012-01-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L25/0652 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/5389 , H01L24/73 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/11
Abstract: 반도체패키지가제공된다. 본발명의일 실시예에따른반도체패키지는, 제1 기판, 제1 기판상에위치하고, 복수의제1 반도체칩들을포함하는칩 적층부, 및제1 기판상에서칩 적층부를둘러싸는제1 밀봉재를포함하는제1 반도체패키지; 제2 기판, 제2 기판상에위치하는적어도하나의제2 반도체칩, 및제2 기판상에서제2 반도체칩을둘러싸는제2 밀봉재를포함하는제2 반도체패키지; 및제1 반도체패키지와제2 반도체패키지를전기적으로연결하는패키지연결부재를포함하고, 복수의제1 반도체칩들은, 쓰루실리콘비아(TSV)를포함하는제1 칩, 및 TSV를통해제1 칩과전기적으로연결되는제2 칩을포함하고, 칩적층부는, 제1 칩과제2 칩의사이를채우고제2 칩의측면으로연장되는내부밀봉재를포함한다.
Abstract translation: 提供半导体封装。 根据本发明的一个实施例的半导体封装件包括:第一基板,所述第一位于衬底上,芯片堆叠部分,以包围芯片mitje包括多个所述第一半导体芯片的第一基板上层叠部包括第一密封构件 第一半导体封装; 第二半导体封装包围所述至少一个第二半导体芯片,设置在第二基板上mitje第二基板上的第二半导体芯片,所述第二衬底包括第二密封构件; 对于mitje第一半导体封装和第二半导体封装中,多个第一半导体芯片,通过第一芯片,第一芯片电连接,和TSV通孔(TSV),其包括穿硅包括封装连接构件和 并且芯片堆叠部分包括填充在第一芯片任务两个芯片之间并且延伸到第二芯片的侧面的内部密封材料。
-
公开(公告)号:KR1020170065397A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:KR1020150171791
申请日:2015-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L25/07 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/13 , H01L23/00
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0652 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83385 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/1403
Abstract: 반도체칩을고정하는접착물질의흐름조절(flow control)을통해, 공정능력및 신뢰성을향상시킨반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는서로대향되는제1 면과제2 면을포함하는제1 반도체칩, 상기제1 반도체칩의상기제1 면에형성되는제1 요철패턴, 및상기제1 반도체칩의상기제1 면상에, 상기제1 반도체칩과연결되고, 상기제1 요철패턴의적어도일부와중첩되는제2 반도체칩을포함한다.
Abstract translation: 并且提供一种通过用于固定半导体芯片的粘合材料的流量控制而具有改进的工艺能力和可靠性的半导体器件。 该半导体器件包括:第一半导体芯片,其中,所述半导体芯片的所述第一表面上形成的第一凹凸图案,并且所述第一半导体芯片的第一表面,其包括彼此面对的第一表面分配第二表面 以及第二半导体芯片,连接到第一半导体芯片并且与第一凹凸图案的至少一部分重叠。
-
公开(公告)号:KR101727160B1
公开(公告)日:2017-05-04
申请号:KR1020100059148
申请日:2010-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/00 , H01L23/498
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48227 , H01L2225/06565 , H01L2924/15311
Abstract: 본발명은관통전극을포함하는반도체장치에관한것으로, 더욱상세하게는반도체기판과반도체기판의일면에형성된절연막을관통하는개구부의적어도일부를채우는관통전극을포함하는반도체장치에관한것이다. 본발명에서절연막은개구부의측벽에인접한가장자리영역및 상기가장자리영역으로부터확장된확장영역을포함하고상기확장영역은상기가장자리영역으로부터멀어질수록높은상부면을갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体装置,包括一个通孔,并且更具体地,涉及一种包括通孔以填充至少穿过形成在半导体基板的表面和半导体基板上的绝缘膜中的开口的一部分的半导体装置。 在本发明中,绝缘膜的侧壁和边缘区域包括从所述边缘区域和邻近所述开口的延伸区域延伸的扩展区域具有上表面更远离所述边缘区域高。
-
公开(公告)号:KR1020170035149A
公开(公告)日:2017-03-30
申请号:KR1020150133876
申请日:2015-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/488 , H01L23/00 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02205 , H01L2224/02215 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/10145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1162 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13026 , H01L2224/13076 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13564 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/73204 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012
Abstract: 반도체장치는, 기판상에배치되는도전패드및 상기도전패드에전기적으로연결되는연결단자(connection terminal)를포함하며, 상기연결단자는, 순차적으로적층된하부필라층, 확산방지층및 상부필라층을포함하며, 측벽에돌출부를구비하는도전성필라구조물(conductive pillar structure), 및상기상부필라층상에배치되며, 상기돌출부의적어도일부분과접촉하는솔더층(solder layer)을구비한다.
Abstract translation: 半导体器件,包括:连接端子(连接端子)电连接到导电焊盘和设置在基板上的导电垫,所述连接端子,依次层叠下柱层,扩散阻挡层和上柱层 所述导电柱结构包括在所述侧壁上具有凸起的导电柱结构和设置在所述上柱层上的焊料层,所述焊料层设置在所述上柱层上并与所述凸起的至少一部分接触。
-
公开(公告)号:KR1020170030306A
公开(公告)日:2017-03-17
申请号:KR1020150127707
申请日:2015-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/48 , H01L23/31 , H01L23/482
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/1815 , H01L2224/83
Abstract: 반도체칩 패키지는활성면인제1 면및 상기제1 면에반대되는제2 면을구비하며, 상기제1 면이상부를향하도록배치되는반도체칩, 상기반도체칩의측면을둘러싸는몰딩부재, 및상기반도체칩의주위에배치되며상기몰딩부재를관통하며, 상기반도체칩의상기제1 면에더 가깝게배치되는일단부와상기일단부에반대되는타단부를구비하는접속비아를포함하고, 상기접속비아의상기일단부는상기접속비아의상기일단부를둘러싸는상기몰딩부재의바닥면보다더 낮은레벨상에위치한다.
Abstract translation: 半导体管芯封装是在西班牙第一侧上的有源表面和所述第一和第二表面相对的第一表面,在所述半导体管芯的至少一部分,包围所述半导体芯片的侧面的模制构件被布置成面对所述第一表面,并且所述 以及连接通孔,所述连接通孔设置在半导体芯片的周围并且穿过成型构件,并且具有靠近半导体芯片的第一表面和与该一端相对的另一端, 并且磨损端位于比围绕连接通孔的一端的模制构件的底表面低的水平面上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-